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文档简介

〔〕磁控溅射技术王怡德F=QVB,真空度太高,自由分子太少,电离后缺乏以形成等离子体,真空度太低,分子自由程太小,也不利于等离子体的维持.我在做射频清洗的试验时也遇到过高真空起辉而低真空灭辉或匹配不好的状况,后来证明是射频电源的接地处理上消灭了问题,经修正后这种状况就没有了.充气流量越大,辉光就越猛烈,直到知道气压超过肯定压力JGP350型磁控溅射镀膜机制备，真空抽气系统由机械泵〔前级泵〕和分子泵〔主泵〕组成，极限真空度可达2.0×10-4Pa。溅射系统配有三个立式靶，其中两个接射频阴极，另一个接直流阴极F的溅射功率可在0～200W0～2023V3衬底加热，使得衬底温度在室温与400℃之间可调。靶和衬底间距为5cm。由于靶材CdTe和ZnTe陶瓷靶的电导率较低，所以承受射频溅射模式。工作气体为氩气。磁控溅射所用靶99.999%ZnTeCdTe100mm6mm。沉积薄膜用的衬底均为一般玻璃，衬底厚1mm2.5×6cm。射频溅射时，承受高频射频电源，分别将靶材和真空室的其他局部耦合在电源的两极，衬底处于靶材对应的位置，与靶材间距为5cm，射频磁控溅射时放电的过程〔工作气体为r气：〕无光放电翻开射频电源及电流显示器，即会有十毫安以下以下的电流显示。这时真空室中一般会有ArArAr正离子的状态存在。并维持微弱的电流。然后随着电压的增加，电流会渐渐增加。当两极加上电压后，电子和Ar+7e-8s，正离子的浓度来不及转变，电子的质量很小，速度快，可以在电压方向转变的半个周期内形成电流。上升电压，电子加速获得较大动能，碰撞Ar气分子时，使之电离。增加了正离子和电子的浓度，进一步导致电流增加。2〕辉光放电区当电压连续上升，电流连续增大；电压上升到500V四周时，到达临界点，产生辉光，同时电流根本不变，电压随之降低。这一阶段中，电压增大到肯定的值，正离子在较大的电场作用下，加速获得足够的动能，〔在射频溅射时，这一区域也很明显，在可以起辉的气压下，电压增加到左右时，电流保持不变，电压突然降低，同时起辉〕电流突然增大，并同时消灭带有颜色〔加速向阳极〔。Ar的自然电离了；这一阶段，维持放电的电压较低，且不变，电流的增大与电压无关，而只与阴极板上产生辉辉光放电密度要比平板形阴极大数十倍以上。由于正常辉光放电时电流密度仍旧比较小工作。4〕非正常辉光区非正常辉光放电状态。其特点时，电流增大时，两放电极板间电压上升，且阴极电压降的大小与电流密度和气体压强有关。由于此时辉光已布满正个阴极，再增加电流时，离子层已无法向四周集中，这样，正离子层便向阴极靠拢，使正离子层与阴极间距离缩短，此时假设要的二次电子。热式气体质量流量计性高的技术。其典型传感元件包括两个热电阻〔铂热式气体质量流量计性高的技术。其典型传感元件包括两个热电阻〔铂

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