微电子毕业论文

毕业实习汇报姓名班级微电一班学号所属院系电子工程系专业实习单位工作部门（工种）实习起讫时间带教老师职称/职务联络教师职称/职务指导教师职称/职务一、毕业实习慨况1、对实习过程回顾不知不觉已经上班两个多星期了，即使我实习比较晚，但在这段时间工作让我学到了很多，也懂了很多。我工作是技术员，是帮企业做售后服务，主要工作内容就是维保和维修。维保工作比较简单，主要就是监控设备日常保养和擦擦摄象头之类。而维修就比较麻烦了，你你天天都会到不一样地方碰到各种各样问题，如硬盘录象机硬盘损坏了，摄象机不能运转了等很多问题。这个工作就现在我而言是完全不能胜任。天天我跟着师傅看他处理一个个问题。刚开始时候，我只能在一旁看着，听师傅讲解，了解一写基础知识以及一写常见问题。慢慢，我学会了越来越多知识，能够处理一些小问题了。我相信伴随工作时间越来越长，我能力会有越来越大提升。2、专业知识在实习过程中应用我学是微电子专业，这个专业对于我现在工作来说还是比较有用。尤其是电路这一块。几乎天天工作都会碰到这么和那样电路问题，不过这些东西大多数都在学校中已经学过了，每当碰到这种问题时候我都能很好处理。还有就是万用表使用，万用表是天天一定会用到，而万用表使用方法已经在学校中学习中很好掌握了，所以在天天工作中我能非常熟练使用万用表。不过还有很多东西是我不曾接触过，有时候工作会需要用到电烙铁，刚开始时候感觉有点慌，因为烙铁表面温度有200度左右，不过在师傅不停激励和指导下我已经能够使用电烙铁来完成一些简单工作了。还有不少东西是我以前从未接触过，不过我相信用不了多久我便能掌握这些东西。3、专业技能在技术活动中表现每次做维修时，开始时候用户必定是会告诉你什么东西坏了，不能用了。不过他不知道详细是哪里坏了，这个时候我们就要慢慢检验到底是哪里出了问题。从最简单拧螺丝到拆线，然后把各个部件拆开来一点点检验。使用万用表能让我们了解到是不是线路有问题，还是哪个插头接触不好等。有时候需要用电烙铁，把坏掉部件接起来，这就考验了一个人动手能力。有时候还能够按照声音来判断哪个部件有问题，当然这只是少数时候。总之做这份工作有好专业知识和良好动手能力是必须。4、对用人单位岗位需求适应过程刚开始时候维保工作能够很好完成，因为这没有什么技术言，主要就是擦擦灰什么。不过维修工作是一点都不会做，刚开始时候我只能在一旁一边看着他做一边听他讲解。他会告诉我要怎样检验各个部件，什么部件最轻易出问题，哪个部件出了什么问题应该怎么做等很多很多。现在我已经能够自己处理不少问题了。维修是一门很深奥学问。因为你每次都会碰到不一样问题，你不可能把全部问题全都了解掌握。不过我喜欢这么工作。因为这么工作才有挑战性，不是很死板工作。我相信用不了多久我就能够独自一个人完成很多问题了。5、心得体会与经验总结经过这些时间实习，我增加了很多社会经验，我天天都会碰到各种各样问题，我锻炼了自己动手能力，我试着去做，去尝试。在工作这段时间里我作息变正常了，不再像以前那样晚上很晚睡觉白天要睡到下午才起来。我也开始节约用钱，我深刻体会到了盈利辛劳。即使我工作时间不长，但我深刻体会到了工作艰辛，也让我知道了父母这么多年来把我养这么大是多么辛劳。现在我已经踏上了社会，是一个社会青年了，要面对全新生活，我现在就像一个拿到新玩具小孩，即高兴又激动。即使不知道未来会怎样，但我会了为了自己未来而奋斗！二、毕业实习论文光刻技术现实状况与进展引言光刻技术从诞生以来,在半导体加工制造行业中,作为图形转移技术而广为应用。伴随芯片集成度不停提升、器件尺寸不停缩小以及器件功效不停提升,作为半导体加工技术中最为关键光刻技术和光课工艺设备,必将发生显著改变光刻技术概况光刻系统组成：光刻机，掩膜版，光刻胶(常伴伴随光刻机发展而前进.在一定程度上其也制约着光刻工艺发展)主要指标：分辨率W（resolution）->光刻系统所能分辨和加工最小线条尺寸。焦深(DOF-DepthOfFocus)->投影光学系统可清楚成象尺度范围。关键尺寸（CD-CriticalDimension）控制。对准和套刻精度(AlignmentandOverlay)。产率(Throughout)。价格。其中，W是决定光刻系统最主要指标，也是决定芯片最小特征尺寸原因。

其由瑞利定律决定：R=k1r/NA，其中r是光刻波波长。提升光刻分辨率路径:减小波长r,其中，光刻加工极限值：r/2,即半波长分辨率。增加数值孔径。优化系统设计（分辨率增强技术）。减小k1。主流光刻技术:248nmDUV技术（KrF准分子激光）->0.10um特征尺寸。193nmDUV技术（ArF准分子激光）->90nm特征尺寸。新一代代替光刻技术:Immersion193nm技术。157nmF2。EUV光刻。紫外线光刻。电子束投影光刻。X射线光刻。离子束光刻。纳米印制光刻。光学透镜：透射式透镜（248nm、193nm)。反射式透镜（157nm）。掩膜版：由透光衬底材料（石英玻璃）和不透光金属吸收层材料（主要是金属Cr）组成。通常要在表面淀积一层抗深紫外光损伤增光型保护涂层。常规光刻技术与曝光方式集成电路制造中利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功效图形工艺技术。伴随半导体技术发展，光刻技术传递图形尺寸程度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到0.1埃数量级范围。光刻技术成为一个精密微细加工技术。常规光刻技术是采取波长为～4500埃紫外光作为图像信息载体，以光致抗蚀剂为中间（图像统计）媒介实现图形变换、转移和处理，最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上一个工艺。在广义上，它包含光复印和刻蚀工艺两个主要方面。光复印工艺：经曝光系统将预制在掩模版上器件或电路图形按所要求位置，精准传递到预涂在晶片表面或介质层上光致抗蚀剂薄层上。刻蚀工艺：利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上取得与抗蚀剂薄层图形完全一致图形。集成电路各功效层是立体重合，因而光刻工艺总是数次重复进行。比如，大规模集成电路要经过约10次光刻才能完成各层图形全部传递。曝光方式惯用曝光方式分类以下：接触式曝光和非接触式曝光区分，在于曝光时掩模与晶片间相对关系是贴紧还是分开。接触式曝光具备分辨率高、复印面积大、复印精度好、曝光设备简单、操作方便和生产效率高等特点。但轻易损伤和沾污掩模版和晶片上感光胶涂层,影响成品率和掩模版寿命,对准精度提升也受到较多限制。通常认为，接触式曝光只适于分立元件和中、小规模集成电路生产。非接触式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系统中，掩膜图形经光学系统成像在感光层上，掩模与晶片上感光胶层不接触,不会引发损伤和沾污,成品率较高，对准精度也高，能满足高集成度器件和电路生产要求。但投影曝光设备复杂，技术难度高，因而不适于低级产品生产。当代应用最广是1:1倍全反射扫描曝光系统和x:1倍在硅片上直接分步重复曝光系统。直接分步重复曝光系统(DSW)超大规模集成电路需要有高分辨率、高套刻精度和大直径晶片加工。直接分步重复曝光系统是为适应这些相互制约要求而发展起来光学曝光系统。主要技术特点是：①采取像面分割原理，以覆盖最大芯片面积单次曝光区作为最小成像单元，从而为取得高分辨率光学系统创造条件。②采取精密定位控制技术和自动对准技术进行重复曝光，以组合方式实现大面积图像传递，从而满足晶片直径不停增大实际要求。③缩短图像传递链，降低工艺上造成缺点和误差，可取得很高成品率。④采取精密自动调焦技术，防止高温工艺引发晶片变形对成像质量影响。⑤采取原版自动选择机构（版库），不但有利于成品率提升，而且成为能灵活生产多电路组合常规曝光系统。这种系统属于精密复杂光、机、电综合系统。它在光学系统上分为两类。一类是全折射式成像系统，多采取1/5～1/10缩小倍率,技术较成熟；一类是1:1倍折射-反射系统，光路简单，对使用条件要求较低。光致抗蚀剂简称光刻胶或抗蚀剂，指光照后能改变抗蚀能力高分子化合物。光蚀剂分为两大类。①正性光致抗蚀剂：受光照部分发生降解反应而能为显影液所溶解。留下非曝光部分图形与掩模版一致。正性抗蚀剂具备分辨率高、对驻波效应不敏感、曝光容限大、针孔密度低和无毒性等优点，适合于高集成度器件生产。②负性光致抗蚀剂：受光照部分产生交链反应而成为不溶物，非曝光部分被显影液溶解，取得图形与掩模版图形互补。负性抗蚀剂附着力强、灵敏度高、显影条件要求不严，适于低集成度器件生产。半导体器件和集成电路对光刻曝光技术提出了越来越高要求，在单位面积上要求完善传递图像信息量已靠近常规光学极限。光刻曝光惯用波长是3650～4358埃，预计实用分辨率约为1微米。几何光学原理，允许将波长向下延伸至约埃远紫外波长，此时可达成实用分辨率约为0.5～0.7微米。微米级图形光复印技术除要求先进曝光系统外,反抗蚀剂特征、成膜技术、显影技术、超净环境控制技术、刻蚀技术、硅片平整度、变形控制技术等也有极高要求。所以，工艺过程自动化和数学模型化是两个主要研究方向。光刻技术应用情况1光刻技术纷争及其应用情况众说周知，电子产业发展主流和不可阻挡趋势是"轻、薄、短、小"，这给光刻技术提出技术方向是不停提升其分辨率，即提升能够完成转印图形或者加工图形最小间距或者宽度，以满足产业发展需求；另首先，光刻工艺在整个工艺过程中数次性使得光刻技术稳定性、可靠性和工艺成品率对产品质量、良率和成本有着主要影响，这也要求光刻技术在满足技术需求前提下，具备较低COO和COC。所以，光刻技术纷争主要是厂家能够提供给用户什么样分辨率和产能设备及其相关技术。1.1以Photons为光源光刻技术在光刻技术研究和开发中，以光子为基础光刻技术种类很多，但产业化前景很好主要是紫外(UV)光刻技术、深紫外(DUV)光刻技术、极紫外(EUV)光刻技术和X射线(X-ray)光刻技术。不但取得了很大成就，而且是现在产业中使用最多技术，尤其是前两种技术，在半导体工业进步中，起到了主要作用。紫外光刻技术是以高压和超高压汞(Hg)或者汞-氙(Hg-Xe)弧灯在近紫外(350～450nm)3条光强很强光谱(g、h、i线)线，尤其是波长为365nmi线为光源，配合使用像离轴照明技术(OAI)、移相掩模技术(PSM)、光学靠近矫正技术(OPC)等等，可为0.35～0.25μm大生产提供成熟技术支持和设备保障，在现在任何一家FAB中，这类设备和技术会占整个光刻技术最少50％份额；同时，还覆盖了低端和特殊领域对光刻技术要求。光学系统结构方面，有全反射式(Catoptrics)投影光学系统、折反射式(Catadioptrics)系统和折射式(Dioptrics)系统等，如图2所表示。主要供给商是众所周知ASML、NIKON、CANON、ULTRATECH和SUSSMICROTECH等等。系统类型方面，ASML以提供前工程l:4步进扫描系统为主，分辨率覆盖0.5～0.25μm：NIKON以提供前工程1：5步进重复系统和LCD1：1步进重复系统为主，分辨率覆盖0.8～0.35μm和2～0.8μm；CANON以提供前工程1：4步进重复系统和LCD1：1步进重复系统为主，分辨率也覆盖0.8～0.35μm和1～0.8μm；ULTRATECH以提供低端前工程1：5步进重复系统和特殊用途(先进封装／MEMS／，薄膜磁头等等)1：1步进重复系统为主；而SUSSMICTOTECH以提供低端前工程l：1接触／靠近式系统和特殊用途(先进封装／MEMS／HDI等等)1：1接触／靠近式系为主。另外，在这个领域系统供给商还有USHlO、TAMARACK和EVGroup等。深紫外技术是以KrF气体在高压受激而产生等离子体发出深紫外波长(248nm和193nm)激光作为光源，配合使用i线系统使用一些成熟技术和分辨率增强技术(RET)、高折射率图形传递介质(如浸没式光刻使用折射率常数大于1液体)等，可完全满足O.25～0.18μm和0．18μm～90nm生产线要求；同时，90～65nm大生产技术已经在开发中，如光刻成品率问题、光刻胶问题、光刻工艺中缺点和颗粒控制等，依然在突破中；至于深紫外技术能否满足65～45nm大生产工艺要求，现在尚无明确技术支持。相比之下，因为深紫外(248nm和193nm)激光波长更短，对光学系统材料开发和选择、激光器功率提升等要求更高。现在材料主要使用是融石英(Fusedsilica)和氟化钙(GaF2)，激光器功率已经达成了4kW，浸没式光刻使用液体介质常数已经达成1.644等，使得光刻技术在选择哪种技术完成100nm以下生产任务时，经过几年缄默后又开始活跃起来了。投影成像系统方面，主要有反射式系统(Catoptrics)、折射式系统(Dioptrics)和折反射式系统(Catadioptrics)，如图2所表示。在过去几十年中，折射式系统因为能够大大提升系统分辨率而起到了非常主要作用，但因为折射式系统伴随分辨率提升，对光谱带宽要求越来越窄、透镜中镜片组数量越来越多和成本越来越高等原因，使得折反射式系统优点逐步显示了出来。教授预测折反射式系统可能成为未来光学系统主流技术，如NIKON企业和CANON企业用于FPD产业光刻机，都采取折反射式系统，他们以前并没有将这种光学系统用于半导体领域光刻机，而是使用折射式系统，像ASML企业一样。但伴随技术进步和用户需求提升，他们也将折反射技术使用到了半导体领域光刻机上，如图3所表示是NIKON企业开发一个用于浸没式光刻光刻机光学系统原理图。极紫外光刻技术负担了现在大生产技术中关键层光刻工艺，占有整个光刻技术40％左右。不像紫外技术，涉入企业较多，深紫外技术完全由ASML、NIKON和CANON三大企业垄断，全部设备都以前工程使用1：4步进扫描系统为主，分辨率覆盖了0.25～90nm整个范围。值得一提是，在90～65nm大生产技术开发中，ASML已经走在了其余两家前面，同时，45nm技术试验室工艺已经成功，设备已经开始量产，这使得以氟(F2)(157nm)为光源光刻技术前景变得十分暗淡，教授预测氟(F2)将是最终一代光学光刻技术可能性已经十分小了，主要原因不是深紫外技术发展快速，而是以氟(F2)为光源光刻技术诸如透镜材料只能使用氟化钙(CaF2)、抗蚀剂开发迟缓、系统结构设计最终没有方向和最终分辨率只能达成80nm等等原因。极紫外(EUV)光刻技术早期有波长10～100nm和波长1～25nm软X光两种，二者主要区分是成像方式，而非波长范围。前者以缩小投影方式为主，后者以接触／靠近式为主，现在研发和开发主要集中在13nm波长系统上。极紫外系统分辨率主要瞄准在13～16nm生产上。光学系统结构上，因为很多物质对13nm波长具备很强吸收作用，透射式系统达不到要求，开发系统以多层铝(Al)膜加一层MgF2保护膜反射镜所组成反射式系统居多。主要是利用了当反射膜厚度满足布拉格(Bragg)方程时，可得到最大反射率，供反射镜用。现在这种系统主要由一些大学和研究机构在进行技术研发和样机开发，光源功率提升和反射光学系统方面进步很快，但还没有产业化企业介入。考虑到技术延续性和产业发展成本等原因，极紫外(EUV)光刻技术是众多教授和企业看好、能够满足未来16nm生产主要技术。但因为极紫外(EUV)光刻掩模版成本愈来愈高，产业化生产中因为掩模版费用增加会造成生产成本增加，进而会大大降低产品竞争力，这是极紫外(EUV)光刻技术快速应用主要障碍。为了降低成本，国外有研发机构利用极紫外(EUV)光源，结合电子束无掩模版思想，开发成功了极紫外(EUV)无掩模版光刻系统，但还没有商品化，进入生产线。X射线光刻技术也是20世纪80年代发展非常快速、为满足分辨率100nm以下要求生产技术之一。主要分支是传统靶极X光、激光诱发等离子X光和同时辐射X光光刻技术。尤其是同时辐射X光(主要是O.8nm)作为光源X光刻技术，光源具备功率高、亮度高、光斑小、准直性良好，经过光学系统光束偏振性小、聚焦深度大、穿透能力强；同时可有效消除半阴影效应(PenumbraEffect)等优越性。X射线光刻技术发展主要困难是系统体积庞大，系统价格昂贵和运行成本居高不下等等。不过最新研究结果显示，不但X射线光源体积能够大大减小，近而使系统体积减小外，而且一个X光光源可开出多达20束X光，成本大幅降低，可与深紫外光光刻技术竞争。1.2以Particles为光源光刻技术以Particles为光源光刻技术主要包含粒子束光刻、电子束光刻，尤其是电子束光刻技术，在掩模版制造业中发挥了主要作用，现在依然占有霸主地位，没有被取代迹象；但电子束光刻因为它产能问题，一直没有在半导体生产线上发挥作用，所以，人们一直想把缩小投影式电子束光刻技术推进半导体生产线。尤其是在近几年，取得了很大成就，产能已经提升到20片／h(φ200mm圆片)。电子束光刻进展和研发较快是传统电子束光刻、低能电子束光刻、限角度散射投影电子束光刻(SCALPEL)和扫描探针电子束光刻技术(SPL)。传统电子束光刻已经为人们在掩模版制造业中广泛接收，因为热／冷场发射(FE)比六鹏化镧(LaB6)热游离(TE)发射亮度能提升100～1000倍之多，所以，热／冷场发射是现在主流，分辨率覆盖了100～200nm范围。但因为传统电子束光刻存在前散射效应、背散射效应和邻近效应等，有时会造成光致抗蚀剂图形失真和电子损伤基底材料等问题，由此产生了低能电子束光刻和扫描探针电子束光刻。低能电子束光刻光源和电子透镜与扫描电子显微镜(SEM)基本一样，将低能电子打入基底材料或者抗蚀剂，以单层或者多层L-B膜(Langmuir-BlodgettFilm)为抗蚀剂，分辨率可达成10nm以下，现在在试验室和科研单位使用较多。扫描探针电子束光刻技术(SPL)是利用扫描隧道电子显微镜和原子力显微镜原理，将探针产生电子束，在基底或者抗蚀剂材料上直接激发或者诱发选择性化学作用，如刻蚀或者淀积进行微细图形加工和制造。SPL现在比较成熟，主要应用领域是MEMS和MOEMS等纳米器件制造，伴随纳米制造产业快速发展，扫描探针电子束光刻技术(SPL)前景有望与光学光刻媲美。另外一个比较有潜力电子束光刻技术是SCALPEL，因为SCALPEL原理非常类似于光学光刻技术，使用散射式掩模版(又称鼓膜)和缩小分步扫描投影工作方式，具备分辨率高(纳米级)、聚焦深度长、掩模版制作轻易和产能高等优势，很多教授认为SCALPEL是光学光刻技术退出历史舞台后，半导体大生产进入纳米阶段主流光刻技术，所以，有些人称之为后光学光刻技术。粒子束光刻发展较快有聚焦粒子束光刻(FIB)和投影粒子束光刻，因为光学光刻不停进步和不停满足工业生产需要，使离子束光刻应用已经有所扩展，如FIB技术现在主要应用是将FIB与FE-SEM连用，扩展SEM功效和使得SEM观察方便；另外，经过方便注射含金属、介电质气体进入FTB室，聚焦离子分解吸附在晶圆表面气体，可完成金属淀积、强化金属刻蚀、介电质淀积和强化介电质刻蚀等作用。投影粒子束光刻优点很显著，但缺点也很显著，如无背向散射效应和邻近效应，聚焦深度长，大于l0μm，单次照射面积大，故产能高，现在可达φ200mm硅片60片／h，可控制粒子反抗蚀剂渗透深度，较轻易制造宽高比较大三维图形等等；但也有很多缺点，如因为空间电荷效应，使得分辨率不好，现在只达成80～65nm，较厚掩模版散热差，易受热变形，有些时候还需要添加冷却装置等等。近几年因为电子束光刻应用快速扩展，粒子束光刻除了在FIB领域应用被人们接收外，在MEMS纳米器件制作领域也落后于电子束和光学光刻，同时，人们对其在未来半导体产业中应用也没有给予厚望。1.3物理接触式光刻技术经过物理接触方式进行图像转印和图形加工方法有多年开发，但和光刻技术相提并论，并纳入光刻领域是产业对光刻技术要求步入纳米阶段和纳米压印技术取得了技术突破以后。物理接触式光刻主要包含Printing、Molding和Embossing，其关键是纳米级模版制作，图4所表示是Printing(a)和Embossing(b)工艺流程原理。物理接触式光刻技术中，以现在纳米压印技术最为成熟和受人们关注，它分辨率已经达成了10nm，而且图形均一性完全符合大生产要求，现在主要应用领域是MEMS、MOEMS、微应用流体学器件和生物器件，预测也将是未来半导体厂商实现32nm技术节点生产主流技术。因为现在实际半导体规模生产技术还处于使用光学光刻技术苦苦探索和处理65nm工艺中一些技术问题，而纳米压印技术近期在一些企业研究中心工艺上取得突破以及验证技术优势，尤其是EVGroup和MII(MolecularImprintingInc)为一些半导体设计和工艺研究中心提供成套光刻系统(包含涂胶机、纳米压印光刻机和等离子蚀刻系统)取得满意数据，使得人们以为似乎真正找到了纳米制造技术突破口。所以，一些教授预测，到，市场对纳米成像工具、模版、光刻胶以及其余耗材需求将达成约15亿美元，最大客户依然是半导体产业和微电子产品制造业，约占52％左右。另外，值得一提是，纳米压印技术中最具被半导体工业化所首选是软光刻技术，软光刻技术原理和工艺流程如图5所表示。技术优点是结合了纳米压印思想和紫外光刻良好对准特征，即可灵活选择多层软模型，进行精准对位，也可在室温下工作，使用低于100kPa压力压印。1.4其它光刻技术光刻技术常见技术方案如上所述紫外光刻、电子束光刻、纳米压印光刻等，以广为业界人们所熟悉。但近年来，在人们为纳米级光刻技术探索出路同时，也出现了许多新技术应用于光刻工艺中，主要有干涉光刻技术(CIL)、激光聚焦中性原子束光刻、立体光刻技术、全息光刻技术和扫描电化学光刻技术等等。其中成像干涉光刻技术(IIL)发展最快，主要是利用经过掩模版光束空间频率降低，可使透镜系统搜集，然后再还原为原来空间频率，照射衬底材料上抗蚀剂，传递掩模版图形，能够处理传统光学光刻受限于投影透镜传递质量和品质，无法搜集光束较高频率部分，使图形失真问题。其余光刻技术因为在技术上取得突破甚微，距离应用相当遥远。2光刻技术技术性和经济性比较光刻技术作为产业发展技术伎俩，那种技术为产业界所普遍接收和采纳，是一个集技术性和经济性综合比较产物。首先，就狭义光刻技术(包含光刻机技术、涂胶／现像机技术等)本身而言，有技术和经济权衡；另首先，光刻技术进步还会受到广义上光刻技术(还包含掩模版及其制造技术、光刻胶及其制造技术、蚀刻和粒子注入技术等)影响。所以，本文就以ITRS对光刻技术修订内容，对光刻技术在技术性和经济性方面发表点拙见。2.1技术性比较首先，从现在几个光刻技术本身发展和开发使用情况来看，深紫外光刻、极紫外光刻、限角度散射投影电子束光刻、扫描探针电子束光刻技术、纳米压印光刻等，在能力上都有可能处理90nm以下半导体产业和微电子产品规模化生产问题，但真正产业化都有问题，如本文第一部分阐述；另首先，从技术标准和怎样与已经形成现有光刻庞大致系相互融合，顺利过渡，这些技术所处状态各不相同。就像半导体产业在20世纪80～90年代发展过程中，工艺技术形成了2～3个大IP体系，也就是以IBM和TI等为关键体系、以Siement和Toshiba为关键体系一样，光刻技术现在逐步也