电子行业深度报告：拐点已至存储先起

正文目录产复愈愈烈 6球导市逐回暖 6心导企业环比善回潮显心 10伟业大预，AI需持强劲 12存：产控成现，NandFlash格趋势续固 16周储格情 16周储业态 21封：比善先封装献能 24块气逐回升 24进装场速长 24台电CoWoS供应，重先封关环供应机遇 28RDL 34TSV 37时合解合 40Bumping底填混合合 42设零件国供商持突破 46消电：游端货逐企稳 48能机幅窄 48穿设在兴场潜巨大 49PC场和苏存压下降 50学司据比升，机始货 505G与AI融带新机遇 51风提示 52图表目录图表1:球导月销售及速况 6图表2:国导月销售及速况 7图表3:球导硅营收模 8图表4:球导硅出货8图表5:球导硅季度货积 8图表6:球导硅片ASP 8图表7:国湾8"及上12"（含以硅进口量增速 9图表8:国湾8"及上12"（含以硅进口额增速 9图表9:国湾12"上硅进数及速 10图表10:中台湾12"以上片口额增速 10图表11:全球15半体司2023二度情况三度引十美金） 11图表12:SW子块公司初来告票购明（2023.1.1-2023.8.19） 12图表13:英达度及同增速 13图表14:英达度率 13图表15:英达度分拆 13图表16:2022至英股价盘止2023/08/23，元） 15图表17:NandFlash收盘较周动览美元） 16图表18:3DTLCNand近2个现均（元） 16图表19:SLCNand近5月现均（元） 16图表20:近部品牌SSD产价变（元） 17图表21:eMMC产均美元） 17图表22:部分UFS产价（元） 17图表23:部分DDR产周现均一（元） 18图表24:DDR34GB现价（元） 18图表25:DDR3部产约均（元） 18图表26:DDR416GB现均价美） 19图表27:DDR4中容品现均（元） 19图表28:DDR416GB合均价美） 19图表29:DDR4中容品合均（元） 19图表30:DDR516GB现均价美） 20图表31:DDR5内条均价美） 20图表32:DDR516GB近3个月货价美） 20图表33:部分GDDR5&GDDR6近个现均（元） 21图表34:LPDDR均（元） 21图表35:部金顿DDR4产现（民:21图表36:DDR4RDIMM16GB3200MHz货价元） 21图表37:中台存出口自初来动不断长百新币） 22图表38:中台存造2023Q2环增长 22图表39:NandFlash表述 23图表40:台封板度营及速亿台） 24图表41:台封厂23Q2经情及季展（单：新币） 24图表42:全先封场规集增（美） 25图表43:2021-2027年球和国测先封占比 25图表44:2021/2027年同先封形占比 25图表45:2021-2027年同先封式CAGR25图表46:2020&202626图表47:202126图表48:202127图表49:中国封测公司先进封装占比............................................................27图表50:bumppitch（：um）.........................................28图表51:2015-2020CoWoSTOP50028图表52:台积电先进封装分类.................................................................29图表53:台积电后端先进封装主要应用领域......................................................29图表54:CoWoS30图表55:CoWoS30图表56:CoWoS-S531图表57:CoWoS-S31图表58:CoWoS-R32图表59:RDLC4/UF32图表60:CoWoS-L32图表61:2.5D/3DIC）33图表62:2.5D/3DIC（）.................................................33图表63:RDL34图表64:RDL35图表65:RDL35图表66:RDL36图表67:RDL36图表68:TSV37图表69:3+237图表70:TSV338图表71:TSV38图表72:TSV38图表73:TSV39图表74:SUSS/40图表75:“MorethanMoore”相关的键合设备市场规模.............................................41图表76:TSV41图表77:超薄晶圆支撑与保护技术..............................................................41图表78:Bumping42图表79:Microbump42图表80:常见的倒装芯片组装方式..............................................................43图表81:TCB44图表82:底部填充料分类.....................................................................44图表83:CUFNCF45图表84:TSV45图表85:SoIC45图表86:异质键合流程.......................................................................45图表87:202346图表88:202347图表89:202347图表90:全球智能手机出货量预测（出货量：百万台）............................................48图表91:Q248图表92:Q249图表93:全可戴设备场2023Q1场额 49图表94:全球PC货量 50图表95:台光板度营及速亿台） 51图表96:台股CMOS板月度收增（新币） 51图表97:小手端AI大模型 51图表98:智助小备AI大型力 52产业复苏愈演愈烈球导销共约1245亿金相于2022Q2比降17.3，相较于2023Q1环增长4.7其中2023年6月球半体售额约415金，于5月407金环增约1.9，根据SIA统数我现：自2023年3月起，全球半导体销售额环比连续4个月为正，且环比增长幅度也由3月0.3升至6月1.9们为过数据映自2023年度图表1:全球半导体月度销售额及增速情况SIA，中国半导体市场回暖速度快于全球。中国市场方面，根据SIA数据，中国市场2023Q2导销额约356美，比降约28.4环升5.62023年6月国导销售约123美下降24.4环升3.2。对比机测的球据，2023Q2中半体场销额比速5.6全球比速4.7，止2023年6月国导售额续4月比，图表2:中国半导体月度销售额及增速情况SIA，20222023Q2SEMI147.13美创高别同长3.9球片012年的0.3122214.13C5.02019201220221384.7ASP0.94SEMI，2023Q233.3110.12.0SEMI5G812AI图表3:全球导硅营规模 图表4:全球导硅出面积806040200

