第五讲IC工艺流程课件

简单NMOS和CMOS器件平面工艺简单NMOS和CMOS器件平面工艺1复习：工艺流程图晶片准备平面工艺封装测试复习：工艺流程图晶片准备平面工艺封装测试2硅片的类型标志P(100)P(111)N(111)N(100)硅片的类型标志P(100)P(111)N(111)N(1003微电子制造工艺的主要内容衬底制备—单晶生长；晶片的切、磨、抛；薄膜技术—氧化、外延、蒸发；掺杂技术—扩散、离子注入；图形加工—制版、光刻（曝光、腐蚀）热处理——退火、烧结、去除光刻胶微电子制造工艺的主要内容衬底制备—单晶生长；晶片的切、磨、抛4简单NMOS和CMOS器件平面工艺简单NMOS和CMOS器件平面工艺5SimpleNMOSTechnologyNchannel4-mask1metallayerSimpleNMOSTechnologyNchanne6单晶硅掩膜版单晶硅掩膜版7第五讲IC工艺流程课件8Note!Note!9第五讲IC工艺流程课件100.55:0.450.55:0.4511第五讲IC工艺流程课件12第五讲IC工艺流程课件13第五讲IC工艺流程课件14第五讲IC工艺流程课件15第五讲IC工艺流程课件16第五讲IC工艺流程课件17noteselfalignmentnoteselfalignment18第五讲IC工艺流程课件19??20第五讲IC工艺流程课件21第五讲IC工艺流程课件22第五讲IC工艺流程课件23第五讲IC工艺流程课件24SimpleCMOSTechnology4-Metal12-Polysilicon3-Diffusions1-Tub(N-well)SimpleCMOSTechnology4-Meta25CMOSInvertercutlineCMOSInvertercutline26N-wellMaskN-wellMask27ActiveMaskActiveMask28PolyMaskPolyMask29N+SelectMaskN+SelectMask30P+SelectMaskP+SelectMask31ContactMaskContactMask32MetalMaskMetalMask33OtherCutawayViewsSiO2剖面图OtherCutawayViewsSiO2剖面图34第五讲IC工艺流程课件35

ULSI技术中较为典型的双阱CMOS工艺制造的CMOS集成电路的一部分

标准埋层双极集成电路工艺制造的集成电路的一部分

外延、氧化、扩散、离子注入、气相淀积、光刻腐蚀以及金属化等工艺总结一下：ULSI技术中较为典型的双阱CMOS工艺制造的CM36现代工艺概要现代工艺概要37双阱工艺氮化物双阱工艺氮化物38隔离槽技术STI（shallowtrenchisolation）USG：外层二氧化硅，防止吸潮，抗氧化氧化物平坦化槽刻蚀氧化物填充隔离槽技术STI（shallowtrenchisolat39SOI工艺埋层SiO2SOI工艺埋层SiO240多层技术化及焊球制备SOD：旋凃绝缘介质多层技术化及焊球制备SOD：旋凃绝缘介质41多芯片模组技术MCM多芯片模组技术MCM42当前热点SoC-SystemonaChip系统芯片技术MEMS-MicroElectroMechanicalSys