第三章msp430基本外设3 11 flash编程

嵌入式系统中嵌入式系统中存储器介–––嵌入式系统中常用存储器分Flash存储器介RAM存储器介MSP430存储器介–––Flash存储器读写操Flash存储器分段结Flash存储器寄存RAMRAMROM•FLASH模块逻512••••256位口令可以保护通过BSL对Flash•••FlashFlash存储器通过BLKWRT，WRT，MERAS和30、字节/字/长字（32位）写31、块写33、扇区擦除（针对主存储区34、主存擦除（所有的主存储扇区0110（一个扇区110110（一个扇区11可以可以通过WRT和BLKWRT位来选择写模作，ACCVIFG将置位。在块写入模式下，WAIT=1时，允许对FCTL1进行写操作，但是当WAIT=0时，对FCTL1的写操作为非法操作，ACCVIFG置位当BUSY=1时，对FCTL2的任何写入操作是非法操作当BUSY=1时，可以读FCTLx寄存器。读操作不会产生非法访问当当1时，从RAM（BUSY0）,CPUBUSY0时，Flash控制器才允许CPU位76543210 位76543210 位98 位76543210位98位76543210位98 位76543210没有擦除操 段擦 位76543210没有擦除操 段擦 扇区擦 位98 位76543210位76543210位98 位76543210位76543210位98 位76543210非法访问中断标 1没有中断产2位位76543210非法访问中断标 1没有中断产2位98 位76543210 位76543210 位98 位76543210不 位位76543210不 位98 位76543210位98 位76543210位98 位76543210位76543210位98 位76543210 位76543210 0位98 位76543210位位76543210位98 位76543210位98 位76543210位98 实现实现对SegD进行擦除和写入数据操作，将value值写void｛void｛ unsignedlong*FLASH_ptrD=(unsignedlong*)0x1800;unsignedlongvalue=//判断是否处于忙碌状WDTCTL=While(FCTL3& 置位ERASE位，选择段擦 空写操作，地址可以为段范围内的任意写FCTL3=FCTL1=*FLASH_ptrD=FCTL1=*FLASH_ptrD=//判断是否处于忙碌状清除WRTFCTL1=FWKEY;FCTL3=｝unsignedlong*FLASH_ptrD=(unsignedlong*)0x1800;unsignedlongvalue=0x12345678;voidmain{unsignedint//关闭看门狗定时 擦除FLASHInfoD段do{擦除FLASHInfoD段do{Flash_segmentErase( (unsignedint*)FLASH_ptrDstatus=Flash_eraseCheck( 128);}while(status==写FLASHFlash_write32( (unsignedlong*)(FLASH_ptrD),1);••••• ••••• //初始化FLASH信息段SegC与SegD的指 *FLASH_ptrC=(uint8_t*) *FLASH_ptrD=(uint8_t*)void{uint8_tvalue=WDTCTL=WDTPW+FLASH_ptrC=(uint8_t*)0x1880;FLASH_ptrD=(uint8_t*) }//递增变量写入信息段//信息段SegC的内容写入信息段//无限循环，在此设置断••••• ••••• 初始化FLASH信息段SegC与SegD *FLASH_ptrC=(uint8_t*) *FLASH_ptrD=(uint8_t*)void{uint8_tvalue