35%30%25%20%15%10%5%0%-5%-10%-15%-20%

806040200

20%15%10%5%0%-5%-10%全球半导体硅片营收规模（亿美元）YoY（右轴）

全球半导体硅片出货面积（亿平方英寸）YoY（右轴）SEMI SEMI图表5:全球导硅季出面积 图表6:全球导片ASP3837363534333231302022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q2

4%2%0%-2%-4%-6%-8%-10%

1.00.80.60.40.20.0

25%20%15%10%5%0%-5%-10%-15%-20%全球半导体硅片季度出货面积（亿平方英寸）QoQ（右轴）

ASP（美元/平方英寸） YoY（右轴）SEMI SEMI812820237106.463445637245.07211.1寸和12寸硅片的月度进口数据明显回暖，表明半导体行业景气度正在复苏。图表7812"（不含80604020Jan-19Jan-19Jul-19Jan-20Jul-20Nov-20Jan-21Jul-21Nov-21Jan-22Jul-22Nov-22Jan-23Jul-23

60%50%40%30%20%10%0%-10%-20%-30%-40%-50%8"及以上12"（不含）以下硅片进口数量（万片） MoM（右轴）资料来源：中国台湾海关，方正证券研究所图表8:中国台湾8"及以上12"（不含）以下硅片进口金额及增速80 60%70 50%60 50 400%30 -10%20 -20%-30%10 -40%Jan-19Jan-19Jul-19Jan-20Jul-20Nov-20Jan-21Jul-21Nov-21Jan-22Jul-22Nov-22Jan-23Jul-238"及以上12"（不含）以下硅片进口金额（百万美元） MoM（右轴）资料来源：中国台湾海关，方正证券研究所图表91250Jan-19Jan-19Jul-19Nov-19Jan-20Jul-20Jan-21Jul-21Nov-21Jan-22Jul-22Nov-22Jan-23Jul-23

40%30%20%10%0%-10%-20%-30%12"及以上硅片进口数量（万片） MoM（右轴）资料来源：中国台湾海关，方正证券研究所图表10:1250Jan-19Jan-19Jul-19Nov-19Jan-20Jul-20Nov-20Jan-21Jul-21Nov-21Jan-22Jul-22Nov-22Jan-23Jul-23

