MLLC900客户培训文档-原理

MLL-C900客户培训资料做世界一流产品创世界一流品牌Contents产品原理系统维护及安全事项曝光操作产品原理DMD介绍DMD--DigitalMicromirrorDevice，数字微镜阵列，是一种图形发生器。在CFMM光刻系统中其作用相当于传统光刻中的掩模版。

DMD工作示意图DMD微镜单元分解图ControllerComputeronoffUVlightDMDCFMM曝光原理产品器件曝光流程Mask曝光流程590光源1DMD照明镜组2分色分光镜2能量探头管镜分色分光镜3CCD感光面管镜2分色分光镜4聚焦系统Stage曝光时光学流程图1、聚焦2、调整离焦量3、曝光Z

offset分色分光镜5WDI分色分光镜1405LCD匀光片匀光复眼对焦原理对焦方式：被动对焦目的：找到最佳焦面（图像对比度）被动对焦：移动Z轴，以采集图像的对比度作为评价函数进行拟合计算590光源1DMD照明镜组2分色分光镜2管镜分色分光镜3CCD感光面管镜2聚焦系统StageZ

offset对焦原理对焦方式：主动动对焦目的：找到最佳焦面（调整镜头与基底平面的距离）主动对焦：以被动聚焦为基准，测量实际镜头与聚焦平面的距离，同这一距离值实时调节Z台的距离。对准原理

1.手动对准：非曝光波长直接成像曝光图形，通过stage移动使得与上一层图案对准成为可能。2.MVA机器视觉对准Step1：通过imageprocess量测到alignmentmark的位置Step2：通过2个mark的测量，调整基片的旋转角度Step3：通过多个mark的量测，最终得到wafer和stage坐标系转换关系,得到平移、正交、比例等参数。系统维护及安全事项-----系统维护运行环境要求1.空气洁净度≥1000级。2.照明条件黄光混合照明，≈1000lux3.温度湿度23±1℃，40%±5%4.振动远离机场，起重机等振动源5.供气要求要求提供正压和真空两套供气设备软件方面1.使用人员不得自行连接因特网，避免中毒。使用人员使用移动设备拷贝时，应事先确保自己的U盘是无病毒的。2.使用人员对于自己不熟悉的内容不要随意删除。电脑的内容会由工程师定期进行备份和处理。机械方面1.使用人员禁止用手长时间按在花岗岩平台上，以免对VIT造成损伤。2.stage维护：2.1设备断气状态下，平台处于保护锁定状态，不可用力推动平台移动导轨，以免造成设备损坏；2.2设备使用时必须保证同时提供压缩空气和真空，并且保证达到规定范围。2.3设备运行状态下，平台位置处于锁定状态，此时不可给平台施加推力或旋转外力；2.4平台需要定期清洁，避免异物损坏平台，推荐使用湿度为60%以下。光学方面1.光刻机的光路系统是经过精心调试，任何人绝对不允许自行调整光学件。2.对于高倍镜头使用和操作时，注意Z轴升降不要碰到镜头。3.更换镜头时，禁止用手触碰镜头表面，并注意曝光时使用的曝光镜头参数。电气方面1.光刻机主体中的各种线缆，电路板和控制设备，请不要触碰，避免静电对设备造成损害。2.为了保护镜头，设备设置了软件限位。在设备运行前，需要确保限位处于工作状态。系统维护及安全事项-----安全事项对于405nm蓝光的观察和测量，须戴上防护眼罩，禁止用眼睛直接观察。光刻机面板前设置了红色的急停按钮（“EMO”）,当遇到以下紧急情况时请及时按下，以防意外发生。1.当光刻机会对人身造成伤害时，例如电磁门夹到手，系统发生漏电情况等。2.当光刻机可能会受到威胁时，例如工作面会有异物影响stage的运动，平台操作不当即将要碰到镜头或龙门侧壁时等。紧急停电方案和限位关机后的开启1.停电：

