天津熔炼设备研究报告

天津熔炼设备可行性研究报告

规划设计/投资方案/产业运营

报告摘要说明在泛半导体行业，国内厂商已接近国外先进水平。半导体和光伏等行业均以硅晶圆作为加工原料，只是前者对晶圆纯度要求更高，运用于泛半导体产业的晶圆生长设备适当提高精度即可实现一定程度上的互相替代。在泛半导体行业，单晶硅生长炉技术水平的指标有晶棒尺寸、投料量、自动化程度和单晶硅棒成品品质等，其中投料量和尺寸是主要的衡量标准。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，单位生产成本越低，技术难度也越大。目前国内市场单晶硅生长炉的投料量一般在60~150kg，尺寸一般在6~8英寸。当前只有少量几家公司能够生产150kg和8英寸以上的单晶硅生长炉，如德国的PVATePlaAG公司，美国的Kayex公司等。目前，以晶盛机电为代表的国内厂商，其设备技术水平已经接近甚至赶超了国外厂商水平，并且拥有明显的成本优势，占据了国内光伏市场的绝大部分份额。未来，国产晶圆生长设备有望提高在半导体行业的渗透率。中国晶圆厂建设加速。预估在2017-2020年间，全球将有62座新的晶圆厂投入营运。中国大陆在这段期间将有26座新的晶圆厂投入营运，占新增晶圆厂的比重高达42%，美国为10座，台湾为9座，下游产能的扩张带来设备需求的弹性。据江苏省半导体行业协会的统计，2016年中国大陆已进入连年国产阶段的晶圆生产线有近100条，其中12英寸晶圆生产线共有9条，8英寸晶圆生产线共有16条，6英寸晶圆生产线共有40条，5英寸晶圆生产线约有16条。中芯国际在北京的Fab4厂是中国最早量产的12英寸晶圆厂，经过几次技术改进工艺水平达到65nm。除此之外，中芯国际也分别在北京和上海拥有两条12英寸产线，技术节点达到了28nm，领先国内水平。除了中芯与武汉新芯外，还暂未有国产企业拥有量产的12英寸厂。然而，英特尔、三星与SK海力士早已在大陆开始布局。SK海力士早在08年就在无锡建设了8英寸晶圆产线，随后升级为12英寸。而英特尔大连工厂在2010年完工后用于生产65nm制程CPU，2015年10月与大连市政府合作，投资55亿美元转型生产3DNANDFlash。目前国内已经量产的12英寸晶圆厂仅有9座，合计产能42.9万片/月。该中高频熔炼设备项目计划总投资9723.11万元，其中：固定资产投资7740.98万元，占项目总投资的79.61%；流动资金1982.13万元，占项目总投资的20.39%。本期项目达产年营业收入14996.00万元，总成本费用11302.85万元，税金及附加182.71万元，利润总额3693.15万元，利税总额4385.26万元，税后净利润2769.86万元，达产年纳税总额1615.40万元；达产年投资利润率37.98%，投资利税率45.10%，投资回报率28.49%，全部投资回收期5.01年，提供就业职位248个。半导体产业与面板产业相似，都是重资产投入，设备投资占总投资规模的比例达到60%以上，其中一些关键的制程环节需要综合运用光学、物理、化学等科学技术，具有技术含量高、制造难度大、设备价值高等特点。因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。半导体设备按生产工艺流程可分为前端设备（晶圆加工设备、晶圆制造设备）和后道设备（封装及测试设备），占总体设备投资的比例分别为70%和30%。我们进一步梳理了各环节主要设备的龙头企业，其中应用材料作为全球最大的半导体设备供应商，在晶圆制造设备的几个核心环节热处理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球。日本公司更擅长制造刻蚀设备、涂胶机、显影机、测试设备等产品，而以ASML为首的荷兰公司则在高端光刻机领域处于领先地位。

天津熔炼设备可行性研究报告目录

第一章项目总论第二章项目调研分析第三章主要建设内容与建设方案第五章土建工程第六章公用工程第七章原辅材料供应第八章工艺技术方案第九章项目平面布置第十章环境保护第十一章职业安全第十二章项目风险评估第十三章节能评估第十四章项目实施进度第十五章项目投资估算第十六章项目经济效益第十七章项目招投标方案附表1：主要经济指标一览表附表2：土建工程投资一览表附表3：节能分析一览表附表4：项目建设进度一览表附表5：人力资源配置一览表附表6：固定资产投资估算表附表7：流动资金投资估算表附表8：总投资构成估算表附表9：营业收入税金及附加和增值税估算表附表10：折旧及摊销一览表附表11：总成本费用估算一览表附表12：利润及利润分配表附表13：盈利能力分析一览表

