电路基本元器件的介绍

基本元器件的介绍

拟稿：姚一清主要内容

电阻Resistor

电容Capacitor

电感Inductance

二极管Diode

三极管BipolarJunctionTransistor

其它相关元件Othercomponents温度系数：电子元器件的特性及规格参数会随使用的环境温度变化而变化，温度每升高1℃，其数值变化的百分比。

高频特形：任何元器件在高频工作条件下，都会表现出电抗特性，其分布电容和分布电感都会对电路的频率响应产生不可忽视的影响。

机械强度：根据使用的环境条件选用机械强度高的元器件。

可焊性：选用可焊性好的元器件，是减少产品故障率，减小元器件“虚焊”的非常必要的措施。

可靠性：主要表现在寿命、功率、高频特性、抗机械应力特性、抗静电性、抗辐射性、低功耗、抗高低温性能、耐压性及适应环境的能力等。

元器件的质量参数

元器件的质量参数包括温度系数、高频特形、机械强度、可焊性和可靠性等

阻值：用来表示电阻器对电流阻碍作用的大小，用欧姆（Ω）表示。功率：用来表示电阻器所能承受的最大电流，用瓦特表示，有1/6W，1/4W，1/2W，1W，2W等多种。允许误差：电阻实际值和标称值的差值除以标称值所得的百分数，就是电阻的误差，它反映了电阻器的精密程度。

电阻的精度主要有：±0.5%(D)、±1%(F)、±2%(G)、±5%(J)、±10%(K)、±20%(M)

电阻器介绍

电阻，用符号R表示。电阻器的基本参数包括阻值、功率、允许误差等。电阻的型号命名和标称阻值WΩ

RT14-0.25W-68ΩJ主称：电阻器材料：碳膜分类：普通型序号功率阻值精度

为了便于生产和使用，国家统一规定了一系列阻值作为电阻器阻值的标准值，称为标称阻值电阻的标称阻值下面列出常用电阻器的阻值系列标准1.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1电阻的标称阻值如上所列数值或是所列数值的10n倍。分类符号特点主要用途长虹常用规格碳膜电阻器

RT具有良好的稳定性，负温度系数高频特性好，阻值范围宽成本低，价格便宜，但体积较大广泛使用于交流、直流和脉冲电路中RT13-0.166W-RT14-0.25W-金属膜电阻器RJ耐热性好，额定工作温度高电压稳定性好，温度系数小工作频率范围宽应用广泛，使用于交流、直流、脉冲电路及高温环境电路中RJ14-0.25W-金属氧化膜电阻器RY良好的抗氧化性和热稳定性有极好的脉冲、高频和力学特性额定功率较大、阻燃性强应用广泛，使用于交流、直流、脉冲电路及大功率电路中RY21-0.5W-RY21-1W-RY21-2W-

分类符号特点主要用途长虹常用规格玻璃釉膜电阻器RI耐温、耐湿、稳定性好噪声小、高频特性好体积小、重量轻电源、行扫描电路中RI40-1W-RI40-2W-线绕电阻器RX耐高温、热稳定性好、温度系数小功率大、能承受大功率负载体积大、分布参数大、高频特性差电源、行扫描电路及大功率电路中中RXG6-H-5W-RXG6-H-7W-熔断电阻器RF兼具电阻器和熔断器双重功能阻燃性好、绝缘耐压高限流电路中RF10-1W-RF10-2W-RF11-2W-电阻器的正确选择

在高增益放大电路中，应选用噪声电动势小的金属膜和碳膜电阻器；在高频电路中，应选用分布参数小的碳膜、金属膜和金属氧化膜电阻器；对于要求耐热性较好和过负载能力较强的低阻值电阻器，应选用氧化膜电阻器；对于要求耐高压及高阻值的电阻器，应选用玻璃釉膜电阻器；

对于要求耗散功率大、阻值不高、工作频率不高的电路，可选用线绕电阻器；在温度和湿度较高，且有酸碱腐蚀的场合，应选用金属氧化膜电阻器和玻璃釉膜电阻器；在电阻的额定功率选择上要留有余量，实际使用功率最好不超过额定功率的1/2。