50%40%30%20%10%0%-10%-20%-30%12"及以上硅片进口金额（百万美元） MoM（右轴）资料来源：中国台湾海关，方正证券研究所SemiconductorIntelligence152023Q22（高环滑10,凌环滑0.7时据最指情1592023Q3，比幅由0.4到6.4不。们为目前数球导公呈公司 2023Q2（十亿美金） 2023Q2环比（） 2023Q3指引（环比，）图表11:全球15半体司2023年季收情及季度引十美，）公司 2023Q2（十亿美金） 2023Q2环比（） 2023Q3指引（环比，）英特尔12.9113.50三星SC11.27.30不适用英伟达11.0（指引值）53（指引值）不适用博通8.85（指引值）1.30（指引值）不适用高通7.17-100.40SK海力士5.5539不适用AMD5.360.106.40TI4.533.500.40英飞凌4.46-0.70-2.20意法半导体4.331.901.20美光3.751.603.90恩智浦3.305.703.10ADI3.260.40-5.00联发科3.201.704.80瑞萨2.682.500.40数据来源：SemiconductorIntelligence，爱集微，方正证券研究所；注：英伟达、博通二季度业绩为指引值，SW63238187061000本例为0.6其中2的进度到月5106也公告预计回购462万股，但最新的回购数量已经超过预计值来到528万股，已55.3，TCL，方正证券研究所；注：最新市值的截止收盘日为2023.8.18AIFY24Q2(CY23Q2)业绩：⚫ 收入13.1FY24Q2（10.-122，oy+01，超彭一期（110.4亿元）GAAP61.9yoy+843，qoq+203；Non-GAAP67.4美元，yoy+422，qoq+1482.48，70.1FY242（681-9.yoy26.pctqoq.5pct与博致预26.6FY24Q2（27.1，oy+0qoq6⚫ 2.70，71.2超出Y2429.5-70.5，oy+5.3ctqoq+44pt18.4FY24Q219.0yoy+5，qoq+5图表13:英伟季营及比速 图表14:英伟季利率0

120 80100 7080 6060 5040 403020 200 10CY24Q2(20) CY24Q2CY20Q1CY20Q2CY20Q3CY20Q4CY21Q1CY21Q2CY21Q3CY21Q4CY22Q1CY22Q2CY22Q3CY22Q4CY23Q1CY23Q2CY23Q3CY23Q4CY24Q1CY24Q2(40)CY20Q1CY20Q2CY20Q3CY20Q4CY21Q1CY21Q2CY21Q3CY21Q4CY22Q1CY22Q2CY22Q3CY22Q4CY23Q1CY23Q2CY23Q3CY23Q4CY24Q1CY24Q2营收（美元） YoY（%）

