第3章光电阴极与光电倍增管

与普通二极管相比共同点：一个PN结，单向导电性不同点：（1）受光面大，PN结面积更大，PN结深度较浅（2）表面有防反射的SiO2保护层（3）外加反偏置与光电池相比共同点：均为PN结，利用光伏效应，SiO2保护膜不同点：（1）结面积比光电池的小，频率特性好;（2）光生电势与光电池相同，但电流比光电池小;（3）可在零偏压下工作，常在反偏置下工作。现在是1页\一共有58页\编辑于星期日3.光电三极管的电流关系及电连接方法根据共发射极电流关系有：Ib＝IpIc=Ie=

（1+β）Ib=

（1+β）Ip=（1+β）E·SE现在是2页\一共有58页\编辑于星期日4.象限探测器5.PIN光电二极管由于I层比PN结宽的多，光生电流增大;由于耗尽层变宽，结电容变小；提高响应速度；由于I层电阻率很高，故能承受的电压增大;现在是3页\一共有58页\编辑于星期日OxA6.PSD位置传感器7雪崩光电二极管；现在是4页\一共有58页\编辑于星期日第3章

光电阴极与光电倍增管现在是5页\一共有58页\编辑于星期日本章主要内容：3.1阴极与阴极电子学3.2外光电效应3.2光电阴极2.3光电管和光电倍增管现在是6页\一共有58页\编辑于星期日阴极（Cathode）电子器件中发射电子的一极（电子源）阴极电子学研究：

1）电子和离子从固体表面的发射过程

2）粒子固体表面相互作用的物理过程3.1阴极与阴极电子学现在是7页\一共有58页\编辑于星期日

从能带理论浅谈电子发射

【思考】如何使体内电子逸出？现在是8页\一共有58页\编辑于星期日第一种方式第二种方式使体内电子逸出的方法：1）增加电子能量2）削弱阻碍电子逸出的力现在是9页\一共有58页\编辑于星期日阴极发射电子（第一种方式）1.增加电子能量克服表面势垒而逸出阴极加热T足够高部分电子获得足够能量（1）热电子发射（热阴极）金属半导体E

Φ=E0-EF现在是10页\一共有58页\编辑于星期日阴极发射电子（第一种方式）1.增加电子能量克服表面势垒而逸出阴极加热T足够高部分电子获得足够能量（1）热电子发射（热阴极）光辐射物体体内电子吸收光量子后逸出（2）光电子发射（光电阴极）现在是11页\一共有58页\编辑于星期日阴极发射电子（第一种方式）光辐射物体体内电子吸收光量子后逸出（2）光电子发射（光电阴极）半导体光电子主要发射分三类：本征发射：价带电子导带电子hν>EC-EV杂质发射：杂质能级电子导带电子hν>ΔEg自由载流子发射：自由载流子导带电子忽略不计半导体光电子主要发射分三步：对光子的吸收电子向表面运动克服表面势垒而逸出现在是12页\一共有58页\编辑于星期日阴极发射电子（第一种方式）1.增加电子能量克服表面势垒而逸出阴极加热T足够高部分电子获得足够能量（1）热电子发射（热阴极）光辐射物体体内电子吸收光量子后逸出（2）光电子发射（光电阴极）（3）次级电子发射（次级电子发射体）

初始能量电子轰击物体体内电子获得能量逸出现在是13页\一共有58页\编辑于星期日2.降低阻碍电子逸出的力（4）场致发射（场发射阴极）

固体表面施加强电场削弱势垒体内部分电子通过隧道效应进入真空量子隧穿示意图IIIIII阴极发射电子（第二种方式）现在是14页\一共有58页\编辑于星期日CRT

（CathodeRayTube）

和FED（

FieldEmissionDisplay）阴极的应用举例阴极射线管（CRT）现在是15页\一共有58页\编辑于星期日CRT（CathodeRayTube）

和FED（

FieldEmissionDisplay）索尼2010被视为继液晶、等离子、OLED之后的第四大平板显示技术场致发射显示器（FED）现在是16页\一共有58页\编辑于星期日MoSiO2GlassMoSi场发射阵列制作过程现在是17页\一共有58页\编辑于星期日现在是18页\一共有58页\编辑于星期日金属或半导体受光照时，如果入射的光子能量hν足够大，它和物质中的电子相互作用，使电子从材料表面逸出的现象，也称为外光电效应。它是真空光电器件光电阴极的物理基础。

3.2外光电效应现在是19页\一共有58页\编辑于星期日当照射到光阴极上的入射光频率或频谱成分不变时，饱和光电流（即单位时间内发射的光电子数目）与入射光强度成正比：