第一章项目总论

一、项目建设背景半导体设备按生产工艺流程可分为前端设备（晶圆加工设备、晶圆制造设备）和后道设备（封装及测试设备），占总体设备投资的比例分别为70%和30%。我们进一步梳理了各环节主要设备的龙头企业，其中应用材料作为全球最大的半导体设备供应商，在晶圆制造设备的几个核心环节热处理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球。日本公司更擅长制造刻蚀设备、涂胶机、显影机、测试设备等产品，而以ASML为首的荷兰公司则在高端光刻机领域处于领先地位。半导体设备的上游为电子元器件和机械加工行业，原材料包括机械零件、视觉系统、继电器、传感器、计算机和PCB板等，优质的上游产品或服务有助于设备产品的可靠性和稳定性。行业的下游主要为封装测试、晶圆制造、芯片设计。集成电路产品技术含量高、工艺复杂，技术更新和工艺升级依托于装备的发展；反之，下游信息产业不断开发的新产品和新工艺，为设备行业提供了新需求和市场空间。以晶圆加工为例，8英寸的晶圆制造设备无法运用于其他尺寸的加工，因此当半导体行业进入12英寸时代后，8英寸产品需要全部更新换代，由此也带来了设备行业的增量空间，促进了其持续发展。总体设备市场恢复性增长，接近历史最高水平。设备行业与半导体行业整体景气程度密切相关，且波动较大。2008、2009年受到金融危机的影响，同比分别下降31%和46%，2010年强势回升，并于次年达到历史最高点435亿美元，随后受到周期性影响设备支出有所下降。而2016年全球集成电路设备市场规模为412亿美元，同比增长13%。由于随后几年全球各大厂商加速12英寸晶圆厂建设，将带动上游设备销售，2017年全球半导体新设备销售额将达494亿美元，同比增长19.8%，突破历史最高水平。分产品来看，SEMI预计2017年晶圆加工设备达到398亿美元，同比增长21.7%；光罩等其他前端设备23亿美元，增长25.6%；而封装测试装备总计约73亿美元。下游企业竞争日趋激烈，产业预期持续向好。中国设备占比逐步提升。分地区来看，全球半导体设备主要销售区域为中国、日本、韩国、北美和台湾地区，2016年占比分别为16%、11%、19%、11%和30%。中国大陆在05年仅占4%，近几年随着大陆新建晶圆厂的增加，为半导体设备、服务、材料等厂商提供了宝贵的机遇。2016年中国大陆设备销售收入64.6亿美元，同比增长32%，并首次超过日本，成为全球第三大半导体设备销售地区。同时，SEMI预计韩国设备销售将在2017年达到129.7亿美元，超过台湾成为全球第一大市场。晶圆产能集中度提高，12英寸是当前主流。遵循摩尔定律的半导体行业曾经实现了快速增长，在较低成本的基础上带来了强大的计算能力。为了保持成本，既有通过技术进步的小型化之路，也有增大晶圆尺寸的做法。通常，半导体行业每十年升级fab架构来增加晶圆直径，而同时技术进步则是每两年一个节点。随着纳米尺度逼近物理极限，技术进步已经放缓，晶圆尺寸的增加变得越来越重要。目前全球12英寸晶圆产能约为每月11.5百万片，占总体产能的65%左右，未来12英寸产能预计会继续扩张。但是，更大晶圆尺寸的资本投入也会大幅增长，这为更弱小的玩家设置了进入壁垒。设备行业在12英寸平台开发上投入了116亿美元，几乎是开发8英寸平台的9倍。由于这样的尺寸迁移会产生进入壁垒，领先的设备供应商的扩张速度会远优于行业平均水平，促进集中度的提升。行业前十企业的集中度已由2009年的54%大幅提升至2016年的74%。由于行业发展的驱动力是技术进步和晶圆尺寸增加带来的多样化新应用和成本降低，这给设备供应商带来了更大的增量空间。二、报告编制依据1、《产业结构调整指导目录》。2、《建设项目经济评价方法与参数》（第三版）。3、《建设项目经济评价细则》（2010年本）。4、国家现行和有关政策、法规和标准等。5、项目承办单位现场勘察及市场调查收集的有关资料。6、其他有关资料。三、项目名称天津熔炼设备四、项目承办单位xxx集团五、项目选址及用地综述（一）项目选址方案项目选址位于某某高新技术产业示范基地,地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，建设条件良好。天津，简称津，别称津沽、津门，是中华人民共和国省级行政区、直辖市、国家中心城市、超大城市，国务院批复确定的环渤海地区的经济中心。截至2018年，全市下辖16个区，总面积11966.45平方千米，建成区面积1007.91平方千米，2019年末，常住人口1561.83万人，城镇人口1303.82万人，城镇化率83.48%。天津地处中国北部、海河下游、东临渤海，是中国北方最大的港口城市，国家物流枢纽，北方国际航运核心区，首批沿海开放城市，是中蒙俄经济走廊主要节点、海上丝绸之路的战略支点、一带一路交汇点、亚欧大陆桥最近的东部起点，位于海河五大支流南运河、子牙河、大清河、永定河、北运河的汇合处和入海口，素有九河下梢河海要冲之称。天津是自古因漕运而兴起，唐朝中叶以后成为南方粮、绸北运的水陆码头；金朝在直沽设直沽寨；元朝设海津镇，是军事重镇和漕粮转运中心；明永乐二年（1404年）正式筑城，是中国古代唯一有确切建城时间记录的城市；清咸丰十年（1860年）天津被辟为通商口岸后，西方列强纷纷在此设立租界，天津成为中国北方开放的前沿和近代中国洋务运动的基地。历经六百多年，造就了天津中西合璧、古今兼容的独特城市风貌。（二）项目用地规模项目总用地面积30395.19平方米（折合约45.57亩），土地综合利用率100.00%；项目建设遵循“合理和集约用地”的原则，按照中高频熔炼设备行业生产规范和要求进行科学设计、合理布局，符合规划建设要求。六、土建工程建设指标项目净用地面积30395.19平方米，建筑物基底占地面积21234.08平方米，总建筑面积37386.08平方米，其中：规划建设主体工程29518.21平方米，项目规划绿化面积2117.77平方米。七、产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：中高频熔炼设备xxx单位/年。综合考xxx集团企业发展战略、产品市场定位、资金筹措能力、产能发展需要、技术条件、销售渠道和策略、管理经验以及相应配套设备、人员素质以及项目所在地建设条件与运输条件、xxx集团的投资能力和原辅材料的供应保障能力等诸多因素，项目按照规模化、流水线生产方式布局，本着“循序渐进、量入而出”原则提出产能发展目标。八、投资估算及经济效益分析（一）项目总投资及资金构成项目预计总投资9723.11万元，其中：固定资产投资7740.98万元，占项目总投资的79.61%；流动资金1982.13万元，占项目总投资的20.39%。（二）资金筹措该项目现阶段投资均由企业自筹。（三）项目预期经济效益规划目标项目预期达产年营业收入14996.00万元，总成本费用11302.85万元，税金及附加182.71万元，利润总额3693.15万元，利税总额4385.26万元，税后净利润2769.86万元，达产年纳税总额1615.40万元；达产年投资利润率37.98%，投资利税率45.10%，投资回报率28.49%，全部投资回收期5.01年，提供就业职位248个。九、项目建设单位基本情况（一）公司概况本公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念，倡导“诚信尊重”的企业情怀；坚持“品质营造未来，细节决定成败”为质量方针；以“真诚服务赢得市场，以优质品质谋求发展”的营销思路；以科学发展观纵观全局，争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。公司自成立以来，坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本，强调服务，一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革，实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一，质量第一，信誉第一”为原则，在产品质量上精益求精，追求完美，对客户以诚相待，互动双赢。我们将不断超越自我，继续为广大客户提供功能齐全，质优价廉的产品和服务，打造一个让客户满意，对员工关爱，对社会负责的创新型企业形象！顺应经济新常态，需要公司积极转变发展方式，实现内涵式增长。为此，公司要求各级单位通过创新驱动、结构优化、产业升级、提升产品和服务质量、提高效率和效益等路径，努力实现“做实、做强、做大、做好、做长”的发展理念。公司拥有优秀的管理团队和较高的员工素质，在职员工约600人，80%以上为技术及管理人员，85%以上人员有大专以上学历。公司基于业务优化提升客户体验与满意度，通过关键业务优化改善产业相关流程；并结合大数据等技术实现智能化管理，推动业务体系提升。公司自成立以来，在整合产业服务资源的基础上，积累用户需求实现技术创新，专注为客户创造价值。（二）公司经济效益分析上一年度，xxx有限责任公司实现营业收入13157.62万元，同比增长17.88%（1996.12万元）。其中，主营业业务中高频熔炼设备生产及销售收入为11269.75万元，占营业总收入的85.65%。根据初步统计测算，公司实现利润总额3166.09万元，较去年同期相比增长349.09万元，增长率12.39%；实现净利润2374.57万元，较去年同期相比增长331.01万元，增长率16.20%。十、主要经济指标

主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积平方米30395.1945.57亩1.1容积率1.231.2建筑系数69.86%1.3投资强度万元/亩169.871.4基底面积平方米21234.081.5总建筑面积平方米37386.081.6绿化面积平方米2117.77绿化率5.66%2总投资万元9723.112.1固定资产投资万元7740.982.1.1土建工程投资万元3129.982.1.1.1土建工程投资占比万元32.19%2.1.2设备投资万元3695.512.1.2.1设备投资占比38.01%2.1.3其它投资万元915.492.1.3.1其它投资占比9.42%2.1.4固定资产投资占比79.61%2.2流动资金万元1982.132.2.1流动资金占比20.39%3收入万元14996.004总成本万元11302.855利润总额万元3693.156净利润万元2769.867所得税万元1.238增值税万元509.409税金及附加万元182.7110纳税总额万元1615.4011利税总额万元4385.2612投资利润率37.98%13投资利税率45.10%14投资回报率28.49%15回收期年5.0116设备数量台（套）9717年用电量千瓦时475096.0718年用水量立方米12389.7719总能耗吨标准煤59.4520节能率20.20%21节能量吨标准煤21.9922员工数量人248

