油气产品简介echo verios中文数据表草稿

VeriosXHRElstarSchottkyUC)FESEM，130kV亚纳米级分辨率ElstarSchottkyUC)FESEM，130kV亚纳米级分辨率SmartSCAN™和DCFI，可对荷电样品精确成像拓展SEM分析能力在半导体和数据 市场上，Verios凭借其前所未有的性能将SEM分析能力极大地拓展到了22nm节 确的、可重复的测量结果。结合FEI的IC3D™测量软件，Verios提供了控制技术开发过程所需要的精确测量。性和传统SEM的易用性。。）对于材料科学家而言，VeriosVerios。）或进行精确的原型应用（如诱发的直接材料沉积或光刻VeriosElstar™FESEM镜筒，集成化的单色器（UC）和技术确保了Verios独特的低电压性能，同时Elstar采用了其他独特技术，例如恒定功率透镜

STEM（扫描透射电子模式）探测器提供了针对薄的S/TEM样品分析的优越性能。Verios搭载性的xT软件平台，拥有简洁而强大的界面，可满足临时用户的需求，同时Verios具有高度的系统灵活性及拓展控制功能，可满足SEM专家对于分辨率的要求。ElstarXHR沉浸式透镜FESEMSchottkyUC

@0.6nm@30kV0.6nm@150.6nm@0.7nm@11.0nm@1.2nm@：>2.0mm(WD4:20V-30:0.8pA-1001x210l/s1xPVP2x2.6*10-6mbar24ElstarSETLD-Elstar透镜内BSETLD-ElstarSEICDElstar镜筒内BSEMDEverhart-ThornleySE

™电子探测器(DBS)**STEMBF/DF/集成的电流测4mm和EDS重合21Z：10mmT：-10°to+R：nx360（无休止）50X、Y1.0mm，含样品托200g多样品托材料衬度。样品由ChipWorks友情提供。

功于Verios先进的低剂量、低电压和荷电抑制模式。由中国上海硅酸盐（SICCAS）WeiWu友情提供。0.02525000μs/像6144x4096BMP或SmartSCAN256DCFI(漂移补偿帧积分)24英寸宽屏LCD,WUXGA1920x1200像素Joystick杆念，最高配4个同步调节四芯线组

FEI蚀刻：由Raith、Nabity或其CryoSEM：样品转移和冷冻样品

100~240VACor60Hz±13.00.1Ω

20C380201.2m2.0m(最小值0.9mx2.0m)

850压缩空气：4~6bar，清洁、干燥、减振台 ***Verios460Verios460LWorldPhone

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