Ik：光电流Φe：光强Se：该阴极对入射光线的灵敏度

光电发射第一定律——斯托列托夫定律现在是20页\一共有58页\编辑于星期日

光电发射第二定律——爱因斯坦定律

光电子的最大动能与入射光的频率成正比，而与入、

射光强度无关：

Emax：光电子的最大初动能。h：普朗克常数。ν0：产生光电发射的极限频率，频率阈值。W：金属电子的逸出功（从材料表面逸出时所需的

最低能量），单位eV，与材料有关的常数，

也称功函数。Emax=(1/2)mυ2max=hν-hν0=hν-W现在是21页\一共有58页\编辑于星期日入射光子的能量至少要等于逸出功时，才能发生光电发射。波长阈值：

hν>W

hc/λ>Wλ<hc/W=1.24/A

λ<=1.24/W(μm)当入射光波长大于λ时，不论光强如何，以及照射时间多长，都不会有光电子产生。要用红外光（λ>0.76μm）发射电子，必须寻求低于（？）的低能阈值材料。1.63eV现在是22页\一共有58页\编辑于星期日图光电子最大动能与入射光频率的关系νν0Wmax0(1/2)mυ2max=hν-hν0=hν-W为什么会弯曲？现在是23页\一共有58页\编辑于星期日3.3光电阴极

能够产生光电发射效应的物体称为光电发射体，光电发射体在光电器件中常与阴极相联故称为光电阴极。什么是光电阴极？阴极现在是24页\一共有58页\编辑于星期日常用的光电阴极材料反射系数大、吸收系数小、碰撞损失能量大、逸出功大－－适应对紫外灵敏的光电探测器。光吸收系数大得多，散射能量损失小，量子效率比金属大得多－－光谱响应：可见光和近红外波段。金属：半导体：常规光电阴极负电子亲和势阴极

半导体材料广泛用作光电阴极现在是25页\一共有58页\编辑于星期日1.灵敏度光照灵敏度色光灵敏度光谱灵敏度灵敏度色温2856K的钨丝灯(1)光照灵敏度

在一定的白光照射下，光电阴极的光电流与入射的白光光通量之比,也称白光灵敏度或积分灵敏度。

它表示在某些特定的波长区域，阴极光电流与入射光的光通量之比。(2)色光灵敏度

一般用插入不同的滤光片来获得不同的光谱范围，滤光片的透射比不同，它又分别称为蓝光灵敏度、红光灵敏度及红外灵敏。实际上是局部波长范围的积分灵敏度QB:中国青色或兰色玻璃(德国:BG)HB:中国红色玻璃现在是26页\一共有58页\编辑于星期日

2.量子效率

阴极发射的光电子数

Ne(λ)与入射的光子数Np(λ)之比，称为量子效率:根据定义:量子效率和光谱灵敏度之间的关系为:式中,λ单位为nm；

S(λ)为光谱灵敏度，单位为A/W。

波长一定的单色光照射时，光电阴极发出的光电流与入射的单色光通量之比。(3)光谱灵敏度现在是27页\一共有58页\编辑于星期日

光电阴极中有一些电子的热能有可能大于光电阴极逸出功，因而可产生热电子发射。室温下典型光电阴极每秒每平方厘米发射的热电子相当于l0-16

～10-17A/cm2的电流密度3.光谱响应曲线

光电阴极的光谱灵敏度与入射光波长的关系曲线，称为光谱响应曲线。4.暗电流S(λ)λ/nm为什么会有峰值？现在是28页\一共有58页\编辑于星期日光电阴极一般分为:透射型与反射型两种。