第二章项目调研分析

一、中高频熔炼设备行业发展概况中国晶圆厂建设加速。预估在2017-2020年间，全球将有62座新的晶圆厂投入营运。中国大陆在这段期间将有26座新的晶圆厂投入营运，占新增晶圆厂的比重高达42%，美国为10座，台湾为9座，下游产能的扩张带来设备需求的弹性。据江苏省半导体行业协会的统计，2016年中国大陆已进入连年国产阶段的晶圆生产线有近100条，其中12英寸晶圆生产线共有9条，8英寸晶圆生产线共有16条，6英寸晶圆生产线共有40条，5英寸晶圆生产线约有16条。中芯国际在北京的Fab4厂是中国最早量产的12英寸晶圆厂，经过几次技术改进工艺水平达到65nm。除此之外，中芯国际也分别在北京和上海拥有两条12英寸产线，技术节点达到了28nm，领先国内水平。除了中芯与武汉新芯外，还暂未有国产企业拥有量产的12英寸厂。然而，英特尔、三星与SK海力士早已在大陆开始布局。SK海力士早在08年就在无锡建设了8英寸晶圆产线，随后升级为12英寸。而英特尔大连工厂在2010年完工后用于生产65nm制程CPU，2015年10月与大连市政府合作，投资55亿美元转型生产3DNANDFlash。目前国内已经量产的12英寸晶圆厂仅有9座，合计产能42.9万片/月。在政策和资本的双重驱动下，中国大陆晶圆生产线建设进入了新一轮发展浪潮。除了已经量产的9条12英寸产线外，从2014下半年至2017上半年，中国大陆正在兴建或宣布计划兴建的12英寸晶圆生产线共有20条（包括扩产升级的产线），大大超越了已有数量，这在史上也是绝无仅有的集建设时期。中国大陆正在兴建的12英寸晶圆产线，按主流产品和工艺技术来分，可以分为逻辑（Logic）芯片、存储器（Memory）芯片和专用芯片生产线3类。目前兴建中技术水平最高的厂商依然是中芯国际，其在北京投资40亿美元的B3产线已达到14nm制程；同时还投资675亿元在上海兴建新晶圆厂，生产工艺涵盖28-14nm，并且开始着手研发10/7nm工艺，预计2018年正式投产。而作为台湾地区晶圆代工龙头台积电，也于2017年宣布在南京建设12英寸晶圆厂，这也意味着16nm制程芯片将在大陆量产。除了新建产线，原有的外资12英寸产线也开始了技术升级、产能扩建的进程。其中包括SK海力士（无锡）进行第5期扩建工程，以及三星（西安）进行第二座12英寸晶圆3DNANDFlash工厂建设。根据目前的规划，若这些晶圆厂全部量产，可达到的理论产能约为125万片/月。叠加现有产能，则未来中国12英寸晶圆产能将超过160万片/月，将大大拉动对半导体设备的需求。从2016年下半年起，国内外8英寸晶圆产能日趋紧张，现有的8英寸产线投片量日益饱满，因而在大陆新建和扩建12英寸产线的同时，8英寸晶圆生产线的新建和扩建也随势展开。至今，新建的8英寸晶圆生产线主要有大连宇宙半导体和淮安德克玛等，扩建的8英寸产线主要是中芯国际（天津）Fab7。总体来说，国内的8英寸产线共计21条，其中量产16条，在建或扩建5条，共计产能115万片/月。中国晶圆厂投资迎来爆发期。我们统计了国内所有8英寸及12英寸产线的投资数据，从未来的投资轨迹来看，2017-2020年是晶圆厂投资的高峰期。这四年内，将有20条产线12英寸晶圆产线实现量产，其中包括紫光集团两条、中芯国际四条、长江存储三条，台积电、三星、美国AOS、联华电子、力晶、华力微电子、合肥长鑫、格罗方德、福建晋华、德克玛、SK海力士各一条，合计投资金额约6827亿元（去除紫光成都产线和中芯国际宁波产线，因为其只与政府签订合作意向，项目并未实际动工）。全部投产后，中国的12英寸晶圆产能将领先台湾与韩国。同时，未来国内新增的8英寸晶圆产能45.5万片/月，相比目前的量产规模增长65%，新增投资247亿元。来国内半导体设备市场空间测算：根据我们人工统计的晶圆产线数据，按照产线的投资额进行4年的平滑，可以计算出未来每年晶圆厂投资数据。在过去的十年中，全球半导体设备资本支出占总体资本支出的比例平均约为67%，即一条晶圆产线的全部资本投资中，2/3的资金用于购买设备，剩下的1/3用于厂房建设，包括人员开支、设计、材料等费用。我们以一条15亿美元的产线为例，其中10亿美元用于设备支出，主要的设备包括以下几种：i.光刻机：最高端的ASML光刻机售价高达1亿美元，整条产线根据产能大小只需要几台光刻机即可；ii.等离子刻蚀机：一条产线需要30-50台，单台价格在200-250万美元左右。iii.CVD设备：一个晶圆厂至少需要30台，单台价格200-300万美元。iv.检测设备：最贵的美国检测机单价约为100万-120万美元，其中前道工序需要50台，而后道工序则需要上百台。约70%的市场为前端晶圆制造设备，而封装设备、测试设备的占比分别为15%和10%。由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中不断循环往复，对于设备稳定性和精度的要求极高，这部分设备价值体量也最高，其中最核心装备光刻机、镀膜沉积设备、刻蚀设备分别占晶圆厂设备总投资的20%、15%和14%左右。中国晶圆厂设备未来几年的投资额将达到千亿级别，对应的设备投资额也为585亿-1210亿元不等，我们预计2019年设备投资额将达到近期峰值水平，其中晶圆制造的设备投资额将达到847亿元。由于前道设备技术难度极高，同时国外实施技术封锁，国产企业无法掌握核心技术而较难切入该领域。后道的封装测试环节技术难度相对较低，尤其是测试设备，大陆凭借着技术引进和较低的劳动力成本优势已经在该领域有所建树，2017年测试设备市场规模有望达到59亿元。持续的产能转移不仅带动了国内集成电路整体产业规模和技术水平的提高，也为装备制造业提供了巨大的市场空间。二、中高频熔炼设备市场分析预测半导体产业与面板产业相似，都是重资产投入，设备投资占总投资规模的比例达到60%以上，其中一些关键的制程环节需要综合运用光学、物理、化学等科学技术，具有技术含量高、制造难度大、设备价值高等特点。因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。IC产品生产附加值极高，工艺进步依托于设备提升。目前的集成电路技术大多基于元素硅，并在晶片上构建各种复杂电路。硅元素在地壳中的含量达到26.4%，是仅次于氧的第二大元素，而单晶硅则可通过富含二氧化硅的砂石经提炼获得。由价格低廉的砂石到性能卓越的芯片，IC的生产过程就是硅元素附加值大量增长的过程。从最初的设计，到最终的下线检测，生产过程需经过几十步甚至几百步的工艺，整个制造过程工艺复杂，其中任何一步的错误都可能是最后导致产品失效的原因，因此对设备可靠性的要求极高。下游厂商也愿意为高可靠性、高精度设备支付技术溢价，这也是半导体投资中设备投资占比较高的原因之一。从生产工艺来看，半导体制造过程可以分为IC设计（电路与逻辑设计）、制造（前道工序）和封装与测试环节（后道工序）。设备主要针对制造及测封环节，设计部分的占比较少。IC设计：是一个将系统、逻辑与性能的设计要求转化为具体的物理版图的过程，主要包含逻辑设计、电路设计和图形设计等。将最终设计出的电路图制作成光罩，进入下一个制造环节。由于设计环节主要通过计算机完成，所需的设备占比较少。IC制造：制造环节又分为晶圆制造和晶圆加工两部分。前者是指运用二氧化硅原料逐步制得单晶硅晶圆的过程，主要包含硅的纯化->多晶硅制造->拉晶->切割、研磨等，对应的设备分别是熔炼炉、CVD设备、单晶炉和切片机等；晶圆加工则是指在制备晶圆材料上构建完整的集成电路芯片的过程，主要包含镀膜、光刻、刻蚀、离子注入等几大工艺。i.镀膜工艺：通过PECVD、LPCVD等设备，在晶圆表面增加一层二氧化硅构成绝缘层，使CPU不再漏电；ii.光刻工艺：通过光刻机，对半导体晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术，加工的晶体管数量和密度都会随着制程工艺的升级而不断加强；iii.刻蚀工艺：通过刻蚀机，对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离；iv.离子注入：通过离子注入机或扩散炉为材料加入特殊元素，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。IC测封：封装是半导体设备制造过程中的最后一个环节，主要包含减薄/切割、贴装/互联、封装、测试等过程，分别对应切割减薄设备、引线机、键合机、分选测试机等。将半导体材料模块集中于一个保护壳内，防止物理损坏或化学腐蚀，最后通过测试的产品将作为最终成品投入到下游的应用中去。IC制造是将光罩上的电路图转移到晶圆上的过程，这段时期硅晶片附加值增长最快。该环节的制造难度相较后端的封装测试要高很多，对于设备稳定性和精度的要求极高，该部分设备投资体量巨大，占整体设备投资的70%以上。其核心工艺主要包含晶圆制造、镀膜、光刻、刻蚀、离子注入5大环节。晶圆制造工艺及设备：硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。首先硅提纯。将原料放入熔炉中进行化学反应得到冶金级硅，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.9999999%（7个9以上），成为电子级硅。然后在单晶炉中使用提拉法得到单晶硅。即先将多晶硅熔化，然后将籽晶浸入其中，并由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时缓慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去，形成单晶硅棒。硅晶棒再经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻后，成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片。二、中高频熔炼设备行业发展趋势分析在泛半导体行业，国内厂商已接近国外先进水平。半导体和光伏等行业均以硅晶圆作为加工原料，只是前者对晶圆纯度要求更高，运用于泛半导体产业的晶圆生长设备适当提高精度即可实现一定程度上的互相替代。在泛半导体行业，单晶硅生长炉技术水平的指标有晶棒尺寸、投料量、自动化程度和单晶硅棒成品品质等，其中投料量和尺寸是主要的衡量标准。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，单位生产成本越低，技术难度也越大。目前国内市场单晶硅生长炉的投料量一般在60~150kg，尺寸一般在6~8英寸。当前只有少量几家公司能够生产150kg和8英寸以上的单晶硅生长炉，如德国的PVATePlaAG公司，美国的Kayex公司等。目前，以晶盛机电为代表的国内厂商，其设备技术水平已经接近甚至赶超了国外厂商水平，并且拥有明显的成本优势，占据了国内光伏市场的绝大部分份额。未来，国产晶圆生长设备有望提高在半导体行业的渗透率。光刻工艺及设备：光刻是在一片平整的硅片上构建半导体MOS管和电路的基础，利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的精密微细加工技术。由于晶圆表面上的电路设计图案直接由光刻技术决定，因此光刻也是IC制造最核心的环节。光刻主要步骤是先在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶，让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板照射在硅片上，使被照射到的部分（如源区和漏区）光刻胶发生变质，然后用腐蚀性液体清洗硅片，除去变质的光刻胶；而被光刻胶覆盖住的部分则不会被刻蚀液影响。光刻工艺价值巨大，ASML独领风骚。即使是微米级的光刻工艺，也需要重复循环5次以上，而目前的28nm工艺则需要20道以上的光刻步骤，整个光刻成本约为硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占40%-60%。而光刻机则是IC制造中最核心的设备，价值量占到设备总投资的比例约为20%。全球半导体设备龙头ASML在光刻机领域优势巨大，其EUV光刻机工艺水平已经达到10nm的级别，单台设备售价超过1亿美元。公司的市场份额超过60%，甩开了两个老对手Nikon和Canon。极紫外光刻EUV是实现10nm以下工艺制程的最经济手段，并且只有ASML一家供应商具备开发EUV光刻机的能力。因此半导体三巨头英特尔、台积电、三星均争相投资ASML开发EUV技术，助其快速实现量产，以及获得EUV设备的优先购买权。虽然我国上海微电子也研发出光刻机，但由于中国半导体起步较晚，技术上与外资品牌差距巨大。刻蚀工艺：按照掩模图形对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术工艺，是与光刻相联系的图形化处理的主要工艺，通常分为干法刻蚀和湿法刻蚀。湿法刻蚀主要是在较为平整的膜面上用稀释的化学品等刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射。干法刻蚀是用等离子体（气体）进行薄膜刻蚀的技术工艺，通过电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，更快地与材料进行反应，从而利用物理上的能量转移实现刻蚀目的。中微半导体崛起，泛林雄踞榜首。在刻蚀设备领域，美国的泛林半导体凭借着先发优势和大量研发投入保持行业龙头地位，但中国厂商中微半导体在近十年迅速崛起，并开始打入国际市场。中微半导体的16nm刻蚀机实现商业化量产，目前已经进入台积电的5个半导体生产线，7-10nm刻蚀机设备可以与世界最前沿技术比肩。随着中微的崛起，2015年美国商业部的工业安全局特别发布公告，承认中国已经拥有制造具备国际竞争力刻蚀机的能力，且等离子刻蚀机已经进入量产阶段，因而决定将等离子刻蚀机从美国对中国控制出口名录中去除。离子注入工艺及设备：是人为地将所需杂质以一定方式掺入到硅片表面薄层，并使其达到规定的数量和符合要求的分布形式，主要包括两种方法。高温热扩散法是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉，将杂质扩散到硅片内一种方法；离子注入法是通过注入机的加速和引导，将能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，与材料中的原子或分子发生一系列理化反应，入射离子逐渐损失能量，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，最后停留在材料中，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。在离子注入机领域，美国应用材料占据了70%以上的市场份额。成膜工艺及设备：主要运用CVD技术（ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积），是把含有构成薄膜元素的反应剂蒸气引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。CVD技术具有淀积温度低、薄膜成份易控的特点，膜厚与淀积时间成正比，均匀性和重复性好，其中应用最广的是PECVD和MOCVD。PECVD（等离子体增强化学气相沉积），是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，利用等离子很强的化学活性，在基片上沉积出所期望的薄膜；MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积），是以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压下通氢气的冷壁不锈钢反应室中进行，衬底温度为500-1200℃，用射频感应加热石墨基座，氢气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。薄膜工艺也是IC制造的一个基础工艺，加工难度较高。该环节设备投资占整体设备的14%-15%。在CVD设备领域，中国与世界先进水平差距较大。美国应用材料几乎涵盖了除光刻机以外的前制程设备，并在CVD及PVD设备领域位居全球市占率第一，而中国企业近年来在“02”专项的支持下也实现了技术突破，其中北方华创的CVD设备已经进入中芯国际28nm生产线，14nm设备正处于验证阶段。

