电子设备用Type-C连接器技术要求

1permittivityandlosstange23足规定的使用要求.交流电荷耦合元件直流数字视频接口标准数字视频接口标准2.1版本Type-C连接器代号N/AUSBUniversalSerialBus4符号和代号4.1代号1.电流等级(符号A)分为3级、6级、9级，共三个级别，见下表1.等级编号(代码)3694单独表述连接器最大允许电流等级时，应使用单独编号.2.速率等级(符号G)分为0级、1级、2级、4级，共四个级别，见下表2.等级编号(代码)01240适用单独表述连接器最高速率等级时，应使用单独编号。可靠性能等级(代码)应用场景a成本较高，极端条件下能保持性能稳定，可靠性高，耐用性强。适用于航空航天、汽车、轨道交通、特种装备、高端消费类产品等相关b成本要求不高，性能稳定，可靠性较高，耐用性较强。满足户外、车间、公共场所等使用场景，设计寿命超过5年的工、商业级电子设备。c成本低，稳定性一般，可靠性一般，耐用性一般.满足室内环境使用，设计寿命不超过3年的消费类电子产品，仅适于公头连接器.表4安装类型与代码56地回路(电源负极)地回路(电源负极)超速差分发射正信道1超速差分发射负信道1总线电源(电源正极)总线电源(电源正极)IC/配置信道1D-DD-DIC/配置信道2总线电源(电源正极)总线电源(电源正极)地回路(电源负极)地回路(电源负极)注1:TBT系列协议适用本表的管脚定义；注2:非USB系列协议不适用本表的管脚定义，管脚数(pin)9Poweronly(G0级)(G1级)适用于USB3.x、USB4、DP1.4、DP2.140/80、(G2级、G4级)Type-C连接器母座管脚类型见下表7.管脚数(pin)6Poweronly(G0级)适用于USB2.0(G1级)适用于USB3.x、USB4、DP1.4、DP2.140/80、(G2级、G4级)75.5尺寸规定.限值1邻苯二甲酸二己(DEHP)2邻苯二甲酸二丁酯(DBP)3邻苯二甲酸苯基丁(BBP)4邻苯二甲酸二异丁酯(DIBP)电流等级8介电常数(Dk)介电损耗(Dr)μa≥0.076,镀钯镍合金≥0.76,镀金≥0.076镀金(Au)附录D底层镍(Ni)b镀金(Au)底层镍(Ni)C镀金(Au)底层镍(Ni)检查项目无刮伤、压伤、变形、点伤、模印、沾污、白线、电镀不良、鼓包、指纹.目视和工具外壳对插口无压伤、变形、破损.无压伤、破损、裂纹.无端子缺失、端子高度异常。无缺失、变形。9(如有)Type-C公头连接器。Type-C公头连接器。(9-16Pin)无脏污、刮伤、变形、电镀不良，壳体对插口无异物.无胶芯破损、包胶、毛边.无缺失.无高度异常。母座连接器应确保至少使用以下一种方式提供可靠的EMC接地回路：·插座外壳上的EMC弹片或弹簧指和实心凸起),·内部EMC垫片，或插座外壳上的接触点和内部EMC垫片的组合电源PIN(GND+VBUS)VBUSPIN的长度将有所不同。等长.母座外壳为非导体材质或无外壳的情况：GNDPIN比电源PIN长度更长.序号检验项目1参考EIA-364-23C,公母互配下量测.2V参考EIA-364-21C,试验电压.3试验时间S4试验时间AAA℃5中“Method1”的方Type-C连接器速率(G)等级应符合表14的规定。表14速率性能等级要求序号检验项目单位1参考EIA-364-1012Ω3串扰4高速信道信号对与56Type-CConnectors2.1b注1:为保证高频性能测试结果的一致性，本项目应按测试要求使用指定的高频测试板.注2:G4等级需要满足本标准要求，其它等级数值仅供参考。序号检验项目abc1NN次NN2四轴瞬断测试(仅测试母座)持续时间瞬间时间/秒/3测试轴向/4非破坏性扭曲强度测试(仅测试公头)宽面力矩(+/-Y)窄面力矩(+/-X)维持时间85试(仅测试公头)按压手指直径0.75min,2.0max6宽面施力(+/-Y)N次/分钟次附录F注：1-3项目为必测项目，4-6项目为客户选测项目.表16可靠性能等级一环境适应性要求序号检验项目abc1耐电压(漏电流)℃h2耐电压(漏电流)℃h3%℃H耐电压(漏电流)镀镍/镀锡类锈蚀斑点≤3个，镀金类锈蚀斑点≤5个镀镍/镀锡类锈蚀斑点≤3个，镀金类锈蚀斑点≤5个镀镍/镀锡类锈蚀斑点≤3个，镀金类锈蚀斑点≤5个4℃%h5CL₂浓度NO₂浓度H₂S浓度SO₂浓度℃%h6注：环境测试均为客户选测项目.1R2S3R4电气R5R6R7R8T9T串扰T高速信道信号对与TTTS四轴瞬断测试SS试(仅测试公头)S(仅测试公头)SSSSSSS附加防水性能TRe)22pinType-C连接器公头管脚位置示意图图A.1Type-C连接器公头管脚位置示意图A.2母座管脚位置示意图Type-C连接器公头管脚位置示意图参见下图A.2.编号12(基准面A/B/C)3456内框口高度位置度公差(基准面A/B/C)789EMC弹片位置(左右)EMC弹片宽度(中间)(基准面A/B/C)TTEMC弹片宽度(两侧)T(基准面A/B/C)注：此为6只EMC弹片的结构.编号正公差mm12(基准面A/B/C)3456内框口高度位置度公差(基准面A/B/C)789EMC弹片位置(左右)EMC弹片宽度(左右)TT(基准面A/B/C)T注：此为4只EMC弹片的结构，G1级公头连接器允许使用6只EMC弹片的结构，EMC弹片的尺寸可参考表B.1尺寸9-尺寸14.编号123(基准面A/B/C)45电源PIN与信号PIN长度差67舌片厚度(含端子)89(基于A/B/C面)注：此结构电源PIN与GNDPIN等长，仅适用于母座外壳为导体材质或无外壳的情况。编号尺寸mm正公差mm负公差mm12(基准面A/B/C)345舌片厚度(含端子)67(基于A/B/C面)89电源PIN与信号PIN长度差电源PIN与GNDPIN长度差注：此结构电源PIN比GNDPIN短，适用于母座外壳为非导体材质的情况，也可以用于母座外壳为导体材质或无外壳电流等级导电率(%IACS)电泳(120U°⁻4000*)电泳(120U°⁻4000*)封孔处理镀金3u'(mia.)铍铂或铂合金5u(min)铍金3u'(min.)铍镍80-300u电抛处理原材铜底D.1镀层要求四面组合镀层A区(触点区)1、电镀前进行消洁处理；2、镀层从外到内：镀金≥3μ,镀铂/铂合金≥20μ,镀≥3μ镀钯镍≥30μ,镀金≥3μ,镀铂/铂合金≥20μ,镀金≥3μ,镀镍80-300μ或镍合金≥40μ;3、电镀完成后做封孔处理.B区(非触点区)1、电镀前进行消洁处理；2、镀层从外到内：镀金