不透明阴极通常较厚，光照射到阴极上，光电子从同一面发射出来，所以不透明光电阴极又称为反射型阴极(二).光电阴极的分类

透射型阴极通常制作在透明介质上，光通过透明介质后入射到光电阴极上。光电子则从光电阴极的另一边发射出来，所以透射型阴极又称为半透明光电阴极。光阳极A阴极K光透射型反射型现在是29页\一共有58页\编辑于星期日(三).常用光电阴极材料透射型光谱响应:300nm到1200nm，反射型光谱响应:300m到1100nm。Ag-O-Cs光电阴极主要应用于近红外探测。可见光区域内量子效率低于0.43%。如S-1所示。(1)Ag-O-Cs具有良好的可见和近红外响应。350nm,800nm现在是30页\一共有58页\编辑于星期日(三).常用光电阴极材料(1)Ag-O-Cs具有良好的可见和近红外响应。(2)单碱锑化合物(PEA)量子效率一般高达20%～30%，比银氧铯光电阴极高30多倍。如S-4。金属锑与碱金属锂、钠、钾、铯中的一种构成的化合物，都是能形成具有稳定光电发射的发射材料，CsSb最为常用，在紫外和可见光区的灵敏度最高。现在是31页\一共有58页\编辑于星期日(三).常用光电阴极材料(1)Ag-O-Cs具有良好的可见和近红外响应。(2)单碱锑化合物(PEA)(3)多碱锑化合物(PEA)锑和几种碱金属形成的化合物包括双碱锑材料Sb-Na-K、Sb-K-Cs和三碱锑材料Sb-Na-K-Cs等，Sb-Na-K-Cs是最实用的光电阴极材料，具有高灵敏度和宽光谱响应，如S-20。其红外端可延伸到930nm，量子效率高于20%。适用于宽带光谱测量仪.现在是32页\一共有58页\编辑于星期日(三).常用光电阴极材料(1)Ag-O-Cs具有良好的可见和近红外响应。(2)单碱锑化合物(PEA)(3)多碱锑化合物(PEA)(4)紫外光电阴极材料某些应用，要求光电阴极材料只对所探测的紫外辐射灵敏，对可见光无响应。这种材料通常称为“日盲”型光电阴极材料，也称紫外光电阴极材料。目前实用的紫外光电阴极碲化铯(CsTe)和碘化铯(Csl)两种。

长波限为0.32µm长波限为0.2µm现在是33页\一共有58页\编辑于星期日(三).常用光电阴极材料(1)Ag-O-Cs具有良好的可见和近红外响应。(2)单碱锑化合物(PEA)(3)多碱锑化合物(PEA)(4)紫外光电阴极材料

负电子亲和势材料制作的光电阴极与正电子亲和势材料光电阴极相比,具有以下四点特点c.热电子发射小

a.量子效率高b.光谱响应率均匀,且光谱响应延伸到红外

d.光电子的能量集中

(5)负电子亲合能材料(NEA)现在是34页\一共有58页\编辑于星期日负电子亲和势材料结构、原理重掺杂的P型硅表面涂极薄的金属Cs，经过处理形成N型的Cs2O。以Si-Cs2O光电阴极为例现在是35页\一共有58页\编辑于星期日P型Si的电子亲和势:N型Cs2O电子亲和势:EA1=E0-EC1>0EA2=E0-EC2>0现在是36页\一共有58页\编辑于星期日体内：P型表面：N型表面电子，能级Ec1入射光子体内电子，能级Ec1表面逸出电子E0-Ec1<0体内有效电子亲和势:

EAe=E0-EC1<02.负电子亲和势阴极现在是37页\一共有58页\编辑于星期日体内：P型表面：N型2.负电子亲和势阴极负电子亲和势是指体内衬底材料的有效电子亲和势？？？经典发射体的电子亲和势仍是正的？？？EA1=E0-EC1>0EA2=E0-EC2>0EAe=E0-EC1<0现在是38页\一共有58页\编辑于星期日NEA的最大优点：

－－量子效率比常规发射体高得多

光电发射过程分析：热电子－－受激电子能量超过导带底的电子冷电子－－能量恰好等于导带底的电子NEA量子效率比常规发射体高得多！2.负电子亲和势阴极现在是39页\一共有58页\编辑于星期日NEA的优点：量子效率比常规发射体高得多

1、量子效率高2、阈值波长延伸到红外区3、由于“冷”电子发射，能量分散小，在成象器件中分辨率极高4、延伸的光谱区内其灵敏度均匀2.负电子亲和势阴极

当负电子亲和势光电阴极受光照时，被激发的的电子在导带内很快热化(约10-12s)并落入导带底(寿命达10-9s)。热化电子很容易扩散到能带弯曲的表面，然后发射出去，所发射光电子的能量基本上都等于导带底的能量。现在是40页\一共有58页\编辑于星期日知识回顾1.阴极，使阴极发射电子的方式？电子器件中发射电子的一极（电子源）现在是41页\一共有58页\编辑于星期日知识回顾1.阴极，使阴极发射电子的方式？2.光电阴极

能够产生光电发射效应的物体称为光电发射体(1)Ag-O-Cs：可见和近红外响应,0.42%(2)单碱锑化合物(PEA)：紫外和可见光区，20%-30%(3)多碱锑化合物(PEA)：紫外和可见光区+红外，20%(4)紫外光电阴极材料：日盲型，碲化铯，碘化铯C(5)负电子亲合能材料(NEA)现在是42页\一共有58页\编辑于星期日3.作为光电阴极材料，金属和半导体材料的优缺点？反射系数大、吸收系数小、碰撞损失能量大、逸出功大－－适应对紫外灵敏的光电探测器。光吸收系数大得多，散射能量损失小，量子效率比金属大得多－－光谱响应：可见光和近红外波段。金属：半导体：现在是43页\一共有58页\编辑于星期日知识回顾4.负电子亲和势材料，特点？现在是44页\一共有58页\编辑于星期日知识回顾4.负电子亲和势材料，特点？1、量子效率高2、阈值波长延伸到红外区3、由于“冷”电子发射，能量分散小，在成象器件中分辨率极高4、延伸的光谱区内其灵敏度均匀

