第1章电力电子器件2014

第1章电力电子器件2014第一页，共46页。1.1电力电子器件的特点与分类■按照能够被控制电路信号所控制的程度◆半控型器件

☞主要是指晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件。☞器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。

◆全控型器件☞目前最常用的是

IGBT和PowerMOSFET。

☞通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断。

◆不可控器件

☞功率二极管（PowerDiode）☞不能用控制信号来控制其通断。第二页，共46页。1.1电力电子器件的分类■按照驱动信号的性质◆电流驱动型

☞通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。

◆电压驱动型

☞仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。■根据器件内部带电粒子参与导电的种类不同

◆单极型

☞器件内部只有一种带电粒子参与导电，如PowerMOSFET。

◆双极型和复合型

☞器件内有电子和空穴两种带电粒子参与导电，如GTR和GTO。◆双极型和复合型☞由双极型器件与单极型器件复合而成的新器件，如IGBT。

第三页，共46页。1.2晶闸管及派生器件

1.2.1晶闸管的结构和工作原理图1-5晶闸管的外形、结构和符号晶闸管就是硅晶体闸管也称为可控硅整流器。普通晶闸管是一种具有开关作用的大功率半导体器件。第四页，共46页。1.2.1晶闸管的结构和工作原理-封装第五页，共46页。1.3晶闸管-螺栓式第六页，共46页。1.3晶闸管-平板式第七页，共46页。1.3晶闸管-模块式第八页，共46页。水冷式风冷式自冷式模块式1.3晶闸管-散热片第九页，共46页。P1N1P2N2A阳极（Anode）G门极（Gate）K阴极（Cathode）结构

AG K电气符号1.3晶闸管-结构第十页，共46页。EgS

AG KEAR晶闸管导通与关断实验电路1.3晶闸管-实验第十一页，共46页。

AG KEgSEAR门极加负电压1.3晶闸管-实验第十二页，共46页。门极加正电压

AG KEgSEARIgIA1.3晶闸管-实验第十三页，共46页。导通后门极加负电压

AG KEgSEARIA1.3晶闸管-实验第十四页，共46页。导通后撤除门极电压S

AG KEgEARIA1.3晶闸管-实验第十五页，共46页。导通后减小阳极电流

AG KEgSEAnRIAR1.3晶闸管-实验第十六页，共46页。

AG KEgSR导通后减小阳极电压或去除阳极电压EA1.3晶闸管-实验第十七页，共46页。

AG KEgSEAR导通后阳极加反压1.3晶闸管-实验第十八页，共46页。1.3晶闸管-导通和关断条件

1、欲使晶闸管导通需具备两个条件：①应在晶闸管的阳极与阴极之间加上正向电压；②应在晶闸管的门极与阴极之间也加上正向电压和电流。2、晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用，故晶闸管为半控型器件。3、为使晶闸管关断，必须使其阳极电流减小到一定数值以下，这只有用使阳极电压减小到零或反向的方法来实现。第十九页，共46页。1.3晶闸管-工作原理图1-6晶闸管的双晶体管模型与工作电路图N2N1P2AKGP1N1P2第二十页，共46页。1.2.2晶闸管的工作特性及主要参数-静态伏安特性图1-7晶闸管伏安特性曲线

第二十一页，共46页。1.3晶闸管-基本工作特性归纳晶闸管承受反向电压时，不论门极有否触发电流，晶闸管都不导通，反向伏安特性类似于二极管。(2)晶闸管承受正向电压时，仅门极有正向触发电流的情况下才能导通。导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿，压降在1V左右；晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。(3)要使晶闸管关断，必须使晶闸管的电流下降到某一数值以下。(4)晶闸管的门极触发电流从门极流入晶闸管，从阴极流出；为保证可靠、安全地触发，触发电路所提供的触发电压、电流和功率应限制在可靠触发区，既保证有足够的触发功率，又确保不损坏门极和阴极之间的PN结。第二十二页，共46页。1.3晶闸管-动态特性图1-8晶闸管开通和关断过程波形第二十三页，共46页。1.3晶闸管-电压参数(1)断态不重复峰值电压UDSM晶闸管在门极开路时，施加于晶闸管的正向阳极电压上升到正向伏安特性曲线急剧弯曲处所对应的电压值。UDSM值小于转折电压Ubo。(2)断态重复峰值电压UDRM(UDRM=80%UDSM)(3)反向不重复峰值电压URSM晶闸管门极开路，晶闸管承受反向电压时,对应于反向伏安特性曲线急剧弯曲处的反向峰值电压值。

(4)反向重复峰值电压URRMURRM=80%URSM(5)额定电压MIN(UDRM,URRM)

第二十四页，共46页。1.3晶闸管-电压参数(6)通态平均电压UT(AV)

晶闸管阳极与阴极间电压降的平均值,管压降。

表1-1晶闸管正、反向重复峰值电压等级第二十五页，共46页。1.3晶闸管-电流参数(1)通态平均电流IT(Av)在环境温度为+40℃和规定的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170o的电阻性负载电路中，在额定结温时，所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。将该电流按晶闸管标准电流系列取整数值，称为该晶闸管的通态平均电流，定义为该元件的额定电流。（2）波形系数各种有直流分量的电流波形都有一个电流平均值(一个周期内电流波形面积的平均)，也就是直流电流表的读数值；也都有一个有效值(均方根值)。现定义电流波形的有效值与平均值之比称为该波形的波形系数，用Kf表示。如整流电路直流输出负载电流id的波形系数为式中，I—负载电流有效值；

