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文档简介
1PN结——单向导电特性2
PN结——伏安特性3PN结——电容特性2.2.2PN结及晶体二极管的特性2.2.1
PN结的形成2.2PN结和晶体管1行业知识VDI反向特性正向特性击穿特性PN结伏安特性:电流随电压变化的非线性电阻特性伏库特性:电容随电压变化的非线性电容特性2行业知识
当外加电压发生变化时,空间电荷的宽度要相应地随之改变,即存储的电荷量要随之变化,如同电容充放电。二极管的两极之间有电容,它由两部分组成:
3PN结——电容特性
势垒电容CB
扩散电容CD3行业知识平行板电容——平行板宽度是一定的PN结电容——空间电荷的宽度随外加电压要相应地随之改变4行业知识A势垒电容CBUPN++++++++空间电荷层5行业知识a.
当PN结正向偏置电压升高时PN结变窄空间电荷层中的电荷量减少U+
U(U>0)PN++++空间电荷不能移动,空间电荷的减少是由于电子和空穴中和空间电荷层中的带电离子。正向偏置电压升高——部分电子和空穴“存入”空间电荷区6行业知识b.
当PN结正向偏置电压降低时PN结变宽空间电荷层中的电荷量增大U-
U(U>0)PN++++++++++++反向偏置电压升高——部分电子和空穴从空间电荷区“取出”7行业知识势垒电容CBPN结交界处两端电压改变时,会引起积累在PN结的空间电荷浓度发生改变,这类似于电容的充放电现象,从而显示出PN结的电容效应,称为势垒电容。8行业知识势垒电容的充电过程:结论:正偏V加大→空间电荷区变窄→极板距离减小→CB↑
反偏V加大→空间电荷区变宽→极板距离增大→CB↓PN++++++++++++9行业知识B扩散电容CD非平衡少子的积累PN++++............................................
扩散区的电荷量随外电压的变化而产生的电容效应。
PN结正偏时,由N区扩散到P区的电子(非平衡少子),堆积在P区内紧靠PN结的附近,到远离交界面处,形成一定的浓度梯度分布曲线。电压增大,正向(扩散)电流增大。10行业知识
PN结正偏时,由N区扩散到P区的电子(非平衡少子),堆积在P区内紧靠PN结的附近,到远离交界面处,形成一定的浓度梯度分布曲线。电压增大,正向(扩散)电流增大。扩散电容示意图11行业知识△U变化时,P区积累的非平衡少子浓度分布图ΔU>03ΔU=0ΔU<021x电子浓度321PN++++............................................12行业知识PN结正向偏置电压越高,积累的非平衡少子越多。这种电容效应用扩散电容CD表征。PN++++............................................13行业知识小结:Cj
=CD+CB
PN结的结电容Cj当PN结正偏时:当PN结反偏时:势垒电容和扩散电容均是非线性电容。14行业知识变容二极管的符号及C-U特性曲线符号20240608010004681012uDCC-U特性曲线15行业知识变容二极管及其应用示例谐振频率:式中高频放大器LC1DCR+––+V+UDu116行业知识2.2.3金属与半导体的接触(1)金属和半导体的功函数(EF)mEoWm金属中的电子势井Eo
表示真空中静止电子能量。金属功函数定义:
Wm=Eo-(EF)mWm:表示一个起始能量等于费米能级的电子,由金属内部逸出到真空中所需要的最小能量。其大小表示电子在金属中束缚的强弱,并与表面状态有关。17行业知识半导体的功函数:为电子的亲和能,它表示要使半导体导带底部的电子逸出体外所需要的最小能量。半导体的功函数:
Ws=Eo-(EF)s(EF)sEvEc
sWsEo18行业知识(2)整流接触
SWmWS(EF)m(EF)snmEo
Wm>
Ws
接触前(EF)s高于(EF)m,(EF)s-(EF)m=Wm-Ws19行业知识半导体的电势高于金属电势→能带靠近金属一侧向上弯曲
接触后n半导体EF
----金属空间电荷区Wm-SWm-WS=qVD
(EF)s高于(EF)m→
半导体中电子向金属流动→金属(-)半导体(+)→(EF)s和(EF)m统一接触性电势差VD=(Wm–WS)/q20行业知识金属—半导体接触:能带向上弯曲,形成表面势垒,是高阻区域,称n型阻挡层处于平衡态的阻挡层中没有净电流通过。
Wm>
Wsn型阻挡层n半导体EF
----金属空间电荷区Wm-SWm-WS=qVD
21行业知识Wm<WsN型反阻挡层(很薄)
S-WmWS-Wm
EFn半导体金属22行业知识V=023行业知识整流理论(阻挡层):n正向偏置:金属(+)半导体(-
)→电子容易由半导体流入金属24行业知识N逆向偏置:金属(-)半导体(+)→电子从半导体流入金属困难25行业知识正向偏置下,由金属流向半导体的电子电流一定;因电位降低而增加,由半导体流向金属的电子电流因电位降低而增加。故有金属→半导体电流。逆向偏置下,由金属流向半导体的电子电流一定;半导体流向金属的电子电流因电位增加而降低,故有半导体→金属反向电流(恒定)。+-26行业知识VDI反向特性正向特性金属半导体接触I-U特性类似于pn结的伏安特性27行业知识肖特基二极管利用金属—半导体整流接触特性制成的二极管称为肖特基二极管。28行业知识不同:1反向电流产生机制不同:肖特基二极管为多数载流子工作pn接面二极管为少数载流子工作结果:肖特基二极管的饱和电流要大得多,起
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