电阻器的正确选择

电阻的规格标志方法电阻器常用的规格标志方法有直标法和色标法

直标法是用数字和文字符号在电阻器上直接标出主要参数的标志方法，如图所示RX为线绕电阻，功率为6W,阻值为8.2Ω，误差为±5%。颜色

有效数字倍数允许偏差（％）银－10-2

±

10％(K)金－10-1

±

5％（J）黑0100－棕1101±

1％(F)红2102±

2％(G)橙3103－黄4104－绿5105蓝6106－紫7107－灰8108－白9109－无色－－±

20％(M)色环法各颜色的意义

色标法其优点是在装配、调试和修理过程中，不用拨动元件，即可在任意角度看清色环，读出阻值。

色标法根据标志的有效数字位数，分为两位及三位有效数字色标法。

两位有效数字色标法电阻的规格标志方法允许偏差5％标称值的倍率103标称值第二位有效数字8标称值第一位有效数字668KΩ±5%允许偏差10％标称值的倍率101标称值第三位有效数字0标称值第二位有效数字7标称值第一位有效数字4电阻的规格标志方法三位有效数字色标法4.7KΩ±10%热敏电阻器

按温度特性热敏电阻可分为两类，随温度上升电阻增加的为正温度系数热敏电阻（PTC:PositiveTemperatureCoefficient），反之为负温度系数热敏电阻（NTC:NegativeTemperatureCoefficient）。

几种特殊的电阻器正温度系数热敏电阻器应用在彩电自动消磁电路中。热敏电阻器Vac消磁线圈PTC热敏电阻器

负温度系数热敏电阻器应用在彩电电源浪涌吸收电路中。Vac＋VdcNTC

压敏电阻器（Varistor）在电路中通常并接在电器的交流输入端起浪涌吸收和过压保护作用。

压敏电阻器＋NTCFUSEVacVdcVaristor电容器介绍电容器种类繁多，电容器最简单结构可由两个互相靠近的金属板夹一层绝缘介质组成，电容器是一个充放电荷的电子元件；电容器具有隔断直流，通过交流的作用,电容的容抗，X=1/2πƒC；电容的应用广泛，它在滤波电路、调谐电路、耦合电路、旁路电容、延时电容、整形电路中起着重要作用。电容器的主要技术参数包括标称容量、允许误差、额定电压、绝缘电阻、漏电流、损耗因数等均为电容器的主要技术参数。标称容量及允许误差

：电容器的标称容量及允许误差的基本含义与电阻器一样。电容的基本单位为F（法拉），即在1V电压下电容器所能储存的电量为1库伦，其容量即为1F。用F作单位在应用中往往太大，所以常用毫法(mF)、微法(µF)、纳法(nF)和皮法(pF)，它们之间的关系：1F=103mF=106µF=109nF=1012pF电容器的主要技术参数额定电压：通常也称作耐压，是指在允许的环境温度范围内，电容长时间正常工作施加的最大电压有效值。电容的额定电压通常是指直流工作电压；绝缘电阻及漏电流：电容介质不可能绝对不导电，当电容加上直流电压时，电容器会有漏电流产生。若漏电流太大，电容器就会发热损坏。除电解电容外，其他电容器的漏电流是极小的，故用绝缘电阻参数来表示其绝缘性能；而电解电容因漏电较大，电解电容器的漏电流又随着温度和电压的升高而增加；电容器的主要技术参数损耗因数：电容的损耗因数指有功损耗与无功损耗功率之比。通常电容在电场作用下，其储存或传递的一部份电能会因介质漏电及极化作用而变为有害的热能，这部分发热消耗的能量就是电容的损耗，显然损耗越大，发热也越严重。温度系数：α＝（C2-C1）/C1（t2-t1）×106C1：t1温度下测得的电容量

C2：t2温度下测得的电容量电容器的主要技术参数分类符号特点长虹常用规格瓷介电容器CCCT耐热性良好，不容易老化抗腐蚀性好绝缘性能好，可制成高压电容器电容量较小，机械强度较低