Id—负载电流平均值。第二十六页，共46页。1.3晶闸管-电流参数根据规定条件，流过晶闸管为工频正弦半波电流波形。设电流峰值为Im，则通态平均电流

该电流波形的有效值正弦半波电流波形系数Kf应有

额定电流为100A的晶闸管，其允许通过电流有效值为1.57×100=157

第二十七页，共46页。1.3晶闸管-电流参数

在实际电路中，流过晶闸管的波形可能是任意的非正弦波形，如何去计算和选择晶闸管的额定电流值，应根据电流有效值相等即发热相同的原则，将非正弦半波电流的有效值IT或平均值Id折合成等效的正弦半波电流平均值去选择晶闸管额定值，即实际选用时，一般考虑1.5～2倍的安全裕量

第二十八页，共46页。1.3晶闸管-电流参数

例1.1：实际流过晶闸管的电流波形i1和i2如图，其峰值分别为Im1和Im2。计算结果如下：i10π/2π 2π5π/2 ωtIm1i2Im202π/3π 2π8π/3

ωt若不考虑安全裕量，求KP100型晶闸管中流过i1和i2电流时所能承受的最大平均电流值。第二十九页，共46页。1.3晶闸管-电流参数（1）实际电流波形i1的平均值、有效值和波形系数i10π/2π 2π5π/2ωtIm1平均值有效值波形系数第三十页，共46页。1.3晶闸管-电流参数（1）若不考虑安全裕量，求KP100型晶闸管中流过i1电流时所能承受的最大平均电流值。i10π/2π 2π5π/2 ωtIm1考虑安全裕量Id1=70.7/(1.5～2)=35.35～47.13A第三十一页，共46页。1.3晶闸管-电流参数（2）实际电流波形i2的平均值、有效值和波形系数平均值有效值波形系数第三十二页，共46页。1.3晶闸管-电流参数（2）若不考虑安全裕量，求KP100型晶闸管中流过i2电流时所能承受的最大平均电流值。考虑安全裕量Id2=90.7/(1.5～2)=45.35～60.46A第三十三页，共46页。1.3晶闸管-电流参数例1.2：图中波形的阴影部分为晶闸管中的电流波形，其最大值为Im，计算各波形电流平均值、有效值与波形系数。若设Im均为200A，不考虑安全裕量时，各应选择额定电流为多大的晶闸管？有效值波形系数波形系数平均值第三十四页，共46页。1.3晶闸管-电流参数例1.2：图中波形的阴影部分为晶闸管中的电流波形，其最大值为Im，计算各波形电流平均值、有效值与波形系数。若设Im均为200A，不考虑安全裕量，各应选择额定电流为多大的晶闸管？（5，10，20，30，50，80，100，200，300，400，500，600，800，1000）第三十五页，共46页。1.3晶闸管-电流参数例1.2：图中波形的阴影部分为晶闸管中的电流波形，其最大值为Im，计算各波形电流平均值、有效值与波形系数。若设Im均为200A，不考虑安全裕量时，各应选择额定电流为多大的晶闸管？波形系数平均值有效值第三十六页，共46页。1.3晶闸管-电流参数例1.2：图中波形的阴影部分为晶闸管中的电流波形，其最大值为Im，计算各波形电流平均值、有效值与波形系数。若设Im均为200A，不考虑安全裕量，各应选择额定电流为多大的晶闸管？（5，10，20，30，50，80，100，200，300，400，500，600，800，1000）第三十七页，共46页。1.3晶闸管-电流参数例1.2：图中波形的阴影部分为晶闸管中的电流波形，其最大值为Im，计算各波形电流平均值、有效值与波形系数。若设Im均为200A，不考虑安全裕量时，各应选择额定电流为多大的晶闸管？波形系数平均值有效值第三十八页，共46页。1.3晶闸管-电流参数例1.2：图中波形的阴影部分为晶闸管中的电流波形，其最大值为Im，计算各波形电流平均值、有效值与波形系数。若设Im均为200A，不考虑安全裕量，各应选择额定电流为多大的晶闸管？（5，10，20，30，50，80，100，200，300，400，500，600，800，1000）第三十九页，共46页。1.3晶闸管-电流参数(2)维持电流IH晶闸管被触发导通以后，在室温和门极开路的条件下，减小阳极电流，使晶闸管维持通态所必需的最小阳极电流。(3)掣住电流IL晶闸管一经触发导通就去掉触发信号，能使晶闸管保持导通所需要的最小阳极电流。(4)断态重复平均电流IDR和反向重复平均电流IRR额定结温和门极开路时，对应于断态重复峰值电压和反向重复峰值电压下的平均漏电流。(5)浪涌电流ITSM在规定条件下，工频正弦半周期内所允许的最大过载峰值电流。

第四十页，共46页。1.3晶闸管-动态参数(1)断态电压临界上升率du/dt在额定结温和门极开路下，使晶闸管保持断态所能承受的最大电压上升率。(2)通态电流临界上升率di/dt在规定条件下，晶闸管用门极触发信号开通时，晶闸管能够承受而不会导致损坏的通态电流最大上升率。(3)开通时间tON开通时间tON由延迟时间td和上升时间tr组成。图1-9门极控制开通时间第四十一页，共46页。1.3晶闸管-动态参数(4)关断时间方tOFF关断时间包括反向恢复时间trr和门极恢复时间tgr两部分。从通态电流降至零瞬间起，到晶闸管开始能承受规定的断态电压瞬间止的时间间隔。图1-10晶闸管电路换向关断时间

第四十二页，共46页。1.3晶闸管-触发第四十三页，共46页。1.3晶闸管-派生器件1、快速晶闸管普通晶闸管一般为数百微秒，快速晶闸管为数十微秒，而高频晶闸管则为10μs左右。与普通晶闸管相比，高频晶闸管的不足在于其电