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二极管电路向击穿电压，Vg是二极管正向压降。着重研究i-v曲线的反向偏置区域。2对该电路应用KVLVZ(RRZ)Id

I dR R工作点或者说Q点1是负载线方程和二极管i-v曲线的交点。开始时，电容没有充电（VO=0V。信号是一个幅值为V周期为T的正弦波。硅二极管的正向压降约为07V。所以VO保持0直到Vn超过07V，如图6所示。一旦Vn大于07V二极管VnVn（t>T1-/。VO(t)Vhe(tT1)/ VlVhe(T2T1)/ VO的最大值Vh和最小值Vl之差叫做波纹，由下VrVh21Vh(1e(TT)/RC21如果，（1.5）式的泰勒展开为我们发现T2T1取决于RC，这样（1.6）中的方程就不易求解。但是，如果我们假设T2发光二极管LED才能工作。LEDi-v特性与普通二极管的类似，只是由于半导体类型的差异，LED的正向电压范围为0.5V~2.5V。RVS

图8.发光二极管电路图9的电路。当VS超过VZVg时，LED被点亮。图9.电压等级指示电路光电二极管PN结受到足够高频的光照，光子能量引起电子移动，这样就出现了电子-空穴图10.光电二极管符号VOIp 图11.光电二极管电路肖特基二极管有0.2V左右，开关时间很短。肖特基二极管的符号如下图12.肖特基二极管符电压

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