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文档简介

半导体物理CMOS门电路

2半导体物理CMOS门电路CMOS门电路的特点:CMOS反相器（串联互补）、CMOS传输门（并联互补）是CMOS集成电路的基本组件。①制作工艺简单，集成度高；②工作电源允许的变化范围大，功耗低；③输入阻抗高，扇出系数大；④抗干扰能力强。3输入负载特性①当uI时，T5截止

T2截止或T2导通，但忽略其分流作用，因其处于放大状态。②当uI时，T5导通，箝位于③稳定输出高电平，则RI

0.91①④稳定输出低电平，则RI

2.5（此时uI=1.4V）4⑤&“1”直流5V档内阻20K5⑥多余输入端的处理与信号端并接；经一个电阻（大于1）接电源正极；接地。悬空引脚为左右5(4)输出特性①拉电流负载②灌电流负载驱动门负载门&UOHiL&G1G2&UOL&IG驱动门负载门6③扇入系数：NI④扇出系数：NO从输出特性曲线能看出允许的最大拉电流和灌电流。（如高电平≥2.4V;低电平≤0.4V）通常NO≥8。和中较小的一个。7(5)动态特性①传输延迟tPHLtPLHuIuO图3.2.11TTL与非门的传输延迟&uIuO854/74系列，10ns左右1u0uI已知tpd=10nsuI/Vt3.40.20.1nsu0/Vt3.40.29Vcc与地间接退耦电容以消除尖峰电流带来的电路间的串扰。②动态尖峰电流uIOtticcOICCHICCL图3.2.12动态尖峰电流10表3.2.1不同系列TTL门电路的性能比较参数名称TTL门电路系列名称54/7454H/74H54S/74S54LS/74LStpd(ns)106410功耗/每门(mW)1022.5202pd(ns·mW)100135802011一、CMOS反相器1.电路结构NMOS、PMOS管串联互补。开启电压分别为UTN、UTP

，为正常工作，要求：VDD>UTP+UTN2.工作原理3.电压传输特性和电流转移特性12

静态参数②③噪声容限①UOL=0V，UOH=VDD

（电压利用率高）在CC4000系列

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