理想结构的表面空间电荷区

理想结构的表面空间电荷区第一页，共二十八页，编辑于2023年，星期日1.结构与工作原理2.半导体表面空间电荷区3.载流子的积累、耗尽和反型4.反型和强反型的条件第二页，共二十八页，编辑于2023年，星期日前言：

半导体器件的特性与半导体表面特征性质有特别重要的联系。在超、特大集成电路迅速发展的今天，半导体器件的制造相当多是在很薄的一层表面内完成的（几个微米甚至更小），因而，如何有效控制和完善半导体的表面质量，从而进一步利用半导体表面效应，可用来制造例如MOS（金属-氧化物-半导体）器件、CCD（电荷耦合器件）、LED（发光二极管）、LCD（液晶显示）、半导体激光等表面发光器件，以及太阳能电池等表面感应器件。第三页，共二十八页，编辑于2023年，星期日理想表面（清洁表面）原子完全有规则排列所终止的一个平面。

表面排列整齐的硅原子与体内的硅原子形成共价键，但由于表面价键处于所谓“悬挂键”的空置状态，其状态极其不稳定，表面很容易吸附一些其他原子例如空气中的氧原子而形成氧化层。第四页，共二十八页，编辑于2023年，星期日真实表面

用物理或化学方法形成的半导体表面，暴露在空气中，存在氧化层或吸附其他原子。表面存在“悬挂键”，对电子有受主的性质，存在一些可以容纳电子的能量状态，称为“表面能级”或“表面态”。表面能级在禁带中靠近价带顶的位置，准连续。第五页，共二十八页，编辑于2023年，星期日

表面势

空间电荷区表面到内部另一端，电场从最大逐渐减弱到零，其各点电势也要发生变化，这样表面相对体内就产生电势差，并伴随能带弯曲，常称空间电荷区两端的电势差为表面势ΨS。

第六页，共二十八页，编辑于2023年，星期日一结构MOSFET结构示意图第七页，共二十八页，编辑于2023年，星期日源极、衬底和漏极构成两个背靠背的二极管。在不加栅压时，只能有很小的反向饱和电流通过源漏极。当栅压足够大时，栅极下面半导体会反型。衬底N型半导体－P型反型层－P沟道MOSFET衬底P型半导体－N型反型层－N沟道MOSFET反型层出现后，再增加电极上的电压，主要是反型层中的电子增加，由电离受主构成的耗尽层电荷基本上不再增加。第八页，共二十八页，编辑于2023年，星期日第九页，共二十八页，编辑于2023年，星期日第十页，共二十八页，编辑于2023年，星期日二半导体表面空间电荷区①在氧化物中或在氧化物和半导体之间的界面上不存在电荷②金属和半导体之间的功函数差为零③SiO2层是良好的绝缘体，能阻挡直流电流流过理想MOS结构假设：即使有外加电压，表面空间电荷区也处于热平衡状态，使得整个表面空间电荷区中费米能级为常数。因此：第十一页，共二十八页，编辑于2023年，星期日ℰ0为SiO2层的内建电场，QM为金属极板上的电荷，则半导体表面感应电荷为QS=－QM。在外电场的作用下，在半导体表面形成具有相当厚度（μｍ）的空间电荷区，它对电场起到屏蔽作用。空间电荷区的形成是由于自由载流子的过剩或欠缺以及杂质能级上电子浓度的变化引起的。第十二页，共二十八页，编辑于2023年，星期日在空间电荷区中电场的出现使半导体表面与体内之间产生电位差，半导体表面的电势，称为表面势。在加上电压VG时，外加电压VG为跨越氧化层的电压V0和表面势

所分摊，即有：电场ℰ从半导体表面到内部逐渐减弱，直到空间电荷区内边界上基本全部被屏蔽而为零。则每个极板上的感应电荷与电场之间满足如下关系：εsE：半导体表面电场第十三页，共二十八页，编辑于2023年，星期日金属-氧比物和P型半导体的电位分布图第十四页，共二十八页，编辑于2023年，星期日三载流子的积累、耗尽和反型空间电荷区静电势

的出现改变了空间电荷区中的能带图。根据VG极性和大小，有可能实现三种不同的表面情况：①载流子积累；②载流子耗尽；③半导体表面反型。第十五页，共二十八页，编辑于2023年，星期日设半导体体内本征费米能级为Ei0，则空间电荷区内：在半导体表面处有：令：为半导体内的费米势第十六页，共二十八页，编辑于2023年，星期日可以得到：OR半导体表面层的载流子分布：第十七页，共二十八页，编辑于2023年，星期日OR半导体表面层的载流子分布：第十八页，共二十八页，编辑于2023年，星期日1.载流子的积累当紧靠硅表面的多数载流子浓度大于体内热平衡多数载流子浓度时，称为载流子积累。当金属电极上加负电压时，在半导体表面形成负表面电势

，表面空间电荷区中能带向上弯曲，由于费米能级EF保持常数，能带向上弯曲使接近表面处有更大的Ei-EF，与体内相比，在表面处有更高的空穴浓度和更低的电子浓度，使空穴在表面积累，增加表面的电导率。表面电荷为：第十九页，共二十八页，编辑于2023年，星期日载流子积累第二十页，共二十八页，编辑于2023年，星期日2.载流子耗尽当金属电极上施加正偏压VG时，表面势

为正，空间电荷区中能带向下弯曲，准费米能级能级Ei靠近费米能级EF,(Ei–EF)值减小，表面空穴浓度低于体内热平衡值，造成多数载流子空穴的耗尽，少数载流子电子有所增加。当由于平衡少子数目极小，因此，少子数目仍然可以忽略。空间电荷由没有空穴中和的、固定的受主离子构成。第二十一页，共二十八页，编辑于2023年，星期日单位面积下的总电荷QS为:采用耗尽近似，根据泊松方程有：表面势QB:半导体空间电荷区中单位面积下的受主离子总电荷第二十二页，共二十八页，编辑于2023年，星期日载流子耗尽第二十三页，共二十八页，编辑于2023年，星期日3.载流子反型在耗尽基础上进一步增加偏压VG，MOS系统半导体表面空间电荷区中的能带进一步下弯。大的能带弯曲使硅表面及其附近的禁带中央能量Ei超越恒定的费米能级，即来到费术能级EF的下面。使得：少数载流子电子浓度高于本征载流子浓度，而多数载流子空穴的浓度低于本征载流子浓度。这一层半导体由P型变成N型，称为反型层，即载流子反型。第二十四页，共二十八页，编辑于2023年，星期日载流子反型第二十五页，共二十八页，编辑于2023年，星期日当nS=ni时，半导体表面呈现本征状态，此后，再增加

，半导体表面就会发生反型，则有：当表面势等于体内费米势时，半导体表面开始反型反型条件四反型和强反型的条件第二十六页，共二十八页，编辑于2023年，星期日强反型条件但除非EiS低于EF很多，否则电子浓度很低，这种现象叫做弱反型；对于大多数MOSFET运用来说，希望确定一种条件，在超过它之后，反型层中的电子电荷浓度相当高，规定当表面电子浓度等于体内平衡多子空穴浓度时，半导体表面形成强反型层，这称为强反型条件，令ns=p0，可得：