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谈晶体管的饱和状态和饱和压降大家知道，一个普通的双极型晶体管有二个PN结、三种工作状态(截止、饱和、放大)和四种运用接法 PN结所施加不同的电位，就会使晶体管工作于不同的状态：两晶体管放大电路(注意：如果晶体管的发射结反偏、集电结正偏，就是晶体管的倒置放大应用)。要理解：晶体管的放大能力，就是晶体管的基极电流对集电极电流空穴是如何控制的等一些物理过程来看，就比较状态时，基极得到外来电源注入的电子流，部分会与基区中的空也就是说，在此PN结(集电结)联接集电极的一端，集中了大量带正电的空，一部分与基区内部的空穴进行了复合，而大部分电子则在强电场。有解释。流注入，晶体管还能工作在放大区吗如果不能，则晶体管会从放放大电路，都可以用这种方法进行。和集电极电位的关系中，可以非常方便地对晶体管的工作状态作出判VceVc—Ic*Rc；(Vce-Ic*Rc)-Vb≦0V(注意：此时集电结近似零偏压，已不是原来的反偏状态了)体管的集电极电位将进一步降低，当出现晶体管的基极注入已不能使晶体管的Ic随之增大时(即(Vce-Ic*Rc)-Vb=常数时)，我们就称此晶体管“进入深饱和状态”。此电路是用于小信号放大，只要晶体管的静态工作点设置正确，晶体管一般的是信号幅值较大的信号，例音频功放的输出级，则晶体管波形上出现“削顶”现象。这就是因输入信号的幅值太高，晶体，晶体管的饱和程度将加深。最后出现无论基极电流怎么增加，集电极电流。实流过。的一种物理特性。也就是说，晶体管的饱和状态，是晶体管的一种的条件决定的。晶体管在饱和工作时，对晶体管的可靠性不一定会产体管的基极注入电流，能使晶体管从放大区向饱和区过渡。基极电流能任现在的一些晶体管规格书，在极限参数这一栏里，许多功率型晶体管下几决定了晶体管子的扩散和漂移电流。”到准确的定量关系，其原因就在于，对于不同结构，不同工艺制一般晶体管只有工作在小电流区时，此二项电流成份才予以注意。再如集。关系导致了某些结型器件(例如双极型功率晶体管、可控硅整流器、功率开关二极管以及雪崩二极管等)要给出最大基极电流的主要原因。讨论晶体管的饱和特性，是为了更好地理解晶体管的一项直流参数饱和压降Vces。的动态范围有影响，这在音频功放中尤其明显，当所选晶体管的电流生产玩具的公司，在驱动电机时，控制电路采用两对功率晶体出在大电流状态，而晶体管的放大，是在一种特定的条件下测的，在常工作时，晶体管的状态，而忽略了电

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