CC1-63V-CT1-63VCT1-500VCT81-1KVCT7-250VAC薄膜电容器CL容量范围较宽耐热性、耐湿性好，耐压强度较大

CL21CL11CL21X聚丙稀电容器CBB容量范围较宽耐湿性好、绝缘电阻高高频特性好体积小，工作可靠

CBB13-400V

CBB81-1.6KVCBB62-250VAC铝电解电容器CD电容量大，价格低容量误差大，损耗大漏电流大，工作温度范围窄

CD110CD110XCD293-400V

电容器的正确选择

对于要求不高的低频电路和直流电路中，可以选择低频瓷介电容（CT系列）。在高频电路中，可选用高频瓷介电容（CC系列）。在要求较高的中、低频电路中，可选用塑料薄膜电容器。在电源滤波、去耦电路中，可用铝电解电容器。对于高压电路，应选用高压瓷介电容器或其他高压电容器；合理选用电容器的电容量和允许偏差。在低频偶合及滤波电路中，按计算值上选取稍大的电容量。在对电容容量有严格限制的电路中，应选用精度高的电容器；在成本允许的条件下，优先选择绝缘电阻大，介质损耗小，漏电流小的电容器；选用电容器的工作电压应符合电路要求。一般情况下，电容器的额定电压应为实际使用电压的1.3倍左右。对于温度较高或稳定性较差的电路中，电容器的额定电压应留有更大的余量。

电容器的正确选择

电容器的规格标志方法电容器常用的规格标志方法有直标法

直标法是电容器表面直接标出主要参数的标志方法，如图所示CD293为电解电容器，额定电压为400V，标称容量为330µ

F，允许偏差为±20%，工作温度85℃。电容器的规格标志方法如下图：

电感器介绍电感器也叫电感线圈，是利用电磁感应原理制成的，电感器在电路中起着阻流、变压、传送信号等作用。电感器的种类很多，而且分类标准也不一样，通常按电感量变化情况分为固定电感器、可变电感器、微调电感器等；按电感器线圈芯性质又可分为空芯电感器、磁芯电感器、铜芯电感器等；按绕制特点可分为单层电感器、多层电感器、蜂房电感器等。

电感量：也称为自感系数，是表示电感元件自感应能力的一种物理量。当通过一个线圈的磁通发生变化时，线圈中便会产生电势，这是电磁感应现象。电感量的基本单位为H（亨利），实际应有中还有毫亨（mH），微亨（µH），其换算关系如下：1H=103mH=106µH。

电感量可用公式表示：L=µN2S/L

其中µ为介质磁导率，N为线圈的圈数，L为线圈的长度，S为线圈的横截面积。电感器的技术参数感抗：由于电感线圈的自感电势总是阻止线圈中电流变化，故线圈对交流电有阻力作用，阻力大小就用感抗XL表示。XL与线圈电感量L和交流电频率ƒ成正比，计算公式为：XL=2πƒL。（式中XL单位为Ω，ƒ单位为HZ，L单位为H）。不难看出，线圈通过低频电流时XL小，通过直流电时XL为零，此时仅线圈的直流电阻起阻力作用（电感线圈的直流电阻很小，可近似短路）。通过高频电流时XL很大，若L也大，则可看作开路。

电感器的技术参数品质因素：即线圈在一定频率的交流电压下工作时感抗和等效损耗电阻之比。品质因数Q用来表示线圈损耗的大小，高频线圈通常为50—300。对调谐回路线圈的Q值要求较高，用高Q值的线圈与电容组成的谐振电路有更好的谐振特性。对耦合线圈，Q值要求可低一些，对高频扼流圈和低频扼流圈，Q值则无要求。Q值的大小，影响回路的选择性、效率、滤波特性以及频率的稳定性。一般均希望Q值大，但提高线圈的Q值并不是一件容易的事，因此应根据实际使用场合、对线圈Q值提出适当的要求。

