电子技术基础

电子技术基础题号一题二题三题四题五题六题七题八题九题总得分统计人得分一、选择题（每题1分）1、当加在硅二极管两端的正向电压从O开始逐渐增加时，硅二极管（）。立即导通到O.3V才开始导通超过死区电压时才开始导通不导通）。2、把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）。基本正常将被击穿将被烧坏电流为零3、用万用表RX100Q挡来测试二极管，如果二极管（）说明管子是好的。正、反向电阻都为零正、反向电阻都为无穷大正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧反向电阻为几百欧，正向电阻为几百欧4、用万用表的电阻挡判断小功率二极管管脚极性时，应选用（）挡。RX10和RX100RX1和RX1kRX1k和RX100RX10k和RX1k5、在测量二极管正向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会（）。变大变小不变化不能确定6、在三极管放大器中，三极管各极电位最高的是（）。NPN管的集电极PNP管的集电极NPN管的发射极PNP管的基极7、晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将（）。随基极电流的增加而增加随基极电流的增加而减小与基极电流变化无关，只取决于Ucc和Rc8、三极管输出特性曲线中，当Ib=0时，Ic等于（）。TOC\o"1-5"\h\zICMICBOICEO09、当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（）。很小的电阻很大的电阻短路电阻10、某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）。约等于150V略大于150V等于300V等于75V11、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）。增大减小不变先变大后变小12、测量小功率二极管的好坏时，一般把万用表欧姆挡拨到（）。RX10和RX1kRX1k和RX100RX1和RX1kRX10k和RX1k13、交通信号灯采用的是（）管。发光二极管光电二极管变容二极管整流二极管14、用万用表的电阻挡判断发光二极管管脚极性时，应选用（）挡。RX100RX1kRX1RX10k15、三极管放大的实质是（）。将小能量换成大能量将低电压放大成高电压将小电流放大成大电流用较小的电流控制较大的电流16、用直流电压表测量NPN型三极管中管子各极电位是Ub=4.7V,Uc=4.3V,U「4V,则该晶体三极管的工作状态是（）。截止状态饱和状态放大状态击穿状态17、三极管各极对地电位如图2-1所示，工作于饱和状态的三极管是（）。18、满足ic=bib的关系时，三极管工作在（）。饱和区放大区截止区击穿区

19、三极管是一种（）的半导体器件。电压控制电流控制既是电压又是电流控制功率控制20、三极管的（）作用是三极管最基本和最重要的特性。电流放大电压放大功率放大电压放大和电流放大21、NPN型晶体管处于放大状态时，各极电压关系是（）。U>U>UUC>UE>UBc.uC<u：<uED.U：<uB<uE22、有三只晶体三极管，除22、有三只晶体三极管，除B和Iceo不同外，其他参数一样，用作放大器件时，应选用（）。B=50,1=0.5mAB=140,I0=2.5mAB=10，lCE0=O.5mA23、某晶体三极管的P=100mW，I=20mA，U=30V，如果将它接在I=15mA，U=20V的电路中，则该管（）。CM CM BR（CEO） C CE被击穿工作正常功耗太大过热甚至烧坏截止24、低频放大电路放大的对象是电压、电流的（）。稳定值变化量平均值直流量25、在单管共发射极放大电路中，其输出电压u。与输入电压*（）。频率相同、波形相似和相位相同波形相似、相位相反和幅度相同

幅度相同、频率不同和相位相反相位相反、频率相同和波形相似26、在共射极放大电路的输入端加入一个正弦波信号，这时基极电流的波形为图2-6中的（）。图2—6图2—627、已知电路处于饱和状态，要使电路恢复成放大状态，通常采用的方法是（）。增大电阻RB减小电阻R：电阻R不爰B28、在放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（）。集电极电压U上升B集电极电压UCE下降基极电流不爰基极电流也随着增大则这种失真为则这种失真为29、共发射极基本放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的正半周出现平顶失真，则这种失真为则这种失真为（）。截止失真饱和失真仁非线性失真频率失真30、共发射极基本放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的负半周出现平顶失真，（）。截止失真饱和失真仁非线性失真频率失真31、NPN晶体三极管放大电路输入交流正弦波时，输出波形如图2-7所示，则引起波形失真的原因是（）。静态工作点太高静态工作点太低静态工作合适，但输入信号太大32、影响放大器工作点稳定的主要因素是（）。B值穿透电流温度频率33、一个三级放大器，工作时测得A=100,A=-50,A=1,则总的电压放大倍数是（）。TOC\o"1-5"\h\z51100-5000134、放大器与负载要做到阻抗匹配，应采用（）。直接耦合阻容耦合变压器耦合光电耦合35、要提高放大器的输入电阻，并且使输出电压稳定，可以采用（）。电压串联负反馈电压并联负反馈电流串联负反馈电流并联负反馈36、在图2-14所示电路中引入了（）。交流负反馈直流负反馈交直流负反馈直流正反馈图2—14二、判断题(每题1分)1、 ()二极管是线性元件。2、 ()一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。3、 ()二极管加正向电压时一定导通。4、 ()二极管加反向电压时一定截止。5、 ()有两个电极的元件都叫二极管。6、 ()三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。7、 ()三极管由两个PN结组成，所以可以用两只二极管组合构成三极管。8、 ()晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料(N型或P型)构成的，所以，集电极和发射极可以互换使用。9、()发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。10、()放大器带上负载后，放大倍数和输出电压都会上升。11、()二极管一旦反向击穿就一定损坏。12、()不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为O.3V左右。13、()二极管具有单向导电性。14、()发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。15、( )某晶体三极管的Ib=10uA时，Ic=O.44mA；当《二20皿时，IC=0.89mA，则它的电流放大系数为45。16、()放大器不设置静态工作点时，由于三极管的发射结有死区和三极管输入特性曲线的非线性，会产生失真。17、()放大器在工作时，电路同时存在直流和交流分量。18、()放大电路的电压放大倍数随负载Rl而变化，Rl越大，电压放大倍数越大。19、()放大电路静态工作点过高时，在UCC和Rc不变情况下，可增加基极电阻Rb。20、()造成放大器工作点不稳定的主要因素是温度。21、()放大电路的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。22、 ()稳定静态工作点，主要是稳定三极管的集电极电流IC。23、 ()分析多级放大电路时，可以把后级放大电路的输入电阻看成是前级放大电路的负载。24、 ()串联反馈就是电流反馈，并联反馈就是电压反馈。25、 ()电压反馈送回到放大器输入端的信号是电压。26、 ()电流反馈送回到放大器输入端的信号是电流。27、 ()负反馈可提高放大器放大倍数的稳定性。28、 ()负反馈可以消除放大器非线性失真。三、填空题(每空1分)1、 二极管的P区引出端叫极或极，N区的引出端叫极或极。2、 根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和三类。3、 导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是。4、PN结正偏时，P区接电源的极，N区接电源的极；PN结反偏时，P区接电源的极，N区接电源的极。5、PN结具有特性，即加正向电压时PN结，加反向电压时PN结6、硅二极管导通时的正向管压降约V，错二极管导通时的管压降约V。7、使用二极管时，应考虑的主要参数是和8、半导体三极管有型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是9、在三极管中，I与I、I的关系为，由于I的数值远远小于I，如忽略I，则II。EBC B C B C E10、三极管基极电流IB的微小变化，将会引起集电极电流Ic的较大变化，这说明三极管具有作用。11、三极管工作在放大状态时，集电极电流与基极电流的关系是12、三极管的穿透电流Iceo随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比错三极管的13、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。14、放大电路设置静态工作点的目的是15、在共射极放大电路中，输出电压u。和输入电压气相位16、为防止失真，放大器发射结电压直流分量Ube比输入信号峰值七，并且要大于发射结的