第三章主要建设内容与建设方案

一、主要建设内容与规模（一）主要建设内容1、该项目总征地面积30395.19平方米（折合约45.57亩），其中：净用地面积30395.19平方米（红线范围折合约45.57亩）。项目规划总建筑面积37386.08平方米，其中：规划建设主体工程29518.21平方米，计容建筑面积37386.08平方米；预计建筑工程投资3129.98万元。2、配套建设相应的公用辅助工程设施。3、购置主要生产工艺设备，组建相关的生产车间及生产经营管理部门。4、对生产过程中产生的废气、废水、噪声、固废等进行有效治理。（二）项目土建工程方案1、该项目主要土建工程包括：生产工程、辅助生产工程、公用工程、总图工程、服务性工程（办公及生活）和其他工程六部分组成。主要建设内容包括：生产车间、辅助车间、仓储设施（原料仓库和成品仓库）等配套工程和办公室、职工宿舍、围墙、厂区道路及绿化等。2、本期工程项目预计总建筑面积37386.08平方米，其中：计容建筑面积37386.08平方米，计划建筑工程投资3129.98万元，占项目总投资的32.19%。3、本期工程项目建设规划建筑系数69.86%，建筑容积率1.23，建设区域绿化覆盖率5.66%，固定资产投资强度169.87万元/亩。（三）设备购置方案1、该项目需购进先进的生产设备、检测设备、环保设备、安全设施及相关配套设备，设备选型遵循“性能先进、质量可靠、价格合理”的原则，需要购置生产专用设备和检测设备等先进的工艺装备，确保项目的生产及产品检验的需要。2、项目拟选购国内先进的关键工艺设备和国内外先进的检测设备，预计购置安装主要设备共计97台（套），设备购置费3695.51万元。二、产品规划方案（一）产品放方案1、该项目主要从事中高频熔炼设备的生产和销售业务，根据国家有关产业政策和国内外市场对中高频熔炼设备需求预测分析，综合考虑产品市场定位、产能发展需要、资金状况、技术条件、销售渠道、销售策略、管理经验以及相应配套设备、人员素质以及项目所在地建设条件与运输条件、公司的投资能力和原辅材料的供应保障能力等诸多因素，项目按照规模化、流水线生产方式布局，本着“循序渐进、量入而出”的原则提出产能发展规划。2、项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。该项目主要产品为中高频熔炼设备，具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算，根据确定的产品方案和建设规模及预测的中高频熔炼设备产品价格根据市场情况，确定年产量为xxx，预计年产值14996.00万元。（二）营销策略相关行业是一个产业关联度高、涉及范围广、对相关产业带动力较大的产业，根据国内统计数据显示，相关行业的发展影响到原材料、能源、商业、金融、交通运输和人力资源配置等行业，对国民经济发展起到很大的推动作用。项目产品的市场需求是投资项目存在和发展的基础，市场需要量是根据分析项目产品市场容量、产品产量及其技术发展来进行预测；目前，我国各行业及各个领域对项目产品需求量很大，由于此类产品具有市场需求多样化、升级换代快的特点，所以项目产品的生产量满足不了市场要求，每年还需大量从外埠调入或国外进口，商品市场需求高于产品制造发展速度，因此，项目产品具有广阔的潜在市场。通过对国内外市场需求预测可以看出，我国项目产品将以内销为主并扩大外销，随着产品宣传力度的加大，产品价格的降低，产品质量的提高和产品的多样化，项目产品必将更受欢迎；通过对市场需求预测分析，国内外市场对项目产品的需求量均呈逐年增加的趋势，市场销售前景非常看好。在今后的生产经营过程中，根据国内外市场的供求形势，积极拓宽产品营销范围，随着销售市场的不断扩大，相应扩大其生产能力，同时，适时研制开发符合市场需求的新产品，满足国内外不同市场应用领域的需要。