1.1

一旦发生停电事件，请拔掉与光刻机相连的净化电源，洁净风开关一直保持开启状态。1.2来电后，连接好净化电源，按正常步骤开机即可。2.硬件限位保护/气压保护：

当遇到硬件限位/气压保护时时，Stage将被锁定,故障排除后,气压限位自动解除,硬件限位则可以打开Stage自带程序,解决限位保护。3.“EMO”关机：使用EMO后如要重新开启光刻机，注意先将EMO旋开，否则系统将处于紧急关闭的状态，无法开启机器。ScheduleItemRemarkDailyCDMonitorTotalneed20minFoucsMonitorWeeklyMonitorStichMonitorTotalneed30minOverlayMonitorFoucsAccuracyMonitorExposureUniformityMonitorMonthlyMaintenanceMagCalibrationTotalneed2HrOrth&ParaCalibrationCCD&DMDCenterCalibrationChuckCenterCalibrationchuckCleanStoneCleanSemi-AnnuallyMaintenanceWaferStageRe-LevellingTotalneed8HrElectronicControl&FacilitySystemMaintenanceAnnuallyMaintenanceWaferStageMaintenanceTotalneed16HrProjectionSystemMaintenanceIlluminationsystemMaintenanceSoftwareupgrade日常维护系统标定------软件自动标定机台通过软件可自动完成正交性、CCD与DMD偏差、平行性、Chuck中心的标定。系统标定------曝光工艺标定

1.E0标定所谓E0，是指某一种特定的光刻胶恰好能够完全曝开所需要的曝光剂量，因此，对于不同的光刻胶，其E0是不同的。该标定有利于确定某一特定光刻胶的标准工艺，同时能够测试机台的稳定性。具体方法：1.在CFMM曝光软件中设置recipe,其中field能量设置为连续变化。2.导入白图完成曝光3.在光学显微镜下观察，光刻胶恰好完全曝开的图形所对应的能量，即为E0.系统标定------曝光工艺标定

1.E0标定所谓E0，是指某一种特定的光刻胶恰好能够完全曝开所需要的曝光剂量，因此，对于不同的光刻胶，其E0是不同的。该标定有利于确定某一特定光刻胶的标准工艺，同时能够测试机台的稳定性。具体方法：1.在CFMM曝光软件中设置recipe,其中field能量设置为连续变化。2.调用相应的图形数据完成曝光3.在光学显微镜下观察，光刻胶恰好完全曝开的图形所对应的能量，即为E0.2.镜头放大倍率标定镜头的放大倍率需要通过在基底上实际曝光，对得到的图形用可信的测量手段进行测量，来计算实际的放大倍率。具体方法：

1.首先假定镜头的X和Y方向的放大倍率分别为：MX和MY。根据我们的标定图形（如图1，X方向小框中心到大框中心距离1000pixel，Y方向小框到大框中心900pixel），计算出理论上X、Y方向小框大框中心分别重合stage所需移动的距离DX和DY。DX=10.8/MX*1000umDY=10.8/MY*900um图12.在CFMM曝光软件中设置曝光recipe,其中X方向chip的step为DX,Y方向chip的step为DY,导入图1完成曝光。3.通过量测设备测量曝光得到的图形中，沿X方向移动曝光图形小框与大框中心X方向的实际偏差ΔX和沿Y方向移动曝光图形小框与大框中心Y方向的实际偏差ΔY，如下图。X1X2Y1Y2ΔX=(X1-X2)/2ΔY=(Y1-Y2)/2X方向倍率标定Y方向倍率标定4.计算镜头X和Y方向的实际放大倍率MX’和MY’MX’=DX*MX/(DX-ΔX)MY’=DY*MY/(DY-ΔY)3.DMD与STAGE的正交平行性标定ATD曝光软件中可以完成DMD与STAGE正交平行性的自动标定与校准，但是其效果需要在wafer上实际曝光来验证。具体方法：正交平行标定与放大倍率标定的曝光过程是完全一致的，只是需要测量的位置和计算方法不同。1.将光刻机自动标定正交平行得到的X、Y方向上的角度补偿值θX和θY，应用到曝光软件中。2.同放大倍率标定操作完成曝光3.通过量测设备测量曝光得到的图形中，沿X方向移动曝光图形小框与大框中心Y方向的实际偏差ΔY和沿Y方向移动曝光图形小框与大框中心X方向的实际偏差ΔX，如下图。X方向正交平行标定Y方向正交平行标定Y1Y2X1X2ΔX=(X1-X2)/2ΔY=(Y1-Y2)/24.计算X方向和Y方向的角度偏差ΔθX和ΔθYΔθX=ΔY/DX*180/3.1415926*60ΔθY=ΔX/DY*180/3.1415926*60