内存型号说明

Samsung具体含义解释主要含义：24，DRAM。第3SSDRAMHDDRGSGRAM、TDDR2DRAM、DGDDR1〔显存颗粒〕。4、5128Mbit；56、55、57、5A256Mbit51512Mbit的容量。位数据；64648位——为一个数字，表示内存的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和48Banks。对于内存而言，数据宽度×芯片数量＝64128，12bank。例256M32×416：4×16=64，bank；256M16M×168：16×8=128，bankbank组打算。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据256M128M常使用。Q：SSTL-1.8V〔1.8V，1.8V〕。DDR2.5V，DDR21.8V的空间。10M2nd-7thABCEF比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。1112FBGA〔Leaded-Free〕。目前看到最多的是TSOPFBGAFBGA流〔mBGA〕DDR2FBGA像667、80013，“C”CommercialTemp.(0°C~85°C)&NormalPower，1.8V；“L”表~85°C)&LowPower，是低电压版，适合超频，的发烧友超频带来危急。14、15606ns；707ns；7B7.5ns(CL=3)；7C7.5ns(CL=2)808ns1010ns(66MHz)DDR2400MHz，800MHz，1066MHzDDR2“CC”DDR2-40〔200MHz@CL=3、tRP=3〕、“D5”DDR2-533〔266MHz@CL=4、tRCD=4、tRP=4〕、“E6”DDR2-667〔333MHz@CL=5、tRCD=5、tRP=5〕、“E7”表示DDR2-800〔400MHz@CL=5、tRCD=5、tRP=5〕OEM的领域，因而在此就不介绍了。容量计算18SAMSUNGK4H280838B-TCB04、5“28”128Mbits6、7“08”代表该颗8兆数位×16/8bits=256MB〔兆字节〕。8ECC88ECC648ECCECC1816189ECC2Hynix(Hyundai)现代现代内存的含义：HY5DV641622AT-36HYXXXXXXXXXXXXXXXX123456789101112、HY2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V416=16Mbits4KRef64=64Mbits8KRef65=64Mbits257=256Mbits、8KRef5801632481632位6、BANK1、2、3248Bank2、I/O：1:SSTL_3、2:SSTL_28A、B、C、D9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=一般芯片TG=16mmTSOP-Ⅱ、:300NHZ、LDR200、HDR266B、KDR266A亿恒〕亿恒简介InfineonInfineon128MbitsInfineon4Bank少，区分也是最简洁的。容量标示4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160128MB/16bits；HYB39S256800256MB/8bits。作速率。133MHz；。例如：16InfineonHYB39S128400-7.5生产。其容量计算为：128Mbits〔兆数位〕×16/8=256MB〔兆字节〕。InfineonHYB39S128800-7.5产。其容量计算为：128Mbits〔兆数位〕×8片/8=128MB〔兆字节〕。4KINGMAX内存的说明简介KingmaxTinyBGA〔Tinyballgridarray〕。并且该封装模128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。容量备注KSVA44T4A0A——64Mbits，16M4KSV884T4A0A——64Mbits，8M848KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空间×16作速率：-7A——PC133/CL=2；-7——PC133/CL=3；-8A——PC100/CL=2；-8——PC100/CL=3。16KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容64Mbits〔兆数位〕×16/8=128MB〔兆字节〕。5Micron〔美光〕含义：48SDRAM；46DDR。5V；V2.5V。地址A2——内存内核版本号。TG——封装方式，TGTSOP-75133MHz；-65150MHz。18MT46V32M4-75ECCBank32M×4bit×16片/8=256MB〔兆字节〕。华邦〕含义说明：〔Winbond〕内存芯片的前缀。B表示产品类型。98SDRAM94DDRSDRAMC字段表示内存芯片的容量。16代表16Mbit〔2MB〕32代表32Mbit〔4MB〕64内存条的总容量，只需将内存芯片的容量乘上内存芯片的数量即可。D字段表示内存构造。08＊816G6＊1632G232。E表示内存芯片的修正版本。A1B2C3D4F表示内存芯片的封装方式。B60ballsBGA、90ballsBGA或144-BallLFBGAD100-PinLQFPH50-Pin400milTSOP66-Pin400milTSOP86-Pin400milTSOPG表示内存芯片的速度标识。对于SDRAM：-5200MHz〔CL=3〕-6166MHz〔CL=3〕-7143MHz〔CL=3〕PC133〔CL=2〕-75PC133DDRSDRAMDDR400〔CL=2.5〕-5H200MHz〔CL=3〕-55183MHz〔