超结mosfet原理及应用为了方便各位工程师的学习可以扫面下方进入名家讲堂与

为了方便各位工程师的学习，可以扫面下方，进入【名家讲堂】， 本资料相对应的培训。 超结MOSFET超级结superjunctionMOSFET平面平面narMOSFETRDS(on)构成及分平面 压等 narMOSFETRdson分SuperjunctionMOSFET1993

1998传统VDMOSSJMOS传统VD SuperJunctionnn+pnpn+Standard

SJpSJMOSz

超结O的N外延浓度可以是普通平面O外延的10倍以上，因而能大大降低器件的特征电阻Rsp。SJMOFET内部的电场分布是二维的（X方向和Z方向NregionP超级结MOSVs超级结MOSVsStandard x xA~ Si50

SuperJunctionRonRonxA~ 平面与超结MOSFETRsp超级结MOSVs超级结MOSVsEoss超级结MOSVsSuperSuperJunctionStandard开关过程对比（相同Rdson） FOM(=Qg Rdson*QgRdson*Qg50VDMOSFET

VDMOSFET

SJSuper面积对比SJGENGENGENVDMOSVsSJ

华虹宏力SJ

Mass

Mass

(2015DeepPillarnnerHighLow

DeepPillarnnerHighSmallLower

DeepPillarHighSmallerLowerReduceSJMOSFET600V-class SJ

0 超级结superjunctionMOSFET最高漏极－源极直流电V连续漏极电(TC=25°C(TC=100°C最大脉冲漏极电A最高栅源V单脉冲雪崩能重复脉冲雪崩雪崩A耗散功率TC25°C-Derateabove最高结温 温-55to额定栅极-源极之间漏漏极-源极之间额定IIID(DM):漏极允许通过的最大的脉冲电MOSFET额定功耗

。在Tc=150℃①VDSS相同：最①VDSS相同：最大额ID=PD(max)/VDS③最大规规格书中此特性的测EquivalentCircuitofPowerMOSFETShowingTwoPossiblefordv/dtInducedTurn-雪崩能

电压浪涌测试

umAvalancheEnergyVs.TemperatureVariousDrain3件2量EARmJ量EAS700mA/32WLEDSinglestage

LSD11N70浪涌测试波输入电压:230Vac/50Hz,通道2:Z2母线电压(绿色,200V/每格);通道3:MOS漏源电流(粉色,5A/每格);700mA/32WLEDSinglestage

LSD11N70浪涌测试波输入电压:230Vac/50Hz,通道2:Z2母线电压(绿色,200V/每格);通道3:MOS漏源电流(粉色,5A/每格);母线电压=801V最大漏源电流=5.8A700mA/32WLEDSinglestage

LSD11N70浪涌测试波输入电压:230Vac/50Hz,通道2:Z2母线电压(绿色,200V/每格);通道3:MOS漏源电流(粉色,5A/每格);母线电压=805V最大漏源电流=8.3AThermal热耗散路 瞬态热阻ZθJC-脉宽t瞬态热阻ZθJC-脉宽时间t特性TJM–TC=PDM*ZθJCTJM–TC=PDM*ZθJC

参符测试条最典最单静态特漏－源击穿电VGS=0V,ID=0.25--V阈值电2-5V零栅压下漏极漏电1正向栅极体漏反向栅极体漏电VGS=-30V,VDS=0静态导通电Tj=25°CTj=Ω栅极电f=1MHz,openΩ

参符测试条最典最大单动态特输入电VDS=25V,VGS=0f=1输出电反向传输开通延迟VDD=300V,ID=20ARG=25Ω,VGS=10V上升时关断延迟时下降时

参符测试条最典最单栅极电荷特栅－源电VDD=480V,VGS=0to10栅－漏电栅极电荷总二极管特正向压V反向恢复dIF/dt=100反向恢复电反向恢复峰值电A栅极阈值电压MOSFET的VDS=VGS，ID0.25mA时的栅极电压栅极阈值电压为－5mV漏电Vgs=0时，D与S之间加VdssIgss:Igss:VDS0时，G与S之间加导通阻抗RDS(on)的各种相MOSFET结电容定义 容容量值越小，QG越小，开关速度越快，开关损耗越小电荷

开关开关时间测定Td(on):开通延迟时间，Td(on):