产品方案一览表序号产品名称单位年产量年产值1中高频熔炼设备A单位xx6748.202中高频熔炼设备B单位xx3749.003中高频熔炼设备C单位xx2249.404中高频熔炼设备D单位xx1199.685中高频熔炼设备E单位xx749.806中高频熔炼设备F单位xx299.92合计单位xxx14996.00

第四章项目选址科学性分析

为了认真贯彻落实国家“十分珍惜，合理利用土地和切实保护耕地”的基本国策，促进建设用地的集约利用优化配置，提高工业项目建设用地的管理水平，中华人民共和国国土资源部制定了《工业项目建设用地控制指标》。控制指标是对一个工业项目（或单项工程）及其配套工程在土地利用上进行控制的标准，是国土资源管理部门在建设用地预审和审批阶段核定项目用地规模的重要标准，是项目承办单位和设计部门编制项目可研报告和初步设计文件的重要依据。一、选址要求1、项目选址应符合城乡建设总体规划和工业项目占地使用规划的要求，同时具备便捷的陆路交通和方便的施工场址，并且与大气污染防治、水资源和自然生态资源保护相一致。2、所选厂址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其它特别需要保护的环境敏感性目标。3、节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地。应充分利用天然地形，选择土地利用率高征地费用少的场址。4、厂址选择应提供足够的场地以满足工艺及辅助生产设施的建设需要。厂址应具备良好的生产基础条件，水源、电力、运输等生产要素供应充裕，能源供应有可靠的保障。5、厂址应靠近交通主干道，具备便利的交通条件，有利于原料和产成品的运输。通讯便捷有利于及时反馈市场信息。6、对周围环境不应产生污染或对周围环境污染不超过国家有关法律和现行标准允许范围，不会引起当地居民的不满，不会造成不良的社会影响。7、项目建设方案力求在满足生产工艺、防火安全、环保卫生等要求的前提下，尽量合并建筑充分利用自然空间，坚决贯彻执行“十分珍惜和合理利用土地”的基本国策，因地制宜合理布置。对各种设施用地进行统筹安排，提高土地综合利用效率，同时，采用先进的工艺技术和设备，达到“节约能源、节约土地资源”的目的。二、项目选址及用地方案天津，简称津，别称津沽、津门，是中华人民共和国省级行政区、直辖市、国家中心城市、超大城市，国务院批复确定的环渤海地区的经济中心。截至2018年，全市下辖16个区，总面积11966.45平方千米，建成区面积1007.91平方千米，2019年末，常住人口1561.83万人，城镇人口1303.82万人，城镇化率83.48%。天津地处中国北部、海河下游、东临渤海，是中国北方最大的港口城市，国家物流枢纽，北方国际航运核心区，首批沿海开放城市，是中蒙俄经济走廊主要节点、海上丝绸之路的战略支点、一带一路交汇点、亚欧大陆桥最近的东部起点，位于海河五大支流南运河、子牙河、大清河、永定河、北运河的汇合处和入海口，素有九河下梢河海要冲之称。天津是自古因漕运而兴起，唐朝中叶以后成为南方粮、绸北运的水陆码头；金朝在直沽设直沽寨；元朝设海津镇，是军事重镇和漕粮转运中心；明永乐二年（1404年）正式筑城，是中国古代唯一有确切建城时间记录的城市；清咸丰十年（1860年）天津被辟为通商口岸后，西方列强纷纷在此设立租界，天津成为中国北方开放的前沿和近代中国洋务运动的基地。历经六百多年，造就了天津中西合璧、古今兼容的独特城市风貌。通过对可供选择的建设地区进行比选后，综合考虑交通条件、土地取得成本及职工交通便利条件，选择某某高新技术产业示范基地为建厂地址。园区是1999月被省政府批准的省级园区。园区规划面积15平方公里。全区工业企业300家，其中“三资”企业65家，骨干企业20家，工业总产值80亿元，比上年增长11.3%。园区始终把招商引资工作放在首位，2016年利用外资6000万元，今年到位境外资金8500万元，建成和正在建设的合资项目25个。园区是1999月被省政府批准的省级园区。园区规划面积15平方公里。全区工业企业300家，其中“三资”企业65家，骨干企业20家，工业总产值80亿元，比上年增长11.3%。园区始终把招商引资工作放在首位，2016年利用外资6000万元，今年到位境外资金8500万元，建成和正在建设的合资项目25个。所选区域土地资源充裕，而且地理位置优越，地形平坦、土地平整、交通条件便利、配套设施条件具备，符合项目选址要求。项目建设遵循“合理和集约用地”的原则，按照行业生产规范和要求，进行科学设计、合理布局，符合中高频熔炼设备生产经营的需要。三、项目节约用地措施按照节约用地的基本国策，该项目设计中采取了以下几个方面的措施：1、项目选址在某某高新技术产业示范基地，符合城市总体规划和土地使用控制要求。依托当地生活设施、公共设施、交通运输设施，项目建设区域少建非生产性设施，以利节约用地。2、认真贯彻执行专业化生产原则，除了主要生产过程和关键工序由该项目实施外，其他附属部件采取外协（外购）方式，从而减少了重复建设，节约了资金、能源和土地。3、采用大跨度连跨厂房，方便生产设备的布置，提高厂房的面积利用率，有利于节约土地资源。4、仓库采用简易货架，提高了库房的面积和空间利用率节约了土地。四、项目选址评价1、拟建项目用地位置周围5km以内没有地下矿藏、文物和历史文化遗址，项目建设不影响周围军事设施的建设和使用，也不影响河道的防洪和排涝。项目建设选址周围无粉尘、有害气体、放射性物质和其他扩散性污染源，而且建设区域地形平坦、土地平整、交通便捷、配套设施条件齐备，符合项目选址的根本要求。2、项目选址所处位置交通便利、地理位置优越，有利于项目生产所需原料、辅助材料和成品的运输。通讯便捷、水资源丰富、能源供应充裕，适合于中高频熔炼设备生产经营活动，为此，该区域是发展化工行业的理想场所。3、厂址周围没有自然保护区、风景名胜区、生活饮用水水源地等环境敏感目标，自然环境条件良好。拟建工程地势开阔，有利于大气污染物的扩散，区域大气环境质量良好。4、拟建厂址具备良好的原料供应、供水、供电条件，生产、生活用水全部由某某高新技术产业示范基地提供，完全可以保障供应。5、综上所述，项目选址位于某某高新技术产业示范基地工业项目占地规划区，该区域地势平坦开阔，四周无污染源、自然景观及保护文物，供电、供水可靠，给、排水方便，而且，交通便利、通讯便捷、远离居民区，所以，从厂址周围环境概况、资源和能源的利用情况以及对周围环境的影响分析，拟建工程的厂址选择是科学合理的。

