一种基于基板埋入技术的SiC功率模块封装及可靠性优化设计_第1页
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文档简介

一种基于基板埋入技术的SiC高，SiC功率模块的需求日益增加。SiC功率模块封装技术的研究，成为SiC功率模块技术研究的一个热点。本文旨在探讨一种基于基板埋入技术的SiC功率模块封装及可靠性优化设计。SiCSiC功率模块封装技术的发展历程主要经历了三个阶段，分别是传统TO-22、TO-247、、ST、DFN等封装形式。传统封装技术的优点是易于量产、封装成本低、生产周期短。但在高功率和高温应用场合下，传统封装技术面临着温度、功率和包装密度等方面的限制。SiC材料的发展和应用需求的增长，耐高温封装技术被开发出TO-247-4、D2PAK、ISOTOP、D3PAK和SOD等形式。这些封装形式可以承受高温和高电流，适用于高功率和高基板埋入封装技术是近年来研究的热点，它是一种通过将芯片、粘合剂和导电粘合剂一起进行基板嵌入，实现高功率、高温和高可靠性的-p式。其中，全埋入是功率芯片与包层之间没有气隙的封装方式，能够有效提高器件的导热性和机械强度。-p在基板上的封装方式，具有很强的可靠性。SiCC功率模块在实际应用中，容易受到高压高温、电磁干扰和机械应力等多种环境因素的影响，从而导致模块封装失效。为了解决这些问题，必须在设计阶段注重考虑模块的可靠性，并采取一系列措施来改进模块SiC功率模块的封装过程中，应力缓冲层可SiC功率模块封装形式，但是在强模块的机械强度，降低芯片在工作时因温度和压力等因素受到的应力，从而提高模块的可靠性。C功率模块封装技术的热点和发展趋势之一，它可以有效提高功率模块的可靠性和耐高温性。在实际应用中，为了保证功率模块的可靠性，必须采取一系列措施，如优化封装结构、选

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