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文档简介

第一章测试下列描述为模拟信号的是()。

A:时间连续、数值离散信号

B:时间离散、数值连续信号

C:时间离散、数值离散信号

D:时间连续、数值连续信号

答案:D下列描述为数字信号的是()。

A:时间离散、数值连续信号

B:时间离散、数值离散信号

C:时间连续、数值离散信号

D:时间连续、数值连续信号

答案:B3、对于电压放大模型,要想减小负载的影响,则希望()。

A:增大输出电阻

B:减小输入电阻

C:减小输出电阻

D:增大输入电阻

答案:C4、对于电压放大模型,要想减小对信号源的衰减,则希望()。

A:增大输入电阻

B:减小输入电阻

C:增大输出电阻

D:减小输出电阻

答案:A对于电流放大模型,要想减小负载的影响,则希望()。

A:减小输入电阻

B:增大输出电阻

C:减小输出电阻

D:增大输入电阻

答案:B对于电流放大模型,要想减小对信号源的衰减,则希望()。

A:增大输出电阻

B:增大输入电阻

C:减小输入电阻

D:减小输出电阻

答案:C下列选项的增益分贝形式表示正确的有()。

A:互阻增益=20lg|Ar|

B:电流增益=20lg|Ai|

C:功率增益=20lg|Ap|

D:电压增益=20lg|Av|

答案:BD计算放大电路的输入电阻时,需要用输入端的测试电压除以()。

A:输入端电流

B:输出端电流

C:输出端电阻

D:输出端电压

答案:A计算放大电路的输出电阻时,需要采取的措施有()。

A:信号源保留

B:负载保留

C:负载开路

D:信号源置零

答案:CD下列哪些选项是放大电路的模型()。

A:电压放大模型

B:电流放大模型

C:互导放大模型

D:互阻放大模型

答案:ABCD第二章测试凡是运算放大电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。()

A:对

B:错

答案:A当输入电压作用于反向端时,输出电压极性与输入电压极性相同。()

A:错

B:对

答案:A理想运算放大器的输出电阻为()。

A:无穷大

B:零

C:不确定

D:2MΩ

答案:B欲实现A=-100的放大电路,应选用()电路。

A:加法运算

B:微分运算

C:同相比例运算

D:反相比例运算

答案:D15、图中的A为理想运放,该电路的类型是()。

A:反向比例放大电路

B:同相比例放大电路

C:求和电路

D:求差电路

答案:B若信号源是非理想的电压信号源,应该采用()电路。

A:求差

B:反相

C:求和

D:同相

答案:D如图所示运算放大电路,该电路的输出电压为()。

A:4V

B:0V

C:2V

D:3V

答案:C18、如图所示放大电路,电路输出电压为()。

A:5V

B:4V

C:6V

D:2V

答案:C

如图所示电路,当R1=R2=R3时,电路输出为()。

A:输入电压总和的三倍

B:输入电压之差

C:输入电压之和

D:输入电压的平均值

答案:D下列放大电路属于线性放大电路的有()。

A:求差电路

B:反相比例放大电路

C:同相比例放大电路

D:求和电路

答案:ABCD第三章测试在本征半导体中加入五价元素可形成N型半导体,加入三价元素可形成P型半导体。()

A:对

B:错

答案:A稳压管电路与之串联的电阻可有可无。()

A:错

B:对

答案:APN结加入正偏电压后,空间电荷区将()。

A:变厚

B:不变

C:绝缘

D:变薄

答案:D理想二极管在下列哪个条件下是正偏导通的()。

A:U+=6V,U-=8V

B:U+=0V,U-=8V

C:U+=0V,U-=0V

D:U+=8V,U-=6V

答案:D电路如图所示,设二极管D正向导通时两端的电压VD=0.7V,图中A点电位VA为()。

A:-6V

B:-5.3V

C:3.3V

D:5.3V

答案:B26、如图所示二极管电路,设二极管导通电压UD=0.7V,则电路的输出电压值为()