毛利率(%) 净利率(%)FY24Q2(CY23Q2)分业务业绩：⚫ 103.2yoy+171，qoq+14176（80）24.9预期（24）3.79yoy-24，qoq+282（3）2.53yoy+15，qoq-15（3）OEM&0.66,（1）图表15:英伟达季度营收分拆100%80%60%40%20%0%CY21Q1CY21Q2CY21Q3CY21Q4CY22Q1CY22Q2CY22Q3CY22Q4CY23Q1CY23Q2CY23Q3CY23Q4CY24Q1CY24Q2游戏 专业可视化 自动驾驶 其他 数据中心分业务亮点：数据中心：AIHPCNVIDIA®GH200Grace™Hopper™超HBM3e2024NVIDIAL40SGPUNVIDIAMGX™AI、HPC100NVIDIASpectrum-X™AINVIDIARTX™AmazonWebServices、MicrosoftAzureNVIDIAH100TensorCoreGPUNVIDIAAIWorkbenchPCAI游戏：GeForceRTX™4060GPU299NVDIAvatrCoudEngin（A模型铸造服务，使用AI添加了35款DLSS游戏，包括《DiabloIVRatchet&Clank：RiftApartBaldur'sGate3F123Portal:PreludeRTX》专业可视化AdaLovelaceRTXGPU（NVIDIARTX5000RTX500和TX00ANVIDIAOmniverse与PixarAdobeApple和AutodeskOpenUSD汽车与自动驾驶NVIDIADRIVEOrin™G6CoupeSUVOEMAI和图形的全新NVIDIAGPU芯片IPFY24Q3(CY23Q3)业绩指引：56.-13.2160yo+17.2qo+455GAAP利指区为71.072.NonGAAP毛利指区为72.-73.0GAP295NonGAAP.0亿美。GAP和No-GAP税指区为13.-15.5，见证万亿芯片公司，回顾英伟达近三年发展历程：20202020202020209400Arm20212021Omniverse20222022GPU2023OpenAIGPT-3.5GPU202352023202382023绩再超预期，2023Q2单季度营业收入实现135.1亿美金，超出上季度指引（107.8~112.2亿美金单季度毛利率达到70.1，超出上季度指引图表16:2022至今英伟达股价复盘（截止2023/08/23，美元），谷歌财经，英伟达官网，方正电子绘制，方正证券研究所存储：减产&控价成效显现，NandFlashNandFlash：大宗商品高容量价格持续上扬，中低容量稳中有升。TLC3D62.103D7（7.3）0.434.433D710.300.10.48。NandFlash：利基低容量产品价格跌幅仍在，高容量产品跌幅相对少。SLCNand4Gb0.011.10；16Gb7.497（7.3）SLCNand1GB/2GB/4GB/8GB/16GB为5.0/1.2，大量SLCNand品格对加图表17:NandFlash本周收盘价较上周变动一览（美元）日期3DTLCSLC256Gb512Gb1Tb1Gb2Gb4Gb8Gb16Gb上周2.104.4310.250.830.801.362.757.49本周2.104.4310.300.820.791.352.757.49涨跌幅0.00%0.05%0.49%-0.73%-0.50%-1.10%-0.33%0.00%DRAMexchange，方正证券研究所（现货价格精确至小数点后两位）图表18:3DTLCNand近2月货均（元） 图表19:SLCNand近5个现价（元）DRAMexchange DRAMexchangeSSDPCIE3.0:970EVO+:1024GB:M.2产品幅对达6.6其产近个跌均控在分SSDSATA3:A400:240GB:2.5inchSSD2023Q3图表20:近期部分品牌SSD产品价格变动（美元）产品型号2023-07-142023-07-282023-08-14近半月涨跌幅WD:PCIE3.0:WDBlack:250GB:M.275.4581.1980.71-0.6%WD:PCIE3.0:WDBlack:500GB:M.298.5393.6789.91-4.0%Samsung:PCIE3.0:970EVO+:500GB:M.254.8055.4255.26-0.3%Samsung:PCIE3.0:970EVO+:1024GB:M.283.9878.7373.52-6.6%Samsung:PCIE4.0:980PRO:1024GB:M.2109.5097.3196.91-0.4%Kingston:SATA3:A400:240GB:2.5inch30.4929.5530.603.6%Kingston:SATA3:A400:480GB:2.5inch43.4542.4241.60-1.9%Kingston:SATA3:KC600:512GB:2.5inch95.8570.7868.62-3.1%DRAMexchange，方正证券研究所（注：收盘均价精确至小数点后两位）eMMCUFSeMMCeMMC64Gb128Gb0.05UFS2023620128Gb4.70256Gb9.02023H2UFS4.0，UFS图表21:eMMC产均（元） 图表22:部分UFS品价美）资料来源：中国闪存市场，方正证券研究所 资料来源：中国闪存市场，方正证券研究所DRAMDDR（8.14-8.18）DDR34Gb512Mx8eTT上收均幅0.8；DDR516G(2Gx8)4800/5600产跌靠较上周盘幅2.6存条品格势现其中顿DDR48GB3200型号产现均较周盘均涨6元涨达5.8们为存价格图表23:部分DDR产品本周现货均价一览（美元）产品型号上周收盘均价本周收盘均价涨跌幅DDR32Gb128Mx161600/18660.880.88-0.6%DDR32Gb256Mx81600/18660.950.95-0.2%DDR34Gb256Mx161600/18660.930.930.0%DDR34Gb512Mx8eTT0.240.240.8%DDR34Gb512Mx81600MHz0.970.97-0.5%DDR44Gb512Mx8eTT0.470.46-1.7%DDR48Gb(1Gx8)32001.441.43-1.0%DDR48Gb(1Gx8)eTT1.021.030.4%DDR48Gb(1Gx8)2666Mbps1.461.46-0.2%DDR416Gb(2Gx8)2666Mbps2.942.88-2.0%DDR416Gb(2Gx8)32002.972.92-1.4%DDR416Gb(1Gx16)32002.952.93-0.5%DDR516G(2Gx8)4800/56003.993.88-2.6%内存条KingstonDDR34GB160040.0040.000.0%内存条KingstonDDR38GB1600132.00132.000.0%内存条KingstonDDR48GB3200104.00110.005.8%内存条KingstonDDR416GB3200194.00198.002.1%内存条KingstonDDR58G4800160.00160.000.0%DRAMexchange，方正证券研究所（注：收盘均价精确至小数点后两位）DDR3：现货价格已企稳，合约价格跌幅明显收敛。DDR34GB现货均价8（8.1）4Gb512Mx81600MHz0.97DDR34Gb512Mx8eTT1600/18660.01合约均价DDR3/4GB/256Mx16产品例023年1-6月跌幅别为10.7/.80/7.69/7.0/.70/2.，跌幅已明显收敛。图表24:DDR34GB现均（） 图表25:DDR3部产合均美元） DRAMexchange DRAMexchangeDDR4中低容量产品现价跌幅已收敛，高容量产品现价仍有下跌。DDR4DDR416GB（2GB×8）2666Mbps，8188140.05（8.1）0.092.87DDR456DDR416Gb2Gbx8价4-6月幅为19.20/3.30/2.73。DDR48Gb(1Gx8)2666Mbps1.46（8.1）0.01DDR46著收敛。以DDR48Gb1Gbx8产品为例，合约均价4-6月跌幅分别为/2.86DDR4中低容量产品现价已本企稳。图表26:DDR416GB现均（元） 图表27:DDR4中容产现价（元）DRAMexchange DRAMexchange图表28:DDR416GB合均（元） 图表29:DDR4中容产合价（元）DRAMexchange DRAMexchangeDDR5价格将随着原厂产能缩减及低价DDR4库存清理逐步企稳回升。DDR516GBDDR516G(2Gx8)4800/56000.072.6138.64DDR546已显著收敛，以DDR58GBU-DIMM内存条为例，合约均价4-6月跌幅分别为/2.24。2023DDRDDRDD4DD5图表30:DDR516GB现均（元） 图表31:DDR5内条约价元）DRAMexchange DRAMexchange图表32:DDR516GB近3个月现货均价（美元）DRAMexchangeGDDRLPDDR2023Q3GDDRGDDR58Gb0.03GDDR68Gb16Gb0.01/0.013GDDR58Gb为例现均涨0.33美元涨达10.77LPDDR产自7多产现LPDDR4X32Gb6.10美元。图表33:部分GDDR5&GDDR6三月现均（元） 图表34:LPDDR均（元）DRAMexchange 资料来源：中国闪存市场，方正证券研究所DDR48GB3200（8.11）5.8(8.1)低点格103元涨6.8。金顿DDR416GB3200产亦有2.1的格涨自八初(8.1)低价格192元上涨3.13服器市内条格续迷，877310.82.17202235美元,跌幅达49.3。图表35:部分顿DDR4品（人币元） 图表36:DDR4RDIMM16GB3200MHz现均（元） DRAMexchange DRAMexchange2.2本周存储行业动态2023Q2台湾省存储进出口值2023Q2环比提升明显，其中7月份台湾省DRAM出口额322.93202312.852023Q2省存器造达428亿元环比+5.40现自2021Q4来首正；跌较2023Q1显窄。图表37:中国台湾存储进出口值自年初以来波动中不断增长（百万新台币）60,00050,00040,00030,00020,00010,0000动态随机存取存储器中国台湾:出口金额:新台币:集成电路:动态随机存取存储器wind图表38:2023Q29008007006005004003002001002018-032018-062018-032018-062018-092018-122019-032019-062019-092019-122020-032020-062020-092020-122021-032021-062021-092021-122022-032022-062022-092022-122023-032023-06

806040200产值:IC制造业:存储器制造:中国台湾:当季值（亿新台币）产值:IC制造业:存储器制造:中国台湾:当季同比（%）产值:IC制造业:存储器制造:中国台湾:环比（%）wind⚫原厂减产配合控价，2023H2NandFlash拐点已至。NANDFlashwaferwafer10SK2023Q316NAND22~2320V-NAND1.68NANDNANDFlashWafer我们预计随着2023H2国内手机品牌开始陆续推出新品、PC需求复苏以及iPhone15Flash图表39:NandFlash减产表述厂商表述三星2023H2继续削减NANDFlash为核心的存储产量，同时三星电子将暂停韩国平泽园区第一工厂（P1）部分NANDFlash生产。SK海力士2023H2再减少NANDFlash产量5~10。美光减少NANDFlash晶圆入数从25扩到30。铠侠2022Q430202350年内延期至2024年以后，厂房设备交付也被推迟。资料来源：闪德资讯，方正电子绘制，方正证券研究所300NAND（double-stack）势。20243003DNand1763DNand300mm3DNand3009V-Nand202210“2022Nand2030Nand1000此前，SK20253213DNand，SK（trplesta2011013Dan，SK24GBLPDDR5X。SKLPDDR5X24GB202211LPDDR5X24GBDRAMAce2ProHKMG(High-KMetalGateLPDDR5X24GBF-RAMEDREXCELONF-RAM1Mbit4Mbit储存容量的新型F-RAM1MbitEXCELONF-RAMSPIQuadSPI50MHz108MHz1.8V8SOICF-RAM100封测：环比改善，先进封装贡献动能台股封测板块月度营收连续3月环比改善。我们选取了台股封测板块的日月光、107666.052023年5-6月收比为+5.8经续个图表40:台股封测板块月度营收及增速（亿新台币）1,0000封测 封测mom