电感器的技术参数分布电容：线圈绕组的匝与匝之间存在着分布电容，多层绕组层与层之间，也都存在着分布电容。这些分布电容可以等效成一个与线圈并联的电容Co。这个电容的存在，使线圈的工作频率受到限制，Q值也下降。图示的等效电路，实际为一由L、R、和Co组成的并联谐振电路，其谐振频率称为线圈的固有频率。为了保证线圈有效电感量的稳定，使用电感线圈时，都使其工作频率远低于线圈的固有频率。电感器的技术参数C0RL稳定性：电感量相对于温度的稳定性，用电感的温度系数α＝（L2-L1）/L1（t2-t1）×106表示，式中：L2和L1分别是温度为t2和t1时的电感量。用电感的不稳定系数表示温度对电感量的影响，主要是因为导线受热膨胀，使线圈产生几何变形而引起的。减小这一影响的方法．可将线圈用热缩导管固定或用防潮物质浸渍、环氧树脂密封等。额定电流：指电感器长时间正常工作允许通过的最大直流电流值。实际工作电流应小于额定电流，以免因为电感过热而引起损坏。

电感器的技术参数常用电感器简介分类

电感量

特点与主要用途

长虹常用规格

穿芯电感器

几个µH

开关电路中抑制高频噪声TEM2001TEM2011固定电感器

几十到几百µH

开关电路中抑制高频噪声LGT线路滤波器

几mH到几十mH抑制电源和电网之间的干扰LCL扼流圈

几十mH优化电源电流波形行幅电感200µH以下通过调整电感量来调节行扫描电流，改变行幅HFT行线性电感几十-200µH通过自身电感量变化改变行电流，控制扫描速度HXT行偏转线圈

行电流产生交变磁场改变电子束的运动方向将两个线圈靠近放在一起，当一个线圈线中的电流变化时，穿过另一线圈的磁通会发生相应的变化，从而使该线圈中出现感应电势，这就是互感现象。变压器就是根据互感原理制成的。变压器简介变压器按线圈之间耦合材料分，有空芯变压器、磁芯变压器、铁芯变压器。按工作频率分，有高频变压器、中频变压器、低频变压器、脉冲变压器。如收音机的磁性天线，它是高频变压器；在收音机的中频放大级，用的是中频变压器，俗称“中周”；低频变压器种类较多，有电源变压器、输入变压器等；电视机的行输出变压器，也称“高压包”，它是一种脉冲变压器。

变压器分类变压比：变压比是指变压器初级电压U1与次级电压U2的比值，或初级线圈匝数N1与次级线圈匝数N2的比值。初、次级线圈匝数和电压有以下关系：U1/U2=N1/N2；

变压器的初、次级电流与匝数的关系:I1/I2=N2/N1

变压器的主要技术参数额定功率：指在规定的频率和电压中变压器能长时间工作而不超过规定温升的输出功率。额定功率的容量单位用VA（伏安）表示。温升：指变压器在满负荷工作时线圈温度上升后的稳定值与工作环境温度的差值，温升是影响变压器可靠性的重要参数。

变压器的主要技术参数效率η：指变压器输出功率与输入功率的比值。因为在电路中存在损耗的缘故，变压器的效率总是小于100%。空载电流：次级负载为零（开路）时，初级中仍有一定的电流，这部分电流叫空载电流。绝缘电阻：变压器各绕组间，绕组与铁心之间并不是理想的绝缘。当外加电压时，会有漏电流存在，这是由于变压器存在绝缘电阻所致。绝缘电阻越大漏电流越小；变压器的绝缘电阻过小，可能会使仪器和设备机壳带电，造成对仪器、设备损坏或人身危害。

变压器的主要技术参数变压器在电路中有电压变换、电流变换、传递功率、绝缘隔离、阻抗变换等用途。电压变换:通过变压器原绕组和副绕组匝数比来完成，不管功率传送大小如何，原边和副边的电压变换比等于原绕组和副绕组匝数比。传递功率：外加在变压器原绕组上的交变电压，在磁芯中产生磁通变化，使副绕组感应电压，加在负载上，从而使电功率从原边传送到副边。变压器的主要作用绝缘隔离:通过变压器原绕组和副绕组的绝缘结构来完成。绝缘结构的复杂程度，与外加和变换的电压大小有关，电压越高，绝缘结构越复杂。阻抗变换:在电子线路的信号源和负载阻抗不匹配时，需用匹配元件或电路插在两者之间以实现阻抗匹配，变压器的阻抗变换功能便在此发挥作用Z1=N2*Z2,(N=N1/N2)。变压器的主要作用常用变压器我们常用的变压器有电源开关变压器（BCK系列），行激励变压器(（BCT系列）)和行输出变压器（BSC系列）。