当负电子亲和势光电阴极受光照时，被激发的的电子在导带内很快热化(约10-12s)并落入导带底(寿命达10-9s)。热化电子很容易扩散到能带弯曲的表面，然后发射出去，所发射光电子的能量基本上都等于导带底的能量。现在是45页\一共有58页\编辑于星期日本章主要内容：3.1阴极与阴极电子学3.2外光电效应3.3光电阴极3.4光电管和光电倍增管现在是46页\一共有58页\编辑于星期日光电管主要由玻壳（光窗）、光电阴极和阳极三部分组成

PT内可以抽成真空也可以充入低压惰性气体，有真空型和充气型两种。(一).光电管(PT)

简述真空型和充气型两种光电管的工作原理?工作原理3.4真空光电管与光电倍增管的工作原理现在是47页\一共有58页\编辑于星期日光阳极A阴极K光透射型反射型0.20.60.40.812520151050564321iP/lmi/uA20151050501001502002500.150.10.050(lm)i(uA)u/V(一).光电管分类：反射型和透射型充气型真空型现在是48页\一共有58页\编辑于星期日

光电倍增管是在光电管的基础上研制出来的一种真空光电器件，在结构上增加了电子光学系统和电子倍系统，因此极大的提高了检测灵敏度。

光电倍增管主要由入射窗口、光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统和阳极五个主要部分组成。(二).光电倍增管(PMT)1．光电倍增管的结构现在是49页\一共有58页\编辑于星期日

为了使光电子能有效地被各倍增极电极收集并倍增，阴极与第一倍增极、各倍增极之间以及末级倍增极与阳极之间都必须施加一定的电压。

最基本的方法是在阴极和阳极之间加上适当的高压，阴极接负，阳极接正，外部并接一系列电阻，使各电极之间获得一定的分压:2.PMT的工作原理④经过倍增后的二次电子由阳极P收集起来，形成阳极光电流Ip，在负载RL上产生信号电压Ｕ0。①光子透过入射窗口入射在光电阴极K上②光电阴极K受光照激发，表面发射光电子③光电子被电子光学系统加速和聚焦后入射到第一倍增极D1上，将发射出比入射电子数更多的二次电子。入射电子经N级倍增后，光电子数就放大N次D2D1DnPKUORnRn-1R2R1-HVRL现在是50页\一共有58页\编辑于星期日端窗式侧窗式(1).入射窗口

侧窗型（side－on）:

从侧面接收入射光。使用不透明光阴极（反射式光阴极），数百元一只。端窗型（head－on）：从顶部接收入射光。入射窗的内表面上沉积了半透明的光阴极（透过式光阴极），数千元一只。a.窗口形式

现在是51页\一共有58页\编辑于星期日b.常用的窗口材料

硼硅玻璃:透射范围从300nm到HW

透紫外玻璃优点:紫外短波透射截止波长可延伸到250nm

熔融石英（二氧化硅）优点:在远紫外区有相当好的透过率，短波截止波长可达到160nm

蓝宝石(Al2O3晶体)特点是:紫外透过率处于熔融石英和透紫外玻璃之间，紫外截止波长可以达到150nm。

PMT常用的窗口材料硼硅玻璃透紫外玻璃熔融石英蓝宝石无毒、抗酸、抗碱，用于军事和航空现在是52页\一共有58页\编辑于星期日

1)使光电阴极发射的光电子尽可能全部汇聚到第一倍增极上。(2).电子光学系统

电子光学系统:阴极到倍增系统第一倍增极之间的电极空间.包括:光电阴极、聚焦极、加速极及第一倍增极。

电子光学系统的主要作用有两点

2)使阴极面上各处发射的光电子在电子光学系统中渡越的时间尽可能相等，这样可以保证光电倍增管的快速响应。现在是53页\一共有58页\编辑于星期日(3)．电子倍增极

倍增系统是由许多倍增极组成，每个倍增极都是由二次电子倍增材料构成的，具有使一次电子倍增的能力。

当具有足够动能的电子轰击倍增极材料时，倍增极表面将发射新的电子。称入射的电子为一次电子，从倍增极表面发射的电子为二次电子

(a)二次电子发射原理

把二次发射的电子数N2与入射的一次电子数Nl的比值定义为该材料的二次发射系数

什么是一次和二次电子？增大Ep，δ值反而下降δ随Ep增大而增大现在是54页\一共有58页\编辑于