20%15%10%5%0%-5%-10%-15%-20%23Q223Q2图表41:台股封测厂23Q2经营情况及三季度展望（单位：亿新台币）23Q2营收营收QoQ日月光752.56+4.023Q2营收营收QoQ日月光752.56+4.0+1.1pcts23Q3营收QoQ+4-9，毛利率提升0.75-1pct南茂54.44+18.2+4.9pcts营收逐季回升，DDIC高端测试机台稼动率持续上升京元81.67+5.2+0.4pct-力成172.18+9.4+0.7pct23Q3营收环比保持增长，主要来自存储急单资料来源：各公司官网，方正证券研究所3.2先进封装市场高速成长20213212027572CAGR10.11Yole，2022进封占球装场份额为47.20计2025占将近于50202238，2014图表42:全球进装场模及增（美） 图表43:2021-2027年球中封测先封占比

2014201520162017201820192020202120222023中国先进封装占比 全球先进封装占比Yole, 资料来源：集微咨询,倒装为目前主流，2.5D/3D2021FCBGAFCCSP和19765025D/3D0212052.5D/3D2021-2027年CAGR14.34AI、HPC、HBM图表44:2021/2027年同进装形占比 图表45:2021-2027年同进装式CAGR100%80%60%40%20%0%

2021SiP FCCSP2.5D/3D WLCSP

2027FCBGAFO

SiPFOFCCSP

0% 5% 10% 15% 20%Yole, Yole,HPCHPCAI2022只到20的据心用2.5D装，在2027年这例503DHBMCPUGPU5G/6G图表46:2020&2026年先进封装下游应用占比100%80%60%40%20%0%2020 2026工业 汽车 手机 网络 消费 HPCYole，McKinsey2021ASE26102021CR52016CR548，528图表47:2021年先进封装市场市占率18%

26%6%8%10%

16%

16%ASE Amkor TSMC JCET Samsung Intel 其他YoleFab/IDMOSATFab/IDM3DOSATFab/IDMSi-interposer2.5D3D3D46InFO33OSATFCBGAFCCSPASE3829282831。图表48:2021年头部厂商封装类型一览资料来源：各公司官网，方正证券研究所SiP1002.5D/3D图表49:中国封测公司先进封装占比先进封装占比主要封装技术甬矽电子100FCCSP,FCBGA,FC,SIP,BGA,QFN,MEMS通富微电75Bumping,WLCSP,FC,BGA,SiP,QFN,QFP,SO,MEMS，2.5D/3D华天科技70DIP,SOP,SIP,CSP,WLP/WLCSP,2.5D/3D(TSV)长电科技65Wirebonding,QFN到WLP,FCBGA,2.5D/3D智路联合体>50Bumping,WLCSP,FC,BGA,SiP,QFN,QFP,SO,MEMS气派科技25MEMS,FC,CPC,SOP,SOT,LQFP,QFN/DFN,CDFN/CQFN,DIP华宇电子15SOP,DFN/QFN,LQFP,SOT,TO,LGA华润微10FC,PLP,IPM,MEMS利普芯<5DIP,SOP,SOT,TSSOP,QSOP,TSOT,TO,DFN,QFN,HSOL,LQFP蓝箭电子<5SOT,TO,SOP资料来源：集微咨询，公司公告，方正证券研究所凸点间距（BumpPitch）BumpPitch3DFabric3DSoIC、InFO、CoWoSSoICbumpPitchBumpPitch3DSoICFoverosDirectbumppitchInFO_LSI。图表50:头部厂商封装技术bumppitch对比（单位：um）IDTechEXCoWoSHPCCoWoSCoWoS-S/R/L，HBMNECAMDHabanaCoWoS2020CoWoS-S50050图表51:2015-2020年采用CoWoS方案的TOP500超级计算机占比不断提升《WaferLevelSystemIntegrationoftheFifthGenerationCoWoS®-SwithHighPerformanceSiInterposerat2500mm²》CoWoS2XHPCAICPU、GPUAIASIC，AI50CoWoS2024年底，CoWoS3DFabric20113DFabricSoICCoWoSInFOSoICCoWoSInFOInFOpolyamidefilmCoWoSCoWoSCoWoSAI/HPC图表52:台积先封分类 图表53:台积后先封主应用域资料来源：台积电，方正证券研究所 YoleCoWoSCoWoSCoWTSV、Siinterposer（ieubupoSC4CoWS（FTCoWoS图表54:台积电CoWoS工艺流程XilinxCoWoSCoWoSCoWoS-SCoWoS-RCoWoS-LHBMCoWoS-SCoWoS-RInFOCoWoS-LCoWoS-SInFOLSI（RDLNEC、AMDCoWoS图表55:台积电CoWoS技术Yole，台积电，方正证券研究所CoWoS-SChip-on-Wafer-on-SubstratewithSi-interposer基TSV的多芯片集成技术HPC(AISoCChiplet3D~830mm²)(~1700mm²HPC/AICoWoS-S56CoWoSFPGACoWoS-11200mm²TSMC1,700mm²CoWoS-XL2CoWoS-SHBM33(2500mm²/HBMCoWoS202CoWoS-S2023图表56:CoWoS-S年经了5次迭代 图表57:CoWoS-S集的体数量断升资料来源：台积电，方正证券研究所

