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文档简介

半导体制造工艺硅制造冶金级多晶硅石英矿和碳加热至2000℃，得到液态熔融硅冷却后形成由大量细小晶粒结合在一起的多晶硅SiO2

+

2C

Si

+

2CO半导体级多晶硅冶金级硅与HCl气体在高温和催化剂下反应，生成三氯硅烷SiHCl3三氯硅烷常温下为液态，经蒸馏提纯用氢气将纯净的三氯硅烷还原为多晶硅单质SiHCl3

+

H2

Si

+

3HCl3多晶硅制造Czochralski

(CZ)工艺晶体生长4晶体生长过程5硅锭单晶硅锭6晶圆制造工序切除硅锭两端锥形头打磨硅锭至合适直径确定晶向，打磨晶向标记平面切片，得到晶圆(Wafer)抛光倒角晶向晶圆表面方向决定了晶圆的很多特性不同切割方向暴露出的原子结构不同，形成电子器件的电学特性也不同晶圆制造7晶圆成品300mm晶圆和Pizza晶圆成品8硅晶圆的解理特征9光刻技术淀积和刻蚀大多数淀积和刻蚀工艺不具有选择性少数选择性工艺的速度太慢或成本过于高昂光刻复杂图形照相式的复制到晶圆表面所得版式可以用于选择性的阻挡淀积或刻蚀11光刻技术光刻胶一种光敏乳胶剂对一定波长的光非常敏感粘附于晶圆上形成均匀薄膜溶剂蒸发并烘烤后变硬便于处理正胶曝光的正胶在紫外线下分解，变得可溶未曝光的负胶在显影液中不可溶正胶使用更多负胶曝光的负胶在紫外线下聚合，变得不可溶未曝光的负胶在特定溶剂中可溶12光刻胶曝光简图曝光13显影剂由有机溶剂的混合物组成可溶解部分光刻胶显影显影剂溶解部分光刻胶，暴露出晶圆表面淀积或刻蚀只能影响到暴露的区域定影用更具腐蚀性的溶剂混合物剥除光刻胶或者在氧气氛围中采用反应离子刻蚀对光刻胶进行化学破坏光刻胶不能作为能够抵挡高温的掩模层14显影氧化物生长和去除二氧化硅的特性能够形成性能良好的二氧化硅可以通过在氧化气氛中简单加热生长能够抵抗大多数普通溶剂易溶于氢氟酸溶液极好的绝缘体氧化工艺干法：在纯净干燥的氧气中加热，速度缓慢，质量很高，用于器件湿法：在氧气混合水蒸气中加热，速度加快，质量降低，用于场氧化层

淀积：在非硅材料上形成二氧化硅，通过气态硅化合物和气态氧化剂反应值得，用于两层导体之间的绝缘层或保护层16二氧化硅和氧化工艺氧化炉简图17氧化物去除18湿法刻蚀使用稀释的氢氟酸溶液干法刻蚀反应离子刻蚀(RIE)等离子刻蚀化学气相刻蚀氧化物刻蚀19反应离子刻蚀20对晶圆表面形貌的影响21氧化分凝机制22杂质增强氧化效应23硅的局部氧化(LOCOS)24Kooi效应25扩散和离子注入扩散工艺27磷扩散工艺28横向扩散29改变扩散速率的机制30离子注入31自对准源漏区32硅淀积和刻蚀单晶硅在暴露的单晶硅表面，可以淀积单晶硅薄膜多晶硅在氧化物或氮化物薄膜上，将形成多晶硅34硅淀积低压化学气相淀积(LPCVD)外延35N型埋层(NBL)的形成掩埋层形成及外延36硅介质隔离37浅槽隔离38金属化单层金属系统40铝淀积41蒸铝的台阶覆盖42难熔阻挡金属(RBM)溅射43塞状钨通孔系统44硅化45现代金

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