第五章土建工程

一、标准规范1、《建筑结构可靠度设计统一标准》2、《建筑抗震设防分类标准》3、《建筑结构荷载规范》4、《建筑抗震设计规范》5、《混凝土结构设计规范》6、《高层建筑混凝土结构技术规范》7、《建筑地基基础设计规范》8、《建筑桩基技术规范》9、《钢筋混凝土结构设计规范》10、《钢结构设计规范》11、《民用建筑设计通则》二、土建工程设计要求1、本项目中所有建、构筑物均按永久性建构筑物设计。建筑物设计正常使用年限为50年。2、砌体结构应按规范设置地圈梁及构造柱，建筑物耐火等级均为二级。3、建筑建设地抗震设防烈度为9度。设计基本地震加速度为0.05g，设计地震分组为第一组。本项目建筑物结构设计应符合9度抗震设防的要求，抗震设防类别为乙类，采取相应抗震构造措施。三、建筑结构设计1、拟建厂区场地地势较平坦，无不良工程地质现象，适宜建厂。2、基础工程：根据工程地质条件，荷载较小的建（构）筑物采用天然地基，荷载较大的建（构）筑物采用天然地基或人工挖孔灌注桩。3、车间厂房：采用钢屋架结构，屋面采用彩钢板，墙体采用彩钢夹芯板，基础采用钢筋混凝土基础。4、办公楼：采用现浇钢筋混凝土框架结构，多孔砖非承重墙体，屋面为现浇钢筋混凝土框架结构，基础为钢筋混凝土基础。5、其他用房：采用砖混结构，承重型墙体，基础采用墙下条形基础。四、主要材料选用标准要求1、建筑钢筋选用标准要求：基础受力主筋均采用HRB400，箍筋及其他次要构件为HPB300。2、焊条选用标准要求：对于HPB300级钢筋选用E43系列焊条，对于HRB400级钢筋选用E50系列焊条。3、钢材及螺栓：一般钢构件采用Q235B。地脚螺栓一般采用Q235钢。4、水泥选用标准：水泥品种一般采用普通硅酸盐水泥，并根据建、构筑物的特点和所处的环境条件合理选用添加剂，5、混凝土：根据《混凝土结构耐久性设计规范》GB/T50476之规定确定构筑物结构构件最低混凝土强度等级，基础混凝土结构的环境类别为一类，含设备基础混凝土强度等级采用C30，基础混凝土垫层为C15。6、混凝土保护层：结构构件受力钢筋的混凝土保护层厚度根据《混凝土结构耐久性设计规范》GB/T50476规定执行。五、土建工程指标项目净用地面积30395.19平方米，建筑物基底占地面积21234.08平方米，总建筑面积37386.08平方米，其中：规划建设主体工程29518.21平方米，项目规划绿化面积2117.77平方米。本期工程项目建设规划建筑系数69.86%，建筑容积率1.23，建设区域绿化覆盖率5.66%，固定资产投资强度169.87万元/亩。

土建工程投资一览表序号项目占地面积（㎡）基底面积（㎡）建筑面积（㎡）计容面积（㎡）投资（万元）1主体生产工程15012.4915012.4929518.2129518.212718.411.1主要生产车间9007.499007.4917710.9317710.931685.411.2辅助生产车间4804.004804.009445.839445.83869.891.3其他生产车间1201.001201.001712.061712.06163.102仓储工程3185.113185.115114.125114.12342.532.1成品贮存796.28796.281278.531278.5385.632.2原料仓储1656.261656.262659.342659.34178.122.3辅助材料仓库732.58732.581176.251176.2578.783供配电工程169.87169.87169.87169.8712.803.1供配电室169.87169.87169.87169.8712.804给排水工程195.35195.35195.35195.3511.454.1给排水195.35195.35195.35195.3511.455服务性工程2017.242017.242017.242017.24135.115.1办公用房992.97992.97992.97992.9773.205.2生活服务1024.271024.271024.271024.2757.446消防及环保工程569.07569.07569.07569.0742.886.1消防环保工程569.07569.07569.07569.0742.887项目总图工程84.9484.9484.9484.94-204.507.1场地及道路硬化5337.53984.63984.637.2场区围墙984.635337.535337.537.3安全保卫室84.9484.9484.9484.948绿化工程2037.0071.30合计21234.0837386.0837386.083129.98

