高二物理竞赛课件MOSFET基本共源极放大电路

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MOSFET基本共源极放大电路MOSFET基本共源极放大电路基本共源极放大电路的组成基本共源放大电路的工作原理放大电路的习惯画法和主要分析法基本共源极放大电路的组成1.如何让MOS管工作在饱和区？元件作用VGG：提供栅源电压使vGS>

VTNVDD和Rd：

提供合适的漏源电压，使

vDS>

vGS

VTNRd还兼有将电流转换成电压的作用（VGG

>>vi）通常称VGG和VDD为三极管的工作电源，vi为信号。P沟道MOSFET#

衬底是什么类型的半导体材料？#

哪个符号是增强型的？#

在增强型的P沟道MOSFET中，vGS应加什么极性的电压才能工作在饱和区（线性放大区）？P沟道MOSFET#

是增强型还是耗尽型特性曲线？#

耗尽型特性曲线是怎样的？vGS加什么极性的电压能使管子工作在饱和区（线性放大区）？电流均以流入漏极的方向为正！沟道长度调制等几种效应实际上饱和区的曲线并不是平坦的（N沟道为例）（调制参数）L的单位为m当不考虑沟道调制效应时，＝0，曲线是平坦的。

修正后VA称为厄雷（Early）电压1.沟道长度调制效应沟道长度调制等几种效应

衬底未与源极并接时，衬底与源极间的偏压vBS将影响实际的开启（夹断）电压和转移特性。2.衬底调制效应（体效应）3.温度效应4.击穿效应4.1.5MOSFET的主要参数（N沟道增强和耗尽介绍）一、直流参数1.开启电压VT

（增强型参数）2.夹断电压VP

（耗尽型参数）栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。当VGS=VP时,漏极电流为零。4.1.5MOSFET的主要参数一、直流参数3.饱和漏电流IDSS

（耗尽型参数）4.直流输入电阻RGS

（109Ω～1015Ω

）耗尽型场效应三极管,当VGS=0时所对应的漏极电流。结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω；绝缘栅型场效应三极管,RGS约是109～1015Ω。4.1.5MOSFET的主要参数所以1.输出电阻rds

当不考虑沟道调制效应时，＝0，rds→∞

实际中，rds一般在几十千欧到几百千欧之间。二、交流参数对于增强型NMOS管有4.1.5MOSFET的主要参数2.低频互导gm

二、交流参数则其中又因为所以NMOS增强型4.1.5MOSFET的主要参数三、极限参数1.最大漏极电流IDM

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