A:2.7V

B:-2V

C:0V

D:2V

答案:B如图所示的电路中,已知ui=30sinωtV,二极管的正向压降为0.7V,则输出电压的波形是()。

A:

B:

C:

D:

答案:D电路如图所示,稳压管为硅管,且稳定电压VZ=6V,设vi=15V,则输出电压是()。

A:15V

B:14.3V

C:6V

D:0V

答案:C电路如图所示,稳压管为硅管,且稳定电压VZ=6V,设vi=5V,则输出电压是()。

A:0V

B:4.3V

C:6V

D:5V

答案:D稳压管可以工作的状态包括()。

A:正偏

B:反向击穿

C:放大

D:反偏

答案:ABD第四章测试UGS=0V时,N沟道增强型MOSFET能够工作在恒流区。()

A:对

B:错

答案:BP沟道增强型MOSFET中,UGS应加负极性的电压才能工作在饱和区。()

A:对

B:错

答案:A场效应管属于电流控制型器件。()

A:错

B:对

答案:A下列对场效应管的描述中,不正确的是()

A:场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET

B:场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器

C:场效应管工作时多子、少子均参与导电

D:场效应管具有输入电阻高,热稳定性好等优点

答案:C如图所示的场效应管转移特性曲线属于哪种类型场效应管。()

A:N沟道增强型

B:P沟道耗尽型

C:N沟道耗尽型

D:P沟道增强型

答案:C表征场效应管放大作用的重要参数是()

A:跨导gm=ΔID/ΔUGS

B:电流放大系数β

C:开启电压UT

D:直流输入电阻RGS

答案:A下列选项中,不属场效应管直流参数的是()

A:开启电压UT

B:低频跨导gm

C:饱和漏极电流IDSS

D:夹断电压UP

答案:B下列选项中哪个为结型场效应管()。

A:

B:

C:

D:

答案:A如图所示为场效应管放大电路,已知VGG=2V,VDD=5V,VTN=1V,Kn=0.2mA/V2,Rd=12k,则场效应管工作在()。

A:截止区

B:饱和区

C:可变电阻区

D:击穿区

答案:B如图所示放大电路,已知VTN=1V,Kn=0.5mA/V2,l=0,VDD=VSS=5V,Rd=10kW,Rs=0.5kW,Rsi=4kW,Rg1=150kW,Rg2=47kW,则电路电压增压约为

A:7.1

B:-7.1

C:-35.8

D:35.8

答案:B第五章测试双极结型三极管有()载流子同时参与导电。

A:3种

B:1种

C:2种

D:4种

答案:C三极管工作在放大状态的条件是()。

A:BE结反偏、BC结正偏

B:BE结正偏、BC结正偏

C:BE结反偏、BC结反偏

D:BE结正偏、BC结反偏

答案:D43、测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示,管子的工作状态是()。

A:放大

B:饱和

C:不确定

D:截止

答案:A44、已知BJT管子两个电极的电流如图所示,该管子的类型是()。

A:耗尽型场效应管

B:NPN

C:增强型场效应管

D:PNP

答案:B如图所示电路中VCC=12V,RC=3kΩ,静态管压降UCEQ=6V;并在输出端加负载电阻RL,其阻值为3kΩ,则该电路的最大不失真输出电压有效值Uom为()。

A:6V

B:2V

C:3V

D:8V

答案:B如图所示电路中VCC=12V,RC=3kΩ,静态管压降UCEQ=6V;并在输出端加负载电阻RL,其阻值为3kΩ,当Ui=1mV时,将Rw调到输出电压最大且刚好不失真,若此时增大输入电压,则输出电压波形将()。

A:为余弦波

B:底部失真

C:顶部失真

D:为正弦波

答案:B

如图所示电路中VCC=12V,RC=3kΩ,静态管压降UCