20220928-长城证券-功率半导体行业深度报告：八大维度解析功率公司碳化硅IGBT分立器件哪家强

证券研究报告行业深度报告八大维度解析：功率公司碳化硅/IGBT/分立器件哪家强？——功率半导体行业深度报告长城证券研究院执业证书编号：S10705211200012022.09.28一张图看懂功率半导体全景梳理光电子半导体分类光电子434亿美元

低压（20V-50V）

中压（50V-500V）市场规模：136亿美元

高压（500V以上）

产业链分立器件D-O-S929分立器件D-O-S半5559导亿美元

传感器传感器191亿美元分立元分立元器件模拟IC模拟IC

二极管+3%功率分立器件33亿美元+3%功率分立器件TVSFRD

53亿美元5SCRTRIACGTO

BJT5亿美元GTR

MOSFET78亿美元SJSGT

IGBT14亿美元TrenchFSIT7

SiC器件2亿美元SBDDMOS

GaN器件1亿美元HEMT

Si SiC GaN功率芯片制造集成电路IC集成电路IC4630亿美元

741亿美元数字数字IC50亿美元28亿美元多通道PMIC开关稳压器DC-DC50亿美元28亿美元多通道PMIC开关稳压器DC-DC线性稳压器LDO功率IC及模块

第一代半导体器件

第三代半导体器件

芯片设计FablessFabless

晶圆制造34亿美元其他功率IC34亿美元其他功率IC电池管理IC

器件/模块封测二极管国外国内威世 扬杰科技罗姆 华微电子二极管国外国内威世 扬杰科技罗姆 华微电子苏州固锝市场规模：228亿美元市场规模：57亿美元IGBT模块其他模块47亿美元 10亿美元SiC功率模块等SiC二极管国外国内英飞凌 三安光意法半体时代电三菱电机 华润微过压保护欠压保护等集成开关的多相升降压转换器76亿美元 电压基准过压保护欠压保护等集成开关的多相升降压转换器76亿美元 电压基准PFC控制器等40亿美元 电路搭建晶闸管国外国内意法半体捷捷微恩智浦 华微电SiCMOSFET国外国内英飞凌 华润微Wolfspeed 时代电气罗姆 BJT国外国内英飞凌 扬杰科技安森美 华微电子士兰微

整流电路直流 交流交流 交直流 交流

升降压电路应用领域低压 高压MOSFET国外国内英飞凌 新洁能德州仪器 闻泰科应用领域低压 高压MOSFET国外国内英飞凌 新洁能德州仪器 闻泰科安森美 华润微风电 27亿美元高压电力运输IGBT国外国内IGBT国外国内英飞凌 时代电气三菱电机 士兰微富士电机 斯达半导光伏

用电端28亿美元

55亿美元

功率模块国外国内功率模块国外国内英飞凌 斯达半导安森美 时代电气三菱电机 BYD半导功率IC国外国内英飞凌 功率IC国外国内英飞凌 富满电子德州仪器 芯朋微意法半体 圣邦微下游应用国外国内特斯拉 华为宝马 蔚来108亿美元

176亿美元

消费电子数据来源：WSTS，Yole，KBVResearch，长城证券研究院整理

注：图中示市规模为2021年预数据 2PAGE3（本表格中未注明处，其单位均为：亿美元）数据来源：PAGE3（本表格中未注明处，其单位均为：亿美元）数据来源：WSTS，Yole，KBVResearch，长城证券研究院整理产业链环节市场规模一级分类市场规模二级分类市场规模三级分类市场规模全球主要厂家国内主要厂家功率芯片制造421功率分立器件136第一代半导体器件133二极管33威世、罗姆扬杰科技、苏州固锝、华微电子、华润微、瑞能半导体、银河微电、东微半导、士兰微、捷捷微电晶闸管3意法半导体、恩智浦捷捷微电、华微电子、瑞能半导体、台基股份BJT5英飞凌、安森美华润微、瑞能半导体、银河微电、士兰微MOSFET78英飞凌、德州仪器、安森美、意法半导体、罗姆、东芝、恩智浦、威世、瑞萨士兰微、华微电子、新洁能、闻泰科技、华润微、东微半导IGBT14英飞凌、三菱电机、富士电机、Semikron、日立、安森美、威科、ABB比亚迪半导体、士兰微、华微电子、时代电气、斯达半导、华润微、宏微科技、新洁能第三代半导体器件3SiC分立器件2Cree、罗姆、英飞凌、STM三安光电、BYD半导、斯达半导、华润微、士兰微、时代电气、瑞能半导体GaN分立器件1Cree、Nitronex、东芝士兰微、华润微、闻泰科技功率模块57IGBT模块47英飞凌、Semikron、富士电机、三菱电机斯达半导、BYD半导、时代电气、宏微科技、华微电子、台基股份SiC模块6英飞凌、罗姆、三菱电机BYD半导、斯达半导、时代电气其他4英飞凌、Semikron、三菱电机士兰微、华微电子功率IC228多通道PMIC50英飞凌、德州仪器、瑞萨、MPS圣邦微、矽力杰DC-DC开关稳压器40英飞凌、德州仪器、意法半导体、安森美、MPS矽力杰、圣邦微电池管理IC34英飞凌、德州仪器、罗姆、瑞萨、MPS矽力杰、圣邦微线性稳压器28德州仪器、ADI、英飞凌、意法半导体、MPS圣邦微、矽力杰、芯朋微、力芯微其他76英飞凌、德州仪器、意法半导体、安森美、MPS圣邦微、矽力杰下游应用421消费电子电动汽车与交通工业信息与通信技术国防与航空航天其他176索尼、Apple、戴尔、三星、LG小米、VIVO、OPPO、联想、美的、格力、海尔108特斯拉、宝马、奔驰蔚来、小鹏、比亚迪、理想55西门子、ABB、艾默生、罗克韦尔、施耐德、GE汇川技术、英威腾27爱立信、三星华为、中兴、移动、联通、电信、TP-LINK28波音中国航天、中国商飞27Nodex、EurusEnergy、FirstSolar天合光能PAGE4PAGE4目录CONTENTS功率半导体趋势：围绕性能升级，向更高频高压领域进发01●功率半导体分类：功率分立器件+功率模块+功率IC市场结构化演变，转向高频高压领域：二极管、三极管、晶闸管→主流的MOSFET、行业未来发展趋势：（1）内部结构迭代升级；（2）功能模块集成度升级；（3）宽禁带材料替代突破硅限02公司横向对比：各有千秋，时代、斯达、BYD产品优势凸显02产品线布局的广度：闻泰科技、华润微布局最全（覆盖80%），士兰微其次（覆盖第三代半导体器件布局趋向全面，九成以上公司布局SiC赛道。产品技术深度：IGBT：斯达、时代、BYD、士兰微对标国际英飞凌最新Gen.7；SiC：斯达、时代、BYD领先车规级SiC模块；GaN：闻泰、三安、华润微领先8英寸硅基GaN产品议价能力：时代、BYD、斯达以数；一些公司在第三代半导体价格端优势显现：泰科天润SiC二极管均价两位数，安世GaN晶体管均价上百元，斯达SiCMOSFET模块均价高达几千元。实际经营情况：(1)闻泰科技体量最大，营收达138亿元；(2)东微半导人均创收1043(3)闻泰科技研发支出最高，高达37亿元；(4)圣邦微PMIC盈利能力最强，毛利率高达53%；(5)闻泰科技、苏州固锝运营能力最强，存货周转天数仅45天、48天。03投资建议：IGBT赛道和第三代半导体赛道“龙头低估”&“小而美”03持续看好半导体国产替代趋势，重点关注IGBT及SiC布局的相关公司。随着车规级IGBT需求驱动以及第三代半导体加速渗透，持续看好IGBT和SiC&GaN布局的“小而美”成长型公司，其中重点关注斯达半导、BYD半导、时代电气等。同时“龙头赛道”具备长期配置价值，重点关注闻泰科技、华润微、士兰微等。一、功率半导体趋势：围绕性能升级，向更高频高压领域进发功率半导体分类：分立器件+功率模块+功率早期二极管VS三极管VS晶闸管：开关速度慢，常用于低频领域主流功率器件MOSFETVSIGBT：向更高频领域VS向更高压领域； 功率器件结构端演进：器件结构迭代性能升级，工艺复杂度提升

功率器件产品端演进：功能集成模块化，更适用高压大电流场景 功率器件材料端演进：性能突破硅限，SiC、GaN成未来功率新趋势数据来源：WSTS，Yole数据来源：WSTS，Yole，KBVResearch，华润微，长城证券研究院整理注：图中所示市场规模均为2021年预测数据PAGE6功率半导体分类：功率分立器件+功率模块+功率IC▶功率半导体是电力电子装置实现电能转换、电路控制的核心器件，其主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功率控制等。▶按器件集成度划分，功率半导体可以分为功率分立器件、功率模块和功率IC三大类。图：功率半导体分类及市场规模图：功率半导体分类及市场规模421亿美元

136亿美元（占功率半导体57亿美元功率半导体（占14%）228亿美元（占

二极管33亿美元晶体管功率分立器件97亿美元功率分立器件3亿美元功率模块第三代半导体3亿美元IGBT模块功率模块47亿美元其他模块10亿美元功率IC线性稳压器功率IC28亿美元开关稳压器DC-DC40亿美元

BJT5亿美元MOSFET78亿美元IGBT14亿美元SiC2亿美元GaN器件1亿美元多通道PMIC50亿美元电池管理IC34亿美元

其他功率IC76亿美元数据来源：东芝，KIA，菱端电子，电子工程网，长城证券研究院整理数据来源：东芝，KIA，菱端电子，电子工程网，长城证券研究院整理PAGE7早期二极管VS晶闸管VS三极管：开关速度慢，常用于低频领域+++b基极-+++b基极-------Vbe＜0.7V时0Ve发射极（1）截止状态--Vbe＜0.7V时0Ve发射极（1）截止状态------+0.1V

图：三极管BJT原理示意图：导通时需有连续电流供应，可实现电流线性放大 c集电极+3V 大电流c集电极+3V大电流Ic=β·Ibc集电极+3V小电流Ib--小电流Ib--N-0Ve发射极大电流Ib图：晶闸管原理示意图：正向触发导通后，无电流供应仍可保持导通图：晶闸管原理示意图：正向触发导通后，无电流供应仍可保持导通（2）线性放大状态Vbe＞0.7V时电流Ie-（2）线性放大状态Vbe＞0.7V时电流Ie--N---图：二极管原理示意图：仅可单向导通形成电流（1）正极P+++++-+PN结导通----- 负极+++--N-二极管导通，形成电流I（2）正极 +++++++++- +PN结截止- 负极--- --× +二极管不导通+12VPN

导通电流--

--N

阳极a（3）饱和状态-----0V（3）饱和状态-----0Ve发射极Vbe＞Vce时电流IeJ1

阳极-12V+P+++++++P-N

J1截止J2截止

-- J2

-- -

--J20V/-5V控制极g

P +5VJ3 控制极

---P---

+5V控制极g

+++P++++

J3截止N --N-- ---N---触发电流 - -0V阴极

导通电流

0V阴极

0V阴极k（1）晶闸管正向阻断

（2）晶闸管触发导通

（3）晶闸管反向阻断图：功率器件性能对比：三者均适合低频领域，开关频率不高，其中二极管最常见，晶闸管适合100-3000V高压场景，三极管适合10-700V中高压场景类型 可控性 驱动形式 工作电压及频率 特点 应用领域二极管 不可控型 电流驱动 / 电压电流较小，只能单向导电 电子设备、工业--------------P--+--------------P--+5Vb基极--------c集电极饱和电流Ic +3V----------P+1V -b基极--N截止-N

半控型全控型

电压驱动电流驱动

2-70，≤2kz

体积小、耐压高，但必需额外设置关断电路耐压较高，且导通电阻低，能够放大电流信号，但存在拖尾电流，限制开关速度较慢

工业、UPS、电焊机、变频器放大器电路，驱动扬声器、电动机数据来源：基业常青，英飞凌官网，Yole，数据来源：基业常青，英飞凌官网，Yole，CSDN，长城证券研究院整理PAGE8DDDDD漏极Vgsth＞Vgs≥0时+------------------+++++++++++++++++++P+N-N+D漏极Vgsth＞Vgs≥0时+DDDDD漏极Vgsth＞Vgs≥0时+------------------+++++++++++++++++++P+N-N+D漏极Vgsth＞Vgs≥0时+N------------------+D漏极N-P+P--Vgs≥Vgsth时+NP▶目前主流功率器件为MOSFET和IGBT，MOSFET开关频率高，更适用于高频中高压领域（100-1000KHz,20-1200V），IGBT耐压很高，更适用于高压中低频领域（＜100KHz,600-6500V）。N++++ G栅极--N+++++--P+++-S源极(1)关断状态G栅极N+N型-沟道-NN+沟道-Vgs≥Vgsth时- +---N++++ G栅极--N+++++--P+++-S源极(1)关断状态G栅极N+N型-沟道-NN+沟道-Vgs≥Vgsth时- +--- G栅极极--S源G栅极导通电流(2)导通状态NN-D漏极+--- G栅极-S源极--N---+G导通电流BJT + MOSFET BJT + MOSFET 图：MOF图：MOFE工作原理示意图：栅极加正电压，形成型沟道导通图：IGT工作原理示意图：MOSETBJT串联，导通原理相同，但耐压更高(1)关断状态G栅极-S源极+++N++++N+++ G栅-- -- 极P(2)导通状态-图：M图：MOFE的应用场景：器件开关频率很高，以高频中高压领域为主图：IGT的应用场景：器件耐压很高，以高压中低频领域为主频率范围（100-1000KHz）频率范围（＜100KHz）20-100V110-500V500-800V800-1000V1000V以上＜600V600-1350V1400-2500V2500-6500V手机LCD显示器车灯风力发电高压变频器内燃机点火器新能源汽车UPS电源轨道牵引数码相机UPS电源地铁、城轨电机驱动智能电网数码相机电热水器电源电焊机发电设备（消费电子领域） 白色家电太阳能电池、风电大型工业装备电动自行车背投电视电极控制变频器-电焊机、工业变频器--中低压MOSFET（＜500V）高压MOSFET（＞500V）-太阳能电池、风电--超低压IGBT低压IGBT中压IGBT高压IGBT数据来源：Yole，各公司官网，数据来源：Yole，各公司官网，ET创芯网论坛，长城证券研究院整理PAGE9功率器件结构端演进：器件结构迭代性能升级，工艺复杂度提升MOSFET超级结IGBT非穿通→场截止”和“平面栅→沟槽栅”的演变，这些优化都在不断提升器件耐压、降低损耗和导通电阻。二极管晶体管双 GTO 二极管晶体管极型 BJT IGBT管IGBT

IGCT SiC二极管 SiCBJTGen.2Gen.5Gen.2

Gen.7MOSFETMax.600VMOSFETSJMOSFET场效应管SJMOSFET

Max.

SiCJFETSiCMOSFETSiCJFET

Max.7000V1970 1990

2010

GaNHeMT

2017

2020MOSFET面世时间MOSFET

1970s

1980s 1990s 2000s

耐压芯片面积、导通电阻减小元胞结构简图

电场 电场 电场强度 强度 强度

电场强度 高中压

器件耐压、工作频率提高峰值电场Gen1.

Gen3.

均匀电场演 （1）平面型MOSFET （2）沟槽型MOSFET （3）超级结MOSFET （4）屏蔽栅MOSFET进

低压

Gen2.沟槽型MOSFET

Gen4.屏蔽栅MOSFET耐压范围

100-0050

12-250V；低压（高频） 500-900V；高压（高频

30-300V；中低压（高频）

低频 高

工作频率1988199019921997200120032018工艺尺寸减小面世时间 Gen11988199019921997200120032018工艺尺寸减小面世时间 Gen1平面栅穿通型Gen2精细平面栅穿通Gen3沟槽栅穿通型Gen4平面栅非穿通Gen5平面栅场截止Gen6沟槽栅场截止Gen7微沟槽栅场截止第五代平面栅FS第六代沟槽栅FS第七代FSN-基图形精细化消除JFET效应区熔衬底降低厚度背注缓冲区厚度减薄背注缓冲区厚度减薄元胞结构IGBT场截止IGBT（FS）基N-结非穿通基N-结

厚 简图降低导压降提高开 度

N+缓冲区

N-基

基N- N-基 N-基基NN型场截止

N-基构（NPT）

NPT

关特性提高穿电压 减小

衬底 衬底 衬底

衬底 N型场截止演 功率损耗（绝对值）10074513933功率损耗（绝对值）100745139332925断态电压（伏）60060012003300450065007000通态饱和压降（伏）3.02.82.00.8（PT）

第一代平面栅PT

第二代（精细）平面栅PT

第三代沟槽栅PT平面栅结构 沟槽栅结

表面栅结构数据来源：英飞凌官网，21ic电子网，与非网，长城证券研究院整理数据来源：英飞凌官网，21ic电子网，与非网，长城证券研究院整理PAGE10件产品端演进：功能集成模块化，更适用高压大电流场景▶相比单管的功率分立器件，集成度更高的功率模块和功率IC能够实现高可靠、高集成、高效率的性能，在高压大电流场景和消费电子场景应用广泛。▶功率模块由多个分立的功率单管按特定功能串、并联组成。相比单管，功率模块能简化外部连接电路，更适合高压和大电流场景，可靠性更高。比如同一制造商的同系列产品，IGBT模块的最高电压一般会比IGBT功率IC通常由(PMIC)。IC图：图：IPM功率模块的应用案例：经过二极管整流、PFC模块、直流母线电容、逆变器模块，最终实现用于电机可变频率、可变电压的交流电IPM IPM交流电源

PFC校正传感PFC校正

逆器 直流母线电容传感直流母线电容

可变频率电机固定电压驱动断器 控制固定电压驱动

控制可变电压断续器驱动启动可变电压V+-V+-VV+-V+-V+-V+-V+--数据来源：Yole，英飞凌，意法半导体，数据来源：Yole，英飞凌，意法半导体，OFweek，长城证券研究院整理PAGE11功率器件材料端演进:性能突破硅限，SiC、GaN成未来功率新趋势Si、GaN）0-300V区间内SiC区间则是GaN。SiC器件相对于Si10倍的耐压，1/10SiC二极管、SiCMOSFET以及SiC模块SiCMOSFETSiC特别是需要高压、高能量密度应用场景，如充电桩、车载充电机及汽车电驱等。GaN器件相对于器件的优势来自：Si10不如SiC。目前GaNGaN晶体管图：半导体材料特性对比：相比S图：半导体材料特性对比：相比S，SC更耐高温高压，GN开关频率高图：功率半导体应用范围：SiC器件高压场景，GaN器件高频场景更耐高温：x3熔点10^3℃

能量电网10MW

风电 轨道交

光伏 船舶电生产、5更易冷却：x3 43热导率21

更高运行温度：x3禁带宽度eV

1MW100kW

可关断型晶闸管（GTO）IGBT模块晶闸

SiC模块

运输电动汽车工业0更高开关频率：x10 电子饱和漂移速度

更低损耗：x1/10更高耐压：x10

1kW

管IGBTBJT

MOSFET

SiCMOSFETGaNMOSFET

空调不间断电源(UPS）10^7cm/s

击穿电场MV/m

100W冰箱硅 碳化硅 氮化镓

10Hz 1kHz

工作频率PAGE12PAGE12二、公司横向对比：各有千秋，时代、斯达、BYD产品优势凸显产品线布局：闻泰科技、华润微布局最全（覆盖80%），士兰微其次（覆盖73%）；整体第三代半导体器件布局趋向全面，其中九成以上的公司布局SiC赛道。最新技术及产能：IGBT：斯达、时代、BYD半导、士兰微对标国际英飞凌最新Gen.7；SiC：时代、斯达、BYD车规级SiC模块技术领先；GaN：闻泰科技、三安光电、华润微领先8英寸硅基GaN器件技术。产品议价能力：时代、BYD、斯达IGBT模块产品议价能力强，均价高于百元量级；泰科天润（SiC）、闻泰科技（GaN）、斯达半导（SiCMOSFET）第三代半导体价格优势凸显。实际经营管理情况：闻泰科技市占地位最高，营收达138亿元；(2)东微半导人均创收1043万元，管理效率最高；(3)闻泰科技研发支出最高，高达37亿元； (4)圣邦微PMIC盈利能力最强，毛利率高达53%；(5)闻泰科技、苏州固锝运营能力最强，存货周转天数仅45天、48天。数据来源：iFind数据来源：iFind，长城证券研究院整理指向对比闻泰科技 华润微 士兰微 斯达半导 新洁能 BYD半导 时代电气 东微半导市占地位

运营能力

产品线布局10090807050403020100

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议价能力研发支出 管理效率13盈利能力1414维度一：产品线多样化布局，究竟孰强孰弱？15数据来源：公司官网，公司公告，长城证券研究院整理15数据来源：公司官网，公司公告，长城证券研究院整理：闻泰、华润微品类最全，切入布局三代半73%作为全球领先的分立功率半导体IDM、MOSFETPowerMOS全球排名第二、功率分立器件全球第六，体量优势最大。IGBT、赛道。在SiC12（92%）有SiCBYD等7家（58%）SiCMOSFETGaN方面，已图：各公司功率半导体产品线布局对比：器件从低门槛领域逐渐突破，但各公司目标市场呈现差异化，其中闻泰、华润微覆盖产品类型最全，士兰微其次有闻泰科技、华润微、士兰微、三安光电等6家（占比达50%）公司切入GaNFET产品线。图：各公司功率半导体产品线布局对比：器件从低门槛领域逐渐突破，但各公司目标市场呈现差异化，其中闻泰、华润微覆盖产品类型最全，士兰微其次分类细分闻泰科技华润微士兰微捷捷微电新洁能三安光电BYD苏州固锝时代电气东微半导二极管✔✔✔✔✔✔✔✔✔三极管✔✔✔✔✔整流桥✔✔✔✔✔✔晶闸管✔✔MOSFET平面型✔✔✔✔✔✔沟槽型✔✔✔✔✔✔✔屏蔽栅✔✔✔✔✔✔✔超级结✔✔✔✔✔✔✔IGBT单管✔✔✔✔✔✔✔✔✔模组✔✔✔✔✔✔✔✔IPM✔✔✔✔✔✔SiC二极管✔✔✔✔✔✔✔MOSFET✔✔✔✔✔✔✔GaN二极管✔FET✔✔✔✔✔✔PAGE16PAGE16维度二：IGBT/SiC/GaN最新进展，技术各有千秋PAGE17数据来源：公司官网，公司公告，长城证券研究院整理PAGE17数据来源：公司官网，公司公告，长城证券研究院整理国内IGBT最新进展：BYD、时代、斯达纷纷赶追英飞凌Gen.7▶在IGBT领域，国内目前具备领先技术实力、能实现对标英飞凌最新第七代IGBT的IDM公司主要有BYD半导体、时代电气、斯达半导、士兰微。在IGBTIGBT到6500VIGBT；BYD半导600-1200V电压，电压车规级IGBT模块也已大批量出货；士兰微在家电领域为主的IPM模块市场占据明显优势，目前已切入车载领域。图：国内图：国内IGBT厂商各维度对比分析：从应用领域来看，国产IGBT在家电、工控及新能源领域已有所突破，当前阶段各公司IGBT布局进入车载领域运营模式IGBT电压覆盖范围IGBT主要应用领域最新技术对标英飞凌代际IGBT产品最新进展轨交车载光伏风电工控家电东微半导Fabless600-1350V✔✔✔TGBT▶第一代650VTGBT芯片的电流密度为400A/cm2，达到国际主流第七代IGBT技术水平。BYD半导体IDM600-1200V✔✔✔✔第七代▶目前公司基于高密度TrenchFS的IGBT5.0技术已实现量产时代电气IDM750-6500V✔✔✔✔✔第七代▶750V车规级逆导IGBT芯片处于样件试验阶段斯达半导Fabless→IDM100-3300V✔✔✔✔✔第七代基于第六代IGBT技术的1200VIGBT芯片在12寸产线实现大批量生产基于第七代IGBT技术的车规级650V/750VIGBT芯片研发成功，预计于2022年开始批量供货士兰微IDM600-1350V✔✔✔第七代▶车载IGBT已在部分客户处批量供货宏微科技Fabless650-1700V✔✔✔✔第七代▶预计2022年750V车规级IGBT开始起量华微电子IDM360-1350V✔✔第六代▶于2021年3月推出系列IGBT，功率为600V，用于工控、电焊机、UPS、PFC等新洁能Fabless600-1350V✔✔✔第五代▶21H1新增10余款IGBT模块产品；PIM模块已送样▶1700VIGBT产品以及车载IGBT产品处于研发中华润微IDM600-1350V✔✔第四代沟槽FS-IGBT1200V40A产品通过工业级考核并已实现量产扬杰科技IDM650-1200V✔第四代▶基于8英寸平台的Trench1200VIGBT芯片完成了系列化的开发工作闻泰科技IDM/✔/▶目前车规级IGBT系列产品流片已经完成，正处测试验证阶段国内SiC器件最新进展：BYD、时代、斯达SiC模块应用新能源车图：国内厂商SiC最新进展对比：从应用领域来看，斯达、BYD、时代在新能源车领域已有SiC模块应用，其中时代电气拥有覆盖全电压等级的SiC芯片产品国内厂商产品类型参数范围SiC产品具体进展已上市闻泰科技SiC二极管/▶碳化硅二极管产品已经出样。华润微SiC二极管650V/4-32A；1200V/2-40A▶2020年，推出650V和1200V工业级SiCSBD产品系列，实现国内首条商用量产的6英寸SiC晶圆生产线；▶2021年，自主研发平面型1200VSiCMOSFET进入风险量产阶段，静态技术参数性能对标国际一线品牌；推出第二代650V/1200VSiCJBS产品。SiCMOSFET1200V/36A士兰微SiCMOSFET/▶2021H1，SiC功率器件的中试线实现通线；2021年，完成车规级SiC-MOSFET器件的研发，厦门建设一条6吋SiC功率器件芯片生产线，预计在2022Q3实现通线。扬杰科技SiC二极管650V/6-30A；1200V/10-40A▶2022H1，成功开发650V2A-40A、1200V2A-40ASiCSBD产品，完成批量出货；▶2022H1，SiCMOSFET产品中，SiC1200V80mohm系列产品，已实现量产；▶预计1200V40mohm的产品将于22Q4推出。SiCMOSFET1200V/39A捷捷微电SiC二极管650V/4-60A；1200V/10-40A与中科院联合攻坚车规级SiCMOSFET的研发中，拟搭建800V-1200V车规级SiCMOSFET平台通过AEC-Q101可靠性认证且规模量产。斯达半导SiCMOSFET100V/10A；1200V/50-450A；1700V/300A▶SiC模块：机车牵引辅助供电系统、新能源汽车行业控制器、光伏行业已有推广应用；新能源汽车领域，新增多个使用全SiCMOSFET模块的800V系统的主电机控制器项目定点。新洁能SiCMOSFET/1200V新能源汽车用SiCMOS平台开发：1200VSiCMOSFET首次流片验证完成，产品部分性能达到国内先进水平，尚处于验证评估阶段。三安光电SiC二极管650V/2-100A；1200V/2-100A▶2021年，SiC二极管在2021年新开拓送样客户超500家，出货客户超200家，超60种产品已进入量产阶段；▶在PFC电源、光伏逆变器、车载充电机、家电领域、充电桩及UPS等各细分应用市场标杆客户实现稳定供货。SiCMOSFET750V；1200V；1700VBYD半导SiCMOSFET1200V/33A；1200V/700-840A(模块)▶完成1,200V碳化硅（SiC）MOSFET工艺技术开发；SiC单管主要应用于新能源汽车的充电系统和DC-DC领域；SiC三相全桥模块在新能源汽车电机驱动控制器中大批量装车的功率半导体企业，已实现SiC模块在新能源汽车高端车型的规模化应用。时代电气SiC二极管1200-3300V/10-47A▶拥有全套特色先进SiC工艺技术的4英寸及6英寸兼容的专业SiC芯片制造平台；SiCMOSFET1200-3300V/32-60A；1200-3300V/500-1600A(模块)拥有全电压等级（750V-3300V）MOSFET及芯片产品，应用于新能源汽车、轨道交通、工业传动等多个领域。东微半导SiC二极管650V/80-90A▶完成650VSiC产品工艺与器件设计。国内外SiC产能进展：国内产能追赶6英寸，国际迈向8英寸布局▶在SiC产能方面，衬底和外延方面国内公司产能以4英寸为主，向6英寸过渡，而国际上已实现6英寸商用化，各龙头公司纷纷开启8英寸布局，国内产能仍落后一定差距。SC（）（厂商布局英寸SC英寸Si芯片产线厂商所处产业链位置现有产能情况产能计划国内厂商天科合达单晶衬底2-4英寸碳化硅晶片产能达5833片/月；4-8英寸SiC衬底产能约5833片/月碳化硅衬底项目预计可年产6英寸碳化硅衬底12万片，其中6英寸导电型SiC晶片约8.2万片，6英寸半绝缘型SiC晶片约3.8万片天岳先进单晶衬底SiC衬底产能约5583片/月碳化硅半导体材料项目预计2022年三季度实现一期项目投产，并计划于2026年实现全面达产，对应6英寸导电型SiC衬底产能为30万片/年；河北同光单晶衬底4-6英寸碳化硅单晶衬底产能8333片/月计划建设年产60万片碳化硅单晶衬底加工基地，预计2025年末实现满产运营。露笑科技单晶衬底6英寸SiC衬底预计2022年底能实现产能5000片/月预计在2023年实现年产24万片导电型SiC衬底、5万片外延片的产能规划瀚天天成外延片6英寸SiC外延片一期产能5000片/月。二期项目于2022年3月31日顺利竣工，产能达16666片/月碳化硅产业园三期项目将于今年年内启动建设，三期项目产能规模将达140万片。东莞天域外延片3英寸、4英寸SiC外延晶片产能超1666片/月2022年3月，“国产碳化硅外延设备产业化应用”项目计划年产2万片6英寸碳化硅外延片斯达半导器件/模块/SiC研发及产业化项目，预计达产后将形成年产36万片6英寸SiC功率芯片的生产能力；拟投2.2947亿元建设车规级全SIC功率模组生产线和研发测试中心，年产8万颗泰科天润IDM4英寸SiC晶圆线产能666片月；一期6英寸SiC晶圆已通线，产能5000片/月2021年，6英寸碳化硅电力电子器件生产线进入量产，一期产能预计为6万片/年华润微IDM6英寸SiC晶圆生产线产能约为1000片/月/时代电气IDM4英寸SiC芯片线833片/月SiC芯片产线扩产项目，建设工期为24个月，预计建成后将现有4英寸SiC芯片线年1万片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线2.5万片/年。三安光电IDM6英寸SiC晶圆产能6,000片/月湖南三安一期项目完成建设并顺利投产，目前6英寸碳化硅晶圆产能达30000片/月士兰微IDM已实现SiC功率器件中试线通线士兰明镓拟建设一条6吋SiC功率器件芯片生产线，建设周期3年，最终形成年产14.4万片6吋SiC功率器件芯片的产能国外厂商WolfspeedIDM预计2022年SiC衬底产能折合6英寸达到7.1万片/月纽约的全球第一座8英寸SiC晶圆厂预计在2022年第三季度量产。Ⅱ-ⅥIDMSiC衬底产能折合6英寸达到16666片/月，计划5年内6英寸晶圆产能扩张5-10倍，8英寸衬底2024年量产。RohmIDM预计2025年扩产SiC衬底产能至30-40万片预计2023年量产8英寸，计划到2025年投资850亿日元，使产能提升16倍。国内GaN器件最新进展：闻泰、三安、华润微硅基GaN技术量产在GaNGaN650V等级的34.5-60AGaN器件650V34.5-60A已通过AECQGaNFET可覆盖650V、900V650V5-20A区间。图：国内厂商图：国内厂商GaN最新进展对比：从进展来看，闻泰科技、三安光电、华润微均已有产品进入量产阶段，其他公司产品当前处于研发、验证阶段中国内厂商产品类型参数范围GaN产品具体进展已上市闻泰科技GaNFET650V/34.5-60A▶已推出硅基氮化镓功率器件(GaNFET)，已通过AECQ认证测试并实现量产，并协同产业合作伙伴完成了GaN在电动车逆变器、电控、电源等方案的设计工作。华润微GaNFET650V/8-37A；900V/23A▶自主研发的第一代650V硅基氮化镓D-mode器件样品静态参数达到国外对标水平，完成三批量1000小时可靠性考核，进入转量产阶段；▶自主研发的第一代650V硅基氮化镓E-mode器件性能达标，器件封装开发完成。士兰微GaN器件/▶硅基GaN化合物功率半导体器件的研发取得较大进展，已有工程样品供内部评价。捷捷微电GaN器件/▶完成高稳定大电流Si基GaN增强型场效应晶体管，以及高耐压大电流、低开启Si基GaN功率二极管的研究；▶设计开发额定电压100V~600V的大电流Si基GaN电力电子器件全套研制流程。新洁能GaNHEMT/▶650VE-ModeGaNHEMT首次流片验证完成，产品部分性能达到国内先进水平，尚处于验证评估中。三安光电GaN器件650V/5-20A▶完成约60家客户工程送样及系统验证，24家进入量产阶段，产品性能优越。国内外GaN产能进展：国内布局8英寸外延片，国际GaN衬底量产在GaN8GaN1000片/GaN6英寸GaN图：国内外GaN厂商产能对比分析：从国内来看，三安光电、华润微等国产厂商集中在8英寸硅基氮化镓外延片上有产能突破，国际上已开始量产GaN衬底。图：国内外GaN厂商产能对比分析：从国内来看，三安光电、华润微等国产厂商集中在8英寸硅基氮化镓外延片上有产能突破，国际上已开始量产GaN衬底。厂商所处产业链位置现有产能情况产能计划国内厂商赛微电子IDM8英寸GaN外延晶圆产能达到833片/月“青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目”规划最终形成总体产能60,000片/年，一期产能30,000片/年闻泰科技IDM/英国8英寸硅基氮化镓器件生产线即将生产士兰微IDM已打通一条6英寸硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月，12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线正式开工。在厦门规划建设一条4/6英寸兼容先进化合物半导体器件（第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片）生产线苏州能讯IDM4英寸GaN晶圆产能为2083片/月计划2022年建设第二工厂规划为8寸氮化镓工厂，兼容GaN-on-SiC与GaN-on-Si华润微IDM拥有8英寸硅基氮化镓生产线华润微规划建设的化合物半导体项目,判断生产线主要是GaN工艺。该项目将分两期实施,其中一期项目投资20亿元,二期投资30亿元英诺赛科IDM8英寸硅基氮化镓生产线产能达到10000片/月8英寸硅基氮化镓的产能预计将扩张至每月70000片以上三安光电IDM硅基氮化镓产能1000片/月湖南三安一期项目产能还在持续释放中江苏能华IDM已有6英寸硅基GaN功率器件生产线和8英寸GaN外延生产线预计二厂建成投产后，氮化镓月产能达3万片国外厂商住友电气IDM2022年开始量产4英寸功率半导体用单晶衬底。从2022-2023年在日本扩展全新的生产设备，2024年前后将在日本全面扩展4英寸衬底所需的生产体系，产能未定；已成功制作6英寸GaN衬底，并加快量产技术的建立三菱IDM量产4英寸衬底，2022年4月开始供应4英寸GaN单晶衬底正在开发6英寸的GaN产品PAGE22PAGE22维度三：各产品价格对比，议价能力或见分晓（注：图表中平均单价均来源于2021年度公司年报数据测算）PAGE23（注：图表中平均单价均来源于2021年度公司年报数据测算）PAGE23数据来源：各公司年报，长城证券研究院整理功率龙头公司器件单价对比：时代、BYD、斯达IGBT定价领先BYDIGBTBYDIGBT模块MOSFET都在个位数水平。这一方面主要来源于模块产品与单管产品价格的差异，另一方面也来源于IGBT的高附加值。从IGBTIGBT从IGBTIGBTBYD半导IGBT400+IGBT100+元。从MOSFET2.84元/MOSFET平均IGBT模块单价测算（元/模块）IGBT时代电气IGBT模块

181.66

416.04

967.01MOSFETMOSFET晶 捷捷微闸管 闻泰科、 苏州固二极 扬杰科管等

0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1,000各类功率器件平均单价测算（元/颗）2.840.67 1.630.671.630.310.240.140.130.070.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0（注：图表中各品类器件单价均来源于零售商安富利数据） PAGE24（注：图表中各品类器件单价均来源于零售商安富利数据） PAGE24数据来源：元器件分销商网站，长城证券研究院整理功率龙头公司单管价格横向对比：士兰微全品类价格优势凸显▶相比于年报测算价格，经销商对于消费者的定价普遍在更高水平，这主要来源于终端销售的溢价。其中，IGBT单管均价与年报测算价格呈现出近1:12的倍数关系，主要由单管与模块单管数量上带来的价格差异所致。▶整体来看，同样呈现出器件越高端，价格越高的趋势。同时，士兰微在功率分立器件全品类的价格优势凸显。细分各品类中，在各类二极管和三极管方面，士兰微均价最高；在MOSFET方面，东微半导均价最高，华润微、士兰微位居二、三名，在IGBT方面，斯达半导单管均价最高，其次是华润微、士兰微。其中，士兰微覆盖超结MOSFET、IGBT、FRD、高性能低压分离栅MOSFET等分立器件的技术平台，产品性能达业内领先水平，在分立器件的全品类里均能占据一定的定价优势。各类二极管平均单价（元/颗） MOSFET平均单价（元/颗）华微电子捷捷微电安世华微电子安

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5三极管平均单价（元/颗）

3.0

华润微士兰微华微士兰微士兰微华微电子

0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0IGBT单管平均单价（元/颗）0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 0.0 5.0 10.0 15.0PAGE25数据来源：元器件分销商网站，长城证券研究院整理（注：图表中各品类器件单价均来源于零售商数据）PAGE25数据来源：元器件分销商网站，长城证券研究院整理（注：图表中各品类器件单价均来源于零售商数据）各公司三代半器件价格对比：斯达、闻泰、泰科天润布局优势凸显SiCMOSFETSiCSiCMOSFETSiC极管和SiCMOSFET。▶国内厂商泰科天润、斯达半导、闻泰科技布局第三代半导体，表现出比硅基器件高一个量级的价格端优势。在SiC二极管方面，国内厂商泰科天润均价达到11元/颗，高于普通硅基二极管均价；在SiCMOSFET模块方面，斯达半导均价达到3775元/模块，明显高于硅基IGBT模块均价；在GaN晶体管方面，闻泰科技旗下的安世半导体单管均价达到117元/颗，明显高于硅基IGBT单管价格。▶国内产品相比于国际龙头厂商单价更低，主要可能来源于国产替代的成本价格优势及国际竞品的性能优势。安森美泰科天润

11.39

SiC二极管平均单价（元/颗）

65.820 10 20 30 40 50 60 70 80罗姆英飞凌斯达半导

SiCMOSFET模块平均单价（元/模块）4786.623775.51

8549.790 1,000 2,000 3,000 4,000 5,000 6,000 7,000 8,000 9,000 10,000英飞凌安世半导体

GaN晶体管平均单价（元/颗）117.55

141.610 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200PAGE26PAGE26维度四&五：公司经营情况之市占地位&管理效率数据来源：iFind，长城证券研究院整理数据来源：iFind，长城证券研究院整理（注：图表中均为2021年度数据）PAGE27各公司财务数据对比：闻泰科技市占地位最高，东微人均产值最高13810261通讯等领域企业均建立了深度的合作关系，在2021年安世跻身全球第六大功率半导体公司，相比2020年上升三位，并稳居国内功率半导体公司第一名位置。1043487人Fabless，相比IDM，功率半导体营收（亿元）功率半导体营收（亿元）150100500 138.03 101.58 61.06 40.12 22.38 17.48 15.95 150100500138.03101.5861.0640.1222.3817.4815.9515.3314.94 13.5113.0110.687.82闻泰科技 华润微 士兰微 扬杰科技 圣邦微 捷捷微电闻泰科技 华润微 士兰微 扬杰科技 圣邦微 捷捷微电斯达半导三安光电 新洁能 BYD半导苏州固锝时代电气东微半导0

166.6

员工人数（人） 人均产值（万元/人67.5 486.5102.9 104.6 102.9 260.9 100.2 165.5

76.6 142.1 195.5

1042.8

1,5001,0005000闻泰科技 华润微 士兰微 扬杰科技 圣邦微 捷捷微电斯达半导三安光电 新洁能 BYD半导苏州固锝时代电气东微半导PAGE28PAGE28维度六&七：公司经营情况之研发支出&盈利能力数据来源：iFind，长城证券研究院整理数据来源：iFind，长城证券研究院整理（注：图表中均为2021年度数据）PAGE29各公司财务数据对比：闻泰研发投入最高，圣邦微盈利能力最强37其中，2021年8.37亿元FET)已通过AECQ；SiCMOSFET及SBD芯片产品，应用于新能源汽车、轨道交通、工业传动等多个领域，在研发支出上也有较高投入。▶从功率半导体板块毛利率来看，大多数公司的毛利率在35%-40%区间。其中，盈利能力最强的是圣邦微，毛利率高达53%，主要原因在于公司的产品结构以PMIC等高附加值产品为主。而捷捷微电以47%的毛利率紧随其37.0037.0050研发支出（亿元）50研发支出（亿元）2511.462511.4617.85闻泰科技 华润微 士兰微 扬杰科技 圣邦微 捷捷微电闻泰科技 华润微 士兰微 扬杰科技 圣邦微 捷捷微电斯达半导三安光电 新洁能 BYD半导苏州固锝时代电气东微半导60%40%20%0%

39% 35% 36%

功率半导体板块毛利率（%）00.411.032.710.801.101.323.7800.411.032.710.801.101.323.782.426.287.1337% 34% 39%

23%

29%闻泰科技 华润微 士兰微 扬杰科技 圣邦微 捷捷微电斯达半导三安光电 新洁能 BYD半导苏州固锝时代电气东微半导PAGE30PAGE30维度八：公司经营情况之运营能力数据来源：iFind，长城证券研究院整理PAGE数据来源：iFind，长城证券研究院整理PAGE31（注：图表中均为2019-2021年度平均数据）各公司财务数据对比：闻泰科技、苏州固锝运营能力最强(45天)(48天)低。横向比较中，三安光电的库存变现需要时间最长，存货减值风险较高。(20天和新洁能（33天。占比94.97%）MOSSJ-MOS等MOSFETMOSFET、SGTMOSFET产品平台的本土企业，行业地位高，对上下游更有话语权。200180160

平均存货周转天数（天） 平均应收账款周转天数（天）189155

166144140120100

86

93848484

122

96

9311593

95

97

918060 40200

69

43

7720

77

6833

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46闻泰科技 华润微 士兰微 扬杰科技 圣邦微 捷捷微电斯达半导三安光电 新洁能 BYD半导苏州固锝时代电气东微半导PAGE32PAGE32圣邦微斯达半导时代电气BYD半导功率IC功率模块SiC圣邦微斯达半导时代电气BYD半导功率IC功率模块SiCBYDSiC二极管IGBT赛道和第三代半导体赛道“龙头低估”&“小而美”▶持续看好半导体国产替代趋势，重点关注IGBT及SiC&GaN布局的相关公司。氮化镓器件碳化硅器件IGBTBYDMOSFETBJT捷捷微电扬杰科技▶随着车规级IGBT氮化镓器件碳化硅器件IGBTBYDMOSFETBJT捷捷微电扬杰科技硅基器件二极管硅基器件二极管晶闸管GaNHEMTGaNHEMT功率模块及ICPAGE33数据来源：PAGE33数据来源：iFind，长城证券研究院整理邦微功率半导体：21H1自主研发的V代IGBT车规模块，已在国内多家客户通过测试，并在部分客户开始批量供货器件集成电路发光二管其他业务其他主业务 主要产品：功率器件50 功率模块40 MEMS30 光电器件应用领域：20 白色家电10 工业控制0 新能源汽车2017 2018 2019 2020 2021H1 功率半导体：21H1自主研发的V代IGBT车规模块，已在国内多家客户通过测试，并在部分客户开始批量供货器件集成电路发光二管其他业务其他主业务 主要产品：功率器件50 功率模块40 MEMS30 光电器件应用领域：20 白色家电10 工业控制0 新能源汽车2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏252015公司是一家专注于高性能、高品质模拟集成电路芯片设计及销售的高新技术企业。公司产品涵盖信号链和电源管理两大领域。营业总收(亿元） 净利润亿元）22.3835净利润（亿元）43.9745公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域的产业发展。营业总收入(亿元）“电源管理+，推动业绩高增长2017 2018 2019 2020 2021 2022Q15.327.751050“电源管理+，推动业绩高增长2017 2018 2019 2020 2021 2022Q15.327.75105011.975.727.92主要产品：运算放大器LDODC/DC应用领域：消费电子通信工控医疗设备物联网14.70155-5 2017 2018 2019 2020 2021 2022Q120.0718.522526.1714.18主要产品：功率二极管整流桥SGTMOSSiCSBD应用领域：消费电子安防工控汽车电子半导体功率器件分立器件芯片半导体硅片其他业务6月6日，扬杰科技发布公告：公司将以2.5亿元收购中电科四十八所持有的楚微半导40股权。若此次交易实施，将成为楚微半导第一大股东增加1条月产38寸硅基芯片生产线和1条月产0.56寸SiC预计2024年底前建成504540353025201510502017 2018 20202021电源管理产品信号链产品技术服务公司发布2022年半年度报告：2022H1公司实25现营业收入16.51亿元同比增长80.39%；实20现归母净利润5.40亿元同比增长107.30%；实15现扣非净利润5.31亿元同比增长135.48%。102022H1公司实现毛利5率59.78，同比增长8.56pct；实现净利率02017 20192020 202132.35%，同比增长4.25pct。，，。 ，。功率半导体：21H1自主研发的V代IGBT车规模块，已在国内多家客户通过测试，并在部分客户开始批量供货器件集成电路发光二管其他业务其他主业务 主要产品：功率器件50 功率模块40 MEMS30 光电器件应用领域：20 白色家电10 工业控制0 新能源汽车2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏营业总收(亿元） 净利润亿元）43.97453526.1725 18.52 20.0714.70 14.18155-5 2017 2018 2019 2020 2021 营业总收(亿元） 净利润亿元）25 22.382015 功率半导体：21H1自主研发的V代IGBT车规模块，已在国内多家客户通过测试，并在部分客户开始批量供货器件集成电路发光二管其他业务其他主业务 主要产品：功率器件50 功率模块40 MEMS30 光电器件应用领域：20 白色家电10 工业控制0 新能源汽车2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏营业总收(亿元） 净利润亿元）43.97453526.1725 18.52 20.0714.70 14.18155-5 2017 2018 2019 2020 2021 营业总收(亿元） 净利润亿元）25 22.382015 11.9710 7.92 7.755.32 5.72502017 2018 2019 2020 2021 半导体功率器件分立器件芯片半导体硅片其他业务504540353025201510502017 2018 2019 2020 20212017 2018 2019 2020 2021对于第三代半导体方面，公司顺利开发1200V新能源汽车用SiCMOS平台，完成首次流片验证。公司拟募集资金布局SiC/GaN功率器件及封测、功率驱动IC及智能功率模块(IPM)、SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块(含车规级)。 1614121086420功率器件-MOSFET 芯片-MOSFET 其他业务2017 2018 2019 2020 2021 2022Q104.2155.047.7310公司为国内MOSFET产品系列最全的Fabless企业之一，MOSFET和IGBT覆盖电压12-1700V，覆盖电流0.1-450A。营业总收入(亿元） 净利润亿元）20157.169.5514.98主要产品：MOSFETIGBT消费电子汽车电子物联网光伏4月30日公司通过董事会决议公告，拟通过子公司士兰集昕投资建设“年产36万片12英寸芯片生产线项目”。该项目总投资为39亿元，资金来源为企业自筹，建设周期为3年；扩建后，叠加士兰集科12英寸线6万片/月的产能，公司12英寸线总产能将达9万片/月。20212020201920182017 8070605040302010012英寸产线新规划，助力产能释放器件集成电路发光二极管其他主营业务其他业务-202017 2018 2019 2020 2021 2022Q120027.4240营业总收入(亿元） 净利润亿元）80 71.9460公司经营范围包括：电子元器件、电子零部件及其他电子产品设计、制造、销售；机电产品进出口。20.0130.2631.1142.81功率器件功率模块MEMS光电器件应用领域：白色家电工业控制光伏士兰微：加速发展的功率IDM领先厂商新洁能：进击的MOSFET领先设计厂商士兰微：加速发展的功率IDM领先厂商新洁能：进击的MOSFET领先设计厂商布局第三代半导体功率半导体：21H1自主研发的V代IGBT车规模块，已在国内多家客户通过测试，并在部分客户开始批量供货器件集成电路发光二管其他业务其他主业务 主要产品：功率器件50 功率模块40 MEMS30 光电器件应用领域：20 白色家电10 工业控制0 新能源汽车2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏营业总收(亿元） 净利润亿元）43.97453526.1725 18.52 20.0714.70 14.18155-5 2017 2018 2019 2020 2021 营业总收(亿元） 净利润亿元）25 22.382015 11.9710 7.92 7.755.32 5.72502017 2018 2019 2020 2021 功率半导体：21H1自主研发的V代IGBT车规模块，已在国内多家客户通过测试，并在部分客户开始批量供货器件集成电路发光二管其他业务其他主业务 主要产品：功率器件50 功率模块40 MEMS30 光电器件应用领域：20 白色家电10 工业控制0 新能源汽车2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏营业总收(亿元） 净利润亿元）43.97453526.1725 18.52 20.0714.70 14.18155-5 2017 2018 2019 2020 2021 营业总收(亿元） 净利润亿元）25 22.382015 11.9710 7.92 7.755.32 5.72502017 2018 2019 2020 2021 半导体功率器件分立器件芯片半导体硅片其他业务504540353025201510502017 2018 2019 2020 2021电源管产品 信号链品 技术服务25201510502017 2018 2019 2020 公司目前拥有6英寸晶圆制造产能约为23万片/月，8英寸晶圆制造产能约为13万片/月。由公司全资子公司华微控股与大基金二期及重庆西永共同发起设立的润西微电子（重庆）有限公司，在重庆投资建设12晶圆厂项目，有望在22年年底贡献产能。202120202019201820171009080706050403020100制造与务 产品与案 其他业务华润微：全产业链一体化的IDM功率领跑者12寸产能加扩大IDM优势2021 2022Q1202020192018201725.1462.7158.7669.77806040200-20净利润（亿元）92.49100公司是中国领先的拥有全产业链一体化经营能力的半导体企业，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。营业总收入(亿元）57.43主要产品：功率半导体智能传感器应用领域：消费电子汽车电子工业控制新能源闻泰科技：持续增长的车规级芯片龙头联手安世，布局ODM+半导体双轮驱动202120202019201820170块，2020导体领域，2021年7月，完成收购英国Newport晶圆厂，主要用于生产IGBT、中高压模拟和碳化硅。600500400300200100房地产开发半导体产品其他业务通信其他主营业务2017 2018 2019 2020 2021 2022Q1173.35169.16415.78517.07 527.290公司具备从半导体芯片设计、晶圆制造、封装测试，到应用终端产品研发制造于一体的全产业链布局。旗下的安世半导体是全球知名的半导体IDM公司。营业总收(亿元） 净利润亿元）148.03主要产品：模拟和逻辑MOSFET/光学模组通信ODM消费电子汽车电子工业医疗斯达半导：快速崛起的IGBT行业领军者IGBT模块赛道高景气，单季度业绩再创新高，BYD半导：自主品牌的车规级芯片龙头功率半导体：21H1自主研发的V代IGBT车规模块，已在国内多家客户通过测试，并在部分客户开始批量供货器件集成电路发光二管其他业务其他主业务 主要产品：功率器件50 功率模块40 MEMS30 光电器件应用领域：20 白色家电10 工业控制0 新能源汽车2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏营业总收(亿元） 净利润亿元）43.97453526.1725 18.52 20.0714.70 14.18155-5 2017 2018 2019 2020 2021 营业总收(亿元） 净利润斯达半导：快速崛起的IGBT行业领军者IGBT模块赛道高景气，单季度业绩再创新高，BYD半导：自主品牌的车规级芯片龙头功率半导体：21H1自主研发的V代IGBT车规模块，已在国内多家客户通过测试，并在部分客户开始批量供货器件集成电路发光二管其他业务其他主业务 主要产品：功率器件50 功率模块40 MEMS30 光电器件应用领域：20 白色家电10 工业控制0 新能源汽车2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏营业总收(亿元） 净利润亿元）43.97453526.1725 18.52 20.0714.70 14.18155-5 2017 2018 2019 2020 2021 营业总收(亿元） 净利润亿元）25 22.382015 11.9710 7.92 7.755.32 5.72502017 2018 2019 2020 2021 半导体功率器件分立器件芯片半导体硅片其他业务504540353025201510502017 2018 2019 2020 2021电源管产品 信号链品 技术服务25201510502017 2018 2019 2020 2018 2019 2020 20212020年公司在中国新能源乘用车电机驱动控制用IGBT模块全球厂商中排名第二，市占率19%，仅次于英飞凌。此外，公司也是全球首家、国内唯一实现SiC三相全桥模块在电机驱动控制器中大批量装车的功率半导体厂商。35302520151050功率半导体智能传感器光电半导体智能控制IC制造及服务其他业务垂直产业链闭环2018 2019 2020 202114.4113.402015105031.66353025依托公司在车规级半导体研发应用的深厚积累，公司以车规级半导体为核心，同步推动工业、家电、新能源、消费电子等领域的半导体发展。营业总收(亿元） 净利润亿元）10.96主要产品：功率半导体智能控制汽车电子工业/家电新能源/消费电子2020年公司在全球IGBT模块市场排名第六，在中国企业中排名第1位。2022H1公司实现营收11.54亿元，同比60.53归母净利润3.46亿元同比增长125.05%；实现扣非归母净利润3.31亿元，同比增长134.10%步增长。20212020201920182017181614121086420模块 其他主业务 其他业务2017 2018 2019 2020 2021 2022Q104.3857.796.75109.631517.0720公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产，自主研发设计的IGBT芯营业总收入(亿元） 净利润亿元）5.42主要产品：IGBT工业控制电源新能源新能源汽车白色家电功率半导体：21H1自主研发的V代IGBT车规模块，已在国内多家客户通过测试，并在部分客户开始批量供货器件集成电路发光二管其他业务其他主业务 主要产品：功率器件50 功率模块40 MEMS30 光电器件应用领域：20 白色家电10 工业控制0 新能源汽车2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏营业总收(亿元） 净利润亿元）43.97453526.1725 18.52 20.0714.70 14.18155-5 2017 2018 2019 2020 2021 营业总收(亿元） 净利润亿元）25 22.382015 11.9710 7.92 7.755.32 5.72502017 2018 2019 2020 2021 功率半导体：21H1自主研发的V代IGBT车规模块，已在国内多家客户通过测试，并在部分客户开始批量供货器件集成电路发光二管其他业务其他主业务 主要产品：功率器件50 功率模块40 MEMS30 光电器件应用领域：20 白色家电10 工业控制0 新能源汽车2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏营业总收(亿元） 净利润亿元）43.97453526.1725 18.52 20.0714.70 14.18155-5 2017 2018 2019 2020 2021 营业总收(亿元） 净利润亿元）25 22.382015 11.9710 7.92 7.755.32 5.72502017 2018 2019 2020 2021 半导体功率器件分立器件芯片半导体硅片其他业务504540353025201510502017 2018 2019 2020 2021电源管产品 信号链品 技术服务25201510502017 2018 2019 2020 轨道交电气备 轨道工机械通信信系统 其他轨交通备功率半体分器件 工业变产品海工装备 传感器件新能源车电动系产品 其他业务2001501005002018 2019 公司集成电路新建项目湖南三安SiC衬底已向多家国际大厂送样验证，碳化硅MOSFET产品已送样数十家客户验证。砷化镓射频产能已扩充到12,000片/月、光技术产能2,000片/月、湖南三安电力电子碳化硅产能6,000片/月、电力电子硅基氮化镓产能1,000片/月。202120202019201820170材料销售其他业务芯片、LED产品集成电路芯片化合物半导体三安光电：MiniLED/化合物半导体IDM龙头集成电路产能扩张2017 2018 2019 2020 2021 2022Q131.0784.5483.6483.94125.720公司主要从事全色系超高亮度LEDⅢ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路营业总收(亿元） 净利润亿元）74.60主要产品：LED芯片半导体材料应用领域：显示通信家用电器新能源车时代电气：快速发展的车规IGBT龙头碳化硅产线扩容，引领新能源汽车革命。公司拥有1条寸双极器件、1条寸IGBT以及1条4月12日，公司公告拟投资4.62亿元进行SiC芯片产线扩充，SiCMOS工艺将升级为沟槽栅，产能由4寸1万片扩充至6寸2.5万片，主要面向新能源汽车和轨交领域。2021202020192018100500 200150新能源汽车电驱动系统产品其他业务传感器件轨道交通电气装备通信信号系统功率半导体分立器件海工装备2017 2018 2019 2020 2021 2022Q1025.4515010050151.21163.04 160.34156.58151.44造、销售并提供相关服务，具有“器件+系统+整机”的产业结构。营业总收(亿元） 净利润亿元）200主要产品：功率半导体工业变流/传感器电驱系统应用领域：汽车电子通讯设备消费电子PAGE38数据来源：PAGE38数据来源：iFind，长城证券研究院，市值及PE数据值截至2022年9月28日功率半导体相关龙头公司梳理涉及功率21年营收21年归母净利润(元)亿22年一致预期(亿元)PEPEG一级分类涉及功率涉及功率21年营收21年归母净利润(元)亿22年一致预期(亿元)PEPEG一级分类涉及功率证券代码公司名称市值(亿元)21年营收21年归母净利润(亿元) 22年一致预期(亿元)PEPEG证代码 公名称 市值(亿) 21年营收21年归母利润(亿22年一致期(亿) PE PEG(亿元)元)-2022-2022603290.SH斯达半导568.4517.073.987.6676.490.88A21288.SZBYD半导-31.663.95688187.SH时代电气641.25151.2120.1822.8333.722.34688261.SH东微半导162.117.821.472.6561.760.79605111.SH新洁能187.3814.984.105.2635.711.28688396.SH华润微628.8992.4922.6825.9324.141.63688261.SH东微半导