第六章公用工程

一、供电工程（一）供电电源1、本项目供电负荷等级为三级。厂区降压站电源取自国家电网，电源符合国家标准《供配电系统设计规范》（GB50052-1995）的规定。2、项目建设单位内设配电室，电源进户采用电缆直接埋地敷设引入配电室。厂内供电电压等级380V、TN-C-S系统供电。选择节能型变压器。厂内配电室操作环境，按国标GB50058-92《爆炸及火灾危险环境电力装置设计规范》的要求设计，3、电源设备选用隔爆型dIIBT4级防爆电器，照明导线穿钢管敷设。其它环境按一般建筑物设计。进入易燃易爆区域的各类电缆采用防火性能较高的阻燃电缆。厂内配电采用放射式配电方式，室外电缆直埋或电缆沟敷设，直埋埋深-1.0m，过路及穿墙穿钢管保护。4、室外电源采用三相四线制380/220V，室内三相五线制，照明灯具电压为220V。厂内动力、照明负荷按“三类”用电负荷设计。自10KV电网引一路架空线作为主电源引入厂内10KV终端杆，经避雷器保护后，以电缆方式引入厂内配电室高压配电室。5、为保证仪表、自动控制系统、通信及应急照明等局部重要负荷的不间断供电，有效提高系统的利用率，厂内设置一套在线式不间断电源装置UPS，为PLC系统、报警系统、检测仪表、控制设备和应急照明等负荷供电，UPS不间断电源后备供电时间不小于4小时。（二）低压配电方案1、车间低压配电回路采用放射式、树干式混合配电。车间配电干线采用插接母线和电力电缆在电缆桥架内沿柱、沿梁敷设方式。各变压器之间设低压联络。2、车间照明线路选用绝缘线，配电照明箱引出部分沿电缆桥架敷至灯具，部分线路穿管沿梁明敷。车间照明采用金属卤化物灯，工位照明采用高效荧光灯。在生产厂房，办公区及动力站房设置应急照明及疏散照明。3、配电室变压器中性点直接接地，高压设备采用保护接地，高低压系统共用接地装置，接地电阻不大于1Ω。配电系统采用TN-S接地型式，设专用PE线，插座回路装设漏电保护装置。较高的建筑物按Ⅲ类防雷建筑物设计防雷装置。4、配电系统根据负荷大小用单相（共三线：L线，N线，PE线）220V配电或三相（五线：L1、L2、L3线、N线、PE线）380V配电。建筑的垂直干线宜采用电力电缆，分支电缆或母线槽配电、干线应在电气竖井内敷设，而电缆截面应按发热条件选用，再校验电压损和机械强度。5、配电方式采用放射式和树干式相混合的方式。应急照明及疏散指示照明采用带蓄电池灯具，其它如普通照明，采用从配电房引出可靠的专用的单回路供电。照明配电采用电缆树干式供电，楼梯灯、疏散指示灯、走廊应急灯灯具带30分钟蓄电池，当市政电源断电时蓄电池继续供电。（三）照明设计在保证照度的前提下优先采用高效节能灯具和使用寿命长且显色性好的光源。易燃易爆区域内的照明灯具以高压钠灯或金属卤素灯为光源的防爆等为主，适当辅以防爆荧光灯。非易燃易爆区域以高效荧光灯为主，适当辅以部分装饰灯具。1、车间照明分为普通照明、值班照明、事故照明和局部照明。普通照明是整个照明系统应用最多的系统，根据不同厂房对照度的要求，对灯具按照合理、美观、有效和节能的原则进行布置。高大空间的生产车间顶灯采用金属卤化物灯，车间沿生产线吊架上设置双管荧光灯。检测室采用荧光灯。车间生活间采用荧光灯，局部采用节能灯。金属卤化物灯灯具为块板式节能灯具，并带电容补偿。荧光灯采用高效反射灯具。2、厂区照明采用透露性强的高压钠灯，路灯专用灯具。各车间通道的上方装设平时作为工作照明一部分的金属卤化物灯作为值班照明。各车间的工作照明分片集中控制。值班照明为常明灯，常年不断电单独控制。车间生活和办公室等场所的照明均采用分散控制。3、各车间的照明按车间放射加树干混合式配电，照明干线采用ZR-YJV-1000型电缆沿配电用电缆桥架敷设或采用BV塑料线穿焊接钢管埋地暗敷。车间内照明支线采用BV型铜芯塑料线穿薄电线管沿屋架梁或屋顶金属檩条敷设。（四）电能计量及节能措施1、工厂采用高压计度方式结算电费，低压出成回路装有电度表，便于各车间成本核算，在10kv电源进线处设总计量。每路10kv出线柜均装设有功和无功电度表。变压器低压总进线设有功计量和无功计量。照明用电和动力用电分开计量。动力用电每个配出回路根据需要装设有功电度表。2、用电设备单台电机容量在75kW及以上，电热设备单台容量50kW及以上的设备均单独装设计度表。3、为节约电能，设计中选用节能型电器产品，照明选用光效高的光源和灯具，采用低压静电电容补偿以降低无功损耗。4、合理安排生产，加强用电监督管理，对计量仪表定期校验。（五）电气安全与接地低压配电系统采用TN接地型式。有车间配电室的建筑采用TN-S型，三相五线。变压器中性点直接接地，所有电气设备外壳及外露可导电的金属部分需与PE线可靠连接为一体。保护接地、过电压保护接地和防雷接地共用，构成共用接地系统，接地电阻应≤1Ω。无变电所的建筑物的低压配电系统采用TN-C-S接地型式，电源中性线在进户处作重复接地。接地装置均利用建筑物基础，重复接地后PE线和N线完全分开。二、供水工程（一）供水方案厂区水源为市政自来水，厂区给水系统采用生产、生活、消防合一给水系统，项目用水由某某高新技术产业示范基地市政管网给水干管统一提供，年用水约2280.0立方米。供水管网水压大于0.40Mpa可以满足项目需求。进厂总管选用DN200，各车间分管选用DN50~DN100，给水管道在厂区内形成环状给水管网，各单体用水从厂区环网上分别接出支管，以满足各单体的生产、生活、消防用水的需要。室外给水主管道采用PE给水管，室内生活给水管道采用PP-R给水管，消防管道采用热镀锌钢管。项目拟安装使用节水型设施或器具，不使用国家明令淘汰的用水器具。对供水、用水的设施、设备、器具进行维修、保养。对泵房、水池、水箱安装液位控制系统，以防溢水跑水造成浪费。（二）消防给水1、消防水源：消防用水采用城市供水，合理设置室内外消火栓给水系统，其进水管可由市政给水干管引入，经消防水池加压泵送至各单体的管网系统。室内消火栓应沿道路设置，其间距不应超过120米。2、消防水量：本项目各建筑室内消防水量为40升/秒，室外消防水量为20升/秒，火灾延续时间为2小时。3、消防储水设施：厂区内适当位置设置消防水池和泵房，保证消防前10分钟用水量，水池容量满足火灾延续时间内室内外消防用水量的总和。三、排水工程本项目排水采用雨污分流、清污分流制。厂区室外排水分为雨水（含洁净生产废水）和生活、生产废水两个系统。雨水和洁净废水直接排入厂区雨水系统，厂内生活污水经化粪池处理、食堂废水经隔油池处理后与生活废水一起排入厂区废水管网。废水经管道收集后排入某某高新技术产业示范基地市政污水管网，再排入污水处理厂。厂区雨水主管采用混凝土管件，支管采用水泥管或塑料管材。生活污水管材采用PVC管。生产废水采用不锈钢管或PVC管。四、空调与通风（一）空调1、采暖：冬季室内计算温度：各生产车间14~16℃，需采暖的库房5~8℃，公用站房14℃，办公室、生活间18℃，卫生间15℃。采暖热媒为95~70℃采暖热水，由市政外网集中供应，供水压力0.4Mpa。车间采用传统的热水循环取暖形式，其他厂房及办公室采用燃气辐射采暖的采暖形式。根据行业统计数字显示，采暖设施投资按水循环为96元/平方米，燃气辐射采暖为120元/平方米计算。2、制冷：有空调要求的办公室和生活间夏季设置空调，空调温度范围要求为24-28℃，空调采用分体空调。（二）通风1、厂房为全封闭厂房，采用机械通风方式进行厂房通风换气。送风系统利用空气处理机组，空气处理机组置于车间平台上，室外空气经初、中效过滤后经风机及风管送至车间各生产区。排风系统可采用屋顶风机和局部机械排风系统，车间换气次数为4~5次/小时。2、厂房内局部有害物或散发较大热量的生产设备区域，采用局部封闭，进行机械送排风。当排出废气不能达到排放标准时须设置净化设备。卫生间均设排气扇，将湿气和臭气经排风机排至室外，全室通风换气次数大于10次/小时。五、通信及信息系统设计方案（一）信息通信需求根据本项目生产经营、管理及调度要求，信息通信业务需求如下：1、话音通信：满足项目建设单位与厂区的生产调度、与相关上级部门及地方部门的行政管理联系畅通可靠。2、工业电视监控：对厂区监视管理。以本地监视为主，预留图像可远传至调度控制中心。控制中心对各厂区监视图像可随机调看或自动轮询。（二）信息通信设计方案1、话音通信部分：根据厂区通信业务需求及厂区周围情况，行政调度电话均为安装市话，其中综合值班室安装调度电话和行政电话。2、工业电视部分：在厂内主要场所进行重点监视，适时录像并存储图像，不仅可以了解工作人员及厂内来往人员的情况，还可通过查询录像资料，为事故鉴定、责任划分提供法律认可的视频图像证据。3、通信信息系统电源由项目建设单位UPS不间断电源提供，现场设备电源由值班室内相关设备提供。4、设计提供监控系统的基本要求和配置，选用系统设备时，各配套设备的性能及技术要求应协调一致，系统配置的详细清单及安装、辅助材料待确定系统成套供货商后，按技术要求由成套厂商提供。系统应由资信地位可靠，具有相关资质、有一定业绩、服务良好，具有现场安装调试、开车投运经验，能做到交钥匙工程的成套厂商配套供货，并应对项目建设单位操作人员进行相关的技术培训。5、数据通信：数据传输通道主要采用中国电信ADSL构建VPN虚拟专用通信网，可同时解决厂区数据、lP数据及计算机上网需求。也可采用GPRS数据传输通信。本项目数据利用中国电信ADSL构建VPN虚拟专用通信网，上传至项目建设单位调度中心。6、综合布线：在监控室、控制室设置综合布线系统一套，采用超5类综合布线系统，包括语音点两点，数据信息点两点，由厂家配套提供。通信网络接入设备由网络运营商提供。

第七章原辅材料供应

一、主要原辅材料的供应该项目将以中高频熔炼设备产品批量规模生产为流程，原材料及辅助材料均在国内市场采购，主要材料是xx、xx、xxx、xxx、xx等，从目前的市场供应情况来看，完全可以满足项目的生产需要，按照生产规模的要求，所需原辅材料的供应依据“高质量、低价格”的采购原则，确保生产经营活动的正常进行。二、原辅材料采购管理1、该项目所需要的原材料、辅助材料实行统一采购集中供应，并根据所需原材料的质量、价格、运输条件做到货比三家。2、按照采购计划、分轻重缓急，做到无计划不采购，质量不合格不采购，价格不合理不采购，材料规格性能不清不采购。3、公司物资采购部门根据生产实际需要制定原材料采购计划，掌握原材料的性能、特点，在不影响产品质量的情况下，对项目所需原辅材料合理地选择品种，为企业节约使用原材料降低采购成本。4、验收材料应根据领料单或原始凭证进行清点实测验收，发现规格、质量、数量不符等问题应及时与有关人员联系处理。做好原始记录和资料积累，及时准确的做好月报、季报和年度各种统计报表。