17、对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻.17、对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻.些，以减轻信号源的负担，输出电阻些，以增大带负载的能力。四、简答题()1、 三极管的主要功能是什么？三极管放大的外部条件是什么？(4分)2、 从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和错管有什么区别？(6分)3、已知某三极管Pcm=100mW，Icm=20mA，U(br)ce°=15V。试问下列哪种情况能正常工作？哪种情况不能正常工作？为什么？(8分)U=3V，I=10mAUCE=2V，IC=40mAUCE=10V，I=20mAuCE=15V，I：=10mA4、画出如图所示电路的直流通路和交流通路。5、什么是交越失真?如何消除?五、计算()1、共发射极基本放大电路中，若R=240kQ，Rc=3kQ，U=12V，B=40，若忽略U，求静态工作点I、I、UB CC BEQ BQCQCEQ和电压放大倍数牟。(8分)

2、如图所示，在电路中，U=15V，R=300kQ,R===3kQ,R=6kQ,晶体管的B=50。求:CC B c L放大电路的输入电阻、输出电阻。分别求放大电路空载和负载时的电压放大倍数。六、分析题()1、［问题］电路图如图1-5所示，已知输入电压为正弦波，设二极管为理想元件，试画出u。电路图如图1-5所示，2、在图1-3所示的两个电路中，设VI、V2均为理想二极管，试根据表1-1所给输入值，判断二极管的工作状态。确定“。的值，并将结果填入表中。表1-1uA(V)uB(V)V1V2U0(V)00

033033VI图1-3试题答案一、选择题（每题1分）TOC\o"1-5"\h\z1、 C\o"CurrentDocument"2、 C3、 C\o"CurrentDocument"4、 C5、 B6、 A\o"CurrentDocument"7、 C8、 C9、 B10、 D11、 A12、 B13、 A14、 D15、 D16、 B200B222 X2O X00XXXABABB二、判断题（每题1分）TOC\o"1-5"\h\z1、 X\o"CurrentDocument"2、 x3、 x4、 x5、 x6、 x7、 x8、 x9、 v10、 x11、 X12、 x13、 v14、 x15、 v16、 v17、 v18、 v20、vTOC\o"1-5"\h\z21、 x22、 v23、 v24、 x25、 x26、 x27、 v28、 x三、填空题（每空1分）1、 正阳负阴2、 导体半导体绝缘体3、 半导体4、 正 负负正5、 单向导电正向导通 反向截止6、 0.7V 0.3V7、最大整流电流最高反向工作电压8、NPNPNP9、IE=IB+IC 则IcFe1°、电流放大11、 I=BICB12、 增大小13、 放大开关14、 避免信号发生非线性失真15、 相反16、 大死区电压17、 大小四、简答题()1、 三极管的主要功能是电流放大作用；三极管放大的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。2、 硅管死区电压为0.5V左右而错管死区电压为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而错管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而错管较大。3、能正常工作不能正常工作，因为I「40mA〉、⑶不能正常工作，因为ICUcE=200mwVPcM(4)不能正常工作，因为ICuCE=150mW>P；4、直流通路 交流通路

5、交流电正负半周交接处发生的失真称为交越失真。给功放管提供一定的静态偏置，使功放管在未输人信号时已处于微导通状态，即工作在甲乙状态。五、计算()1、50uA2mA6V-144V2、解：1时2=慕=0.05mA=50『uUvZcq=