WaferLevelSystemIntegrationoftheFifthGenerationCoWoS®-SwithHighPerformanceSiInterposerat2500mm2CoWoS-RInFORDLSoCCoWoS-RCoWoS-SCoWoS-RRDLTSVRDLRDL64um2um/间距)的布线，以提供良好的信号和电气性能。图表58:CoWoS-R构图 图表59:RDL和C4/UF间冲果良好资料来源：台积电，方正证券研究所 资料来源：台积电，方正证券研究所CoWoS-LCoWoSCoWoS-SInFOLSI(die-to-dieRDL1.5X图表60:CoWoS-L示意图资料来源：台积电，方正证券研究所distributedSiliconBumping（晶圆RDLXYTSVZ，BumpingRDLTSV图表61:典型的2.5D/3DIC封装工艺流程（芯片放在中介层晶圆上，中介层放在封装基板上）资料来源：《RedistributionLayers(RDLs)for2.5D/3DICIntegration》，方正证券研究所图表62:典型的2.5D/3DIC封装供应商（部分）Yole，台积电，方正证券研究所RDLRDLRDLI/OI/ORDL图表63:RDL重布线层资料来源：《集成电路系统级封装》，方正证券研究所2.5D/3DRDL2.5DICCoWoS-SRDLTIV（ThroughinterposerVia）3DRDLIO，RDLRDLL/SRDLRDL/（Line/Space，L/S）的需求。图表64:电镀法RDL工艺流程RedistributionLayers(RDLsfor2.5D/3DICIntegration图表65:电镀法RDL工艺步骤资料来源：《RedistributionLayers(RDLs)for2.5D/3DICIntegration》，方正证券研究所图表66:铜大马士革工艺RDL工艺流程RedistributionLayers(RDLsfor2.5D/3DICIntegration图表67:铜大马士革工艺RDL工艺步骤资料来源：《RedistributionLayers(RDLs)for2.5D/3DICIntegration》，方正证券研究所TSVTSV2.5D/3D2.5DDRAMCPUSoC2.5DMicroBump（BumpTSVTSV3D图表68:芯上TSV示图 图表69:硅转板3+2资料来源：电子元件交易网，方正证券研究所 资料来源：电子元件交易网，方正证券研究所依据TSV通孔生成的阶段TSV工艺可以分为：1）Via-First；2）Via-Middle；Via-Last。Via-FirstTSVsFEOLVia-FirstVia-MiddleTSVsFEOL，BEOL（工艺由于晶圆厂在设备能力方面具备优势，晶圆厂通常也会制造，但也有部分OSATVia-MiddleTSVTSVTSVsBEOL晶圆正面）BacksideVia-LastMEMS图表70:TSV3资料来源：知乎，方正证券研究所TSV工艺主要包括深硅刻蚀形成微孔，再进行绝缘层、阻挡层、种子层的沉积，深孔填充，退火，CMP减薄，Pad的制备叠加等工艺技术。图表71:TSV艺程 图表72:TSV要艺程意图RedistributionLayers(RDLsfor2.5D/3DICIntegration

资料来源：《高密度2.5DTSV转接板关键技术研究》，方正图表73:TSV工艺步骤工艺设备&材料TSV（DeepReactiveIonEtching，DRIE）Bosch（ReactiveIonEtching，RIE）工艺采用物理轰击和化学反应双重作用刻蚀，BoschTSV各向异性，保证TSV通孔垂直度。深硅刻蚀需要的设备是感应耦合高密度等离子体干法刻（InductivelyCoupledPlasmaBosch氟基气体球供应商包括法液空、默克、林德等。TSVTSVTSVTSV2.5DTSVTSVTSVTSVTSV面以达到良好的绝缘性能。TSVPECVD、SACVDALDKL（2019年收购Orbotech，Orbotech2014SPTS，SPTSCVD）应用材料等供应商技术领先，国内拓荆科技等公司在这一领域进展亮眼。沉积阻挡层/种子层：2.5DTSVTSVTSVTSV/Ti、Ta、TiN、TaNTSVTSVTSV同样在先PVD北方华创实力，国内份额不断提升。3D镀液的主要作用是为硅通孔的电镀填充提供充足的铜离子和良好的电镀环境，加入添加剂可以改善硅通孔的电镀质量。目前海外主要承科技CMP（TSVCMPTSV/TSVTSV面的电信号连接。Ebara华海清科CMP2023512Versatile-GP300（集成设备CMPFujiFilmCMPTSV、FOWLPCMP加，进而提高CMP耗材需求。资料来源：《集成电路系统级封装》，方正证券研究所晶圆减薄：viafirstviamiddleTSVlastBoschTSV100μm25μmCMP合（TmpoaryBoning工//临时键合/解键合常见工艺流程：在临时载板或功能晶圆上通过压合、粘贴或旋涂等方法制造一层键合黏接剂，然后翻转功能晶圆，使其正面与临时载板对准，RDLEVGroupSUSSMicroTec国内芯源微临时键合机、解键合机产品进展顺利，已陆续实现了多家下游客户的导入。图表74:SUSS标准临时键合/解键合工艺流程示意图Yole，20201720272820201.13美金计2027将至1.76美，SUSS全球据导位。图表75:“MorethanMoore”的键设市规模 图表76:TSV要艺程意图Yole， SUSSBrewerSciencesWaferBondZoneBond3MLTHCDuPontHD-3000ThinMaterialsT-MATDowCorningWL（TOK）的ZeroNewton系列产品和DowChemical的Cyclotene图表77:超薄晶圆支撑与保护技术BumpingTCBI/O21图表78:Bumping技术发展历程资料来源：陶氏化学，方正证券研究所图表79:典型的Microbump制造流程semiconductorengineeringFC，CTE图表80:常见的倒装芯片组装方式资料来源：《StatusandOutlooksofFlipChipTechnology》，方正证券研究所C4/C250（1（2在C4（C4最小可以做到50微米。C2（）C4C4C225C2TCB：C2C2TCB8C2TCBNCPNCPTCBTCBASMPacific、库力索法（K&S）以及Besi等。图表81:TCB工艺流程资料来源：艾邦半导体，方正证券研究所1）（apilryUnerflCUFMldedUnerfl，MU（NonConuctveast，（Non-ConductiveNCP/NCF图表82:底部填充料分类资料来源：《集成电路先进封装材料》，方正证券研究所CPHenelNmicNags（HitchihemialPnasnic。NFNttoDen（Smitm图表83:CUF艺圆级NCF艺对比 图表84:TSV要艺程意图资料来源《集成电路先进封装材料，方正证券研究所 资料来源《集成电路先进封装材料，方正证券研究所HybridBonding3D10~20umHybridBondingbump10HybridBonding丢失率几乎可以忽略不计，在高吞吐量，高性能计算领域优势显著。混合键合（HybidBonin）DBI（iretondIneconnet，Sony2016CISSamsungGalaxyS7SoICFC图表85:台电SoIC势 图表86:异质合Matek， Matek，（W2W）BEOL（SiONSiCNCMPCMP（SAM）H