第八章工艺技术方案

一、工艺技术方案选用要求1、对于生产技术方案的选用，遵循“自动控制、安全可靠、运行稳定、节省投资、综合利用资源”的原则，选用当前较先进的集散型控制系统，由计算机统一控制整个生产线的各项工艺参数，使产品质量稳定在高水平上，同时可降低物料的消耗。严格按行业规范要求组织生产经营活动，有效控制产品质量，为广大顾客提供优质的产品和良好的服务。2、遵循“高起点、优质量、专业化、经济规模”的建设原则。积极采用新技术、新工艺和高效率专用设备，使用高质量的原辅材料，稳定和提高产品质量，制造高附加值的产品，不断提高企业的市场竞争能力。3、在工艺设备的配置上，依据节能的原则，选用新型节能型设备，根据有利于环境保护的原则，优先选用环境保护型设备，满足项目所制订的产品方案要求，优选具有国际先进水平的生产、试验及配套等设备，充分显现龙头企业专业化水平，选择高效、合理的生产和物流方式。4、生产工艺设计要满足规模化生产要求，注重生产工艺的总体设计，工艺布局采用最佳物流模式，最有效的仓储模式，最短的物流过程，最便捷的物资流向。5、根据该项目的产品方案，所选用的工艺流程能够满足产品制造的要求，同时，加强员工技术培训，严格质量管理，按照工艺流程技术要求进行操作，提高产品合格率，努力追求产品的“零缺陷”，以关键生产工序为质量控制点，确保该项目产品质量。6、在项目建设和实施过程中，认真贯彻执行环境保护和安全生产的“三同时”原则，注重环境保护、职业安全卫生、消防及节能等法律法规和各项措施的贯彻落实。7、项目生产装置和主要系统选用先进且成熟可靠的DCS控制系统，该系统将检测、监视、控制、操作、数据处理、生产管理等功能集中在一个协调的分散型计算机网络中，具有能耗低、高智能、高速度、高质量、高环保性、系统危险性分散的特点，可实现生产条件的优化控制。8、建立柔性生产模式。本项目产品具有客户需求多样化、产品个性化的特点，因此产品种类多样，单批生产数量较小。多品种、小批量的制造特点直接影响生产效率、生产成本及交付周期。为此，本项目将建设先进的柔性制造生产线，并将柔性制造技术广泛引用到产品制造各个环节，因此可以在照顾到客户个性化要求的同时不牺牲生产规模优势和质量控制水平，降低故障率、提高性价比，使产品性能和质量达到国内领先、国际先进水平。二、质量管理与质量保证项目建设单位视产品质量为企业的生命，从企业的研发阶段开始就注重质量控制，引入了DFMEA设计失效模式分析、QC质量检验、SPC统计过程方法、GRR量测的再现性、TQM全面质量管理等质量控制方法。在中高频熔炼设备制造过程中，根据客户需要直接或间接将产品的生产、检验要求转化为公司内质量控制标准，加强过程控制，确保产品加工质量的稳定。项目建设单位倡导“倡导预防、健康安全、遵纪守法、持续和谐”的质量方针，注重管理体系的建立，实现持续改进。本项目产品制造质量控制将按ISO9000体系标准，从业务流程与组织结构等方面来确保产品各环节处于受控状态，同时，公司推行精益生产（JIT、LEAN）、供应商库存管理（VMI）、全面质量管理（TQM）等先进的管理手段和管理技术。三、设备选型方向为适应该项目生产和检验的需要，确保产品质量，增强生产工艺的可操作手段，必须完整配置各种技术装备，该项目生产设备和检测设备选择国内外现有的先进、成熟、可靠装备，在主要设备选型上遵循以下原则：1、以“比质、比价、比先进”为原则。选择设备时，要着眼高起点、高水平、高质量，最大限度地保证产品质量的需要，不断提高产品生产过程中的自动化程度，降低劳动强度提高劳动生产率，节约能源降低生产成本和检测成本。2、主要设备的配置应与产品的生产技术工艺及生产规模相适应，同时应具备“先进、适用、经济、配套、平衡”的特性，能够达到节能和清洁生产的各项要求。该项目所选设备必须技术先进、性能可靠，达到目前国内外先进水平，经生产厂家使用证明运转稳定可靠，能够满足生产高质量产品的要求。3、设备性能价格比合理，使投资方能够以合理的投资获得生产高质量产品的生产设备。对生产设备进行合理配置，充分发挥各类设备的最佳技术水平。在满足生产工艺要求的前提下，力求经济合理。充分考虑设备的正常运转费用，以保证在生产本行业相同产品时，能够保持最低的生产成本。4、以甄选优质供应商为原则。选择设备交货期应满足工程进度的需要，售后服务好、安装调试及时、可靠并能及时提供备品备件的设备生产厂家。根据生产经验和技术力量，该项目主要工艺设备及仪器基本上采用国产设备，选用生产设备厂家具有国内一流技术装备，企业管理科学达到国际认证标准要求。四、设备配置方案该项目的生产及检测设备以工艺需要为依据，满足工艺要求为原则，并尽量体现其技术先进性、生产安全性和经济合理性，以及达到或超过国家相关的节能和环保要求。先进的生产技术和装备是保证产品质量的关键。因此，关键工艺设备必须选择国内外著名生产厂商的产品，并且在保证产品质量的前提下，优先选用国产的名牌节能环保型产品。根据生产规模和生产工艺的要求，本着“先进、合理、科学、节能、高效”的原则，该项目对比考察了多个生产设备制造企业，优选了中高频熔炼设备生产专用设备和检测仪器等国内先进的环保节能型设备，确保该项目生产及产品检验的需要。项目拟选购国内先进的关键工艺设备和国内外先进的检测设备，预计购置安装主要设备共计97台（套），设备购置费3695.51万元。

第九章项目平面布置

一、总图布置原则该项目厂区总平面布置应符合国家有关规定及要求，结合场地自然条件及现状，满足生产运输、安全卫生、环境保护等方面的需要。同时考虑企业在生产、交通运输、动力设施、设备维修等方面的协作关系。遵循节约用地的原则，做到生产工艺流程顺畅，通道宽度适中，总图布置合理紧凑协调统一，达到科学规范化的要求。其中：建筑物布置紧凑合理，四周均有绿化带环绕，厂区道路既能满足消防要求，又能满足货物运输的要求，项目总平面布置原则如下：1、认真贯彻“十分珍惜和合理利用每一寸土地，保护耕地”的基本国策，切实做到合理用地，节约用地提高土地利用率。因地制宜，结合当地地形条件，选择合理的竖向布置。节约土石方工程量，节约项目投资。2、根据厂区用地的基本条件和工艺生产流程的要求，从现场实际情况出发，综合考虑各项辅助设施功能以及防火、环保、贮运等多种因素的要求，同时达到国家及当地规定的投资强度、建筑密度、建筑容积率和绿化率的要求。3、遵循总图专业布置原则，执行国家颁布的防火、安全、卫生、运输、安全施工等规范、规定和标准要求。厂区道路和场地的布置充分考虑装置的施工、设备安装、检修及消防通道。4、厂区设计按照城市规划的要求布置总图，各项指标应满足项目生产工艺、运输条件、防火安全等规范标准。厂区功能分区明确，便于各生产工区相互协调，既能形成大的流水作业环境，又具有相对独立的制造区域。5、该项目总图布置应用工业工程的基本原理和方法，结合项目建设场地平面现状与竖向格局及生产工艺特点，对厂区进行总体规划，使厂区物流顺畅、人流短捷、能源供应靠近负荷中心。6、满足生产工艺流程和物料流向的要求，做到物料流程顺畅、短捷、连续、贯通，厂内物料运输通畅。7、厂内功能分区合理、明确，以便有利于文明生产及组织管理。生产装置布置充分利用风向，充分考虑工程地质及水文地质情况的影响。8、结合场地地形、地质、地貌等条件，因地制宜并尽可能做到紧凑布置，最大限度的节约土地资源，做到近期相对集中远期预留合理，做到总图规划一次到位，分步实施，滚动发展。二、总图布置采用设计标准及规范该项目总图设计采用的主要标准规范如下：1、《工业企业总平面设计规范》GB50187-932、《厂矿道路设计规范》GBJ22-873、《建筑设计防火规范》GB50016-20064、《工业企业设计防火规范》GB50160-925、《工业企业设计卫生标准》GBZ1-2002三、项目总平面布置方案本项目在某某高新技术产业示范基地进行工厂建设。根据项目建设单位对拟建场地的使用意图并结合该场地的外形及该项目的生产工艺流程、物料投入与产出、废弃物排出以及原材料储存、厂内外交通运输等情况，按厂址的自然条件、生产要求与功能以及化工行业的设计规范进行安排。达到工艺流程（生产程序）顺畅、原材料与各种物料的输送线路最短、货物人流分道、生产调度方便的标准，同时考虑用地少、施工费用节约等要求。沿围墙、路边和可利用场地种植花卉、树木、草坪及常绿植物，改善和美化生产环境。按照建（构）筑物的生产性质和功能，项目设计根据物流关系将厂区划分为生