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文档简介

:掺杂掺杂Si晶体 晶杂质体P 3Si中掺硼 在Si单晶中 EEV 晶体 B EAEg

q2 0-4p2 0

(r)=EnY(r) fi

mq4En=- ,n=12308e2h2n20m

2

m故基态电子的电离能:E0=E¥-E1= fi00 (空穴 q2电势能U(r)

40rm

*q4

m 施主电离能DED

= = 0 fi e p受主电离能 p

m*q4

=mp E0

fi

2e2

* e*

pp

△ED~0.0064

△ED~0.025 5因EA在ED 因EA在ED E

△E E

△E (2)Au0 (1)Au+:Au0– EV Au:Au0+ Au二:Au一+ EAu三:E 等电子陷阱举例O在ZnTe中:N-(PNP-NP-

Si §2.2缺陷能级 1 V+

B A

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