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。二极管基础知识二极管的类型

二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。

二极管的导电特性

二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。二极管的类型和导电特性

正向特性

在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。

反向特性

在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。

二极管的导电特性额定正向工作电流IF，是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。最高反向工作电压VR：加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。

二极管的主要参数反向漏电流IR：反向漏电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向漏电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

正向电压降VF：二极管在通过额定正向整流电流时，在极间产生的压降。

二极管的主要参数反向恢复时间Trr：反向恢复时间Trr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。二极管的主要参数

IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。IRR为反向恢复电流，通常规定IRR=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值IRR。从t1到t3的这段时间就是反向恢复时间Trr。常用二极管分类特点与用途长虹常用规格整流二极管利用二极管的单向导电性将交流电转换为单向脉动直流电

2CZ系列桥式整流二极管BY254等稳压二极管利用稳压管反向击穿后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小这一特性，稳压管在电路中起到稳压作用

W05Z系列

开关二极管二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路

1N4148BAV21等

发光二极管采用磷化镓或磷砷化镓等半导体材料制成的，以直接将电能转变为光能的发光器件。常用作指示灯等方面

FG5RDFG5GD

快恢复、超快恢复二极管：快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。此类二极管具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。几种特殊二极管

肖特基二极管：由金属和半导体采用平面工艺制造形成的，它仅用一种载流子（电子）输送电荷，因而没有少数载流子的存储效应。所以它具有反向恢复时间短和正向压降低的突出优点，它主要用于开关稳压电源做整流和逆变器中作续流二极管。但它的反向耐压值较低、反向漏电流较大，反向耐压一般不超过100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。

几种特殊二极管常用二极管的技术参数分类

型号IF(A)VR(V)IR(μA)Trr(nS)VF(V)整流二极管桥式整流二极管BY2541N54083.010005.0

0.95RM11C1.2100010

0.95快恢复二极管AU01Z0.5200104001.7RU4AM2.0600106001.3超快恢复二极管HER3033.020010501.02CZRU21.0600101001.5肖特基二极管AK031.030100

0.55开关二极管

1N41480.15100541.0BAV210.252000.1501.0晶体三极管的结构和类型

晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

三极管基础知识三极管的封装形式和管脚识别

常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为ebc；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为ebc。

三极管基础知识目前，国内外各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

晶体管的特性曲线是表示一只晶体管各电极电压与电流之间关系的曲线。是应用晶体管和分析放大电路的重要依据。最常用的是共发射极接法的输入特性曲线和输出特性曲线。三极管基础知识

AVmAVECRBIBUCEUBEICEB

输入特性曲线：当UCE为常数时的IB与UBE之间的关系曲线。(参见右图)，对硅管来说，当UCE1V时，集电结已处于反向偏置，发射结正向偏置所形成电流的绝大部分将形成集电极电流，但IB与UBE的关系依然与PN结的正向类似。(当UCE更小，IB才会明显增加)硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压不超过0.2V。

放大状态时，硅NPN管UBE=0.6~0.7V；锗NPN管UBE=0.2~0.3V。三极管基础知识00.4200.8406080UBE(V)IB(A)UCE1V三极管基础知识输出特性曲线：是在IB为常数时，IC与UCE之间的关系曲线。在不同的IB下，可得到不同的曲线，即晶体管的输出特性曲线是一组曲线(见左图)。当IB一定时，UCE超过约1V以后就将形成IC，当UCE继续增加时，IC的增加将不再明显。这是晶体管的恒流特性。当IB增加时，相应的IC也增加，曲线上移，而且IC比IB增加得更明显。这是晶体管的电流放大作用。晶体三极管的三种工作状态

截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态。

放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。

饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管基础知识三极管的主要参数直流参数

（1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。

（2）集电