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文档简介

半导体及二极管错硅错硅N型半导体P型半导体PN结的形成多数载流子的扩散运动结加正向电压(导通)变宽NPNPR加反向电压外电场方向(截止)十N型硅底座外壳触丝N型硅底座(a)(b)二极管的伏安特性二极管的主要参数(1)最大整流电流I(2)反向击穿电压VR(3)反向电流IR(1)二极管正向V-I特性的建模(2)模型分析法应用举例1)静态工作情况分析2)限幅电路3)开关电路4)低电压稳压电路齐纳二极管半导体三极管及放大电路基础1.半导体三极管(晶体管)QCN集电区集电结发射区oe发射极C集电极9CP集电区集电结N基极基极发射结P发射区ee发射极线线(1)电流放大系数β,β(1)静态分析(2)动态分析4NE20Q50M截止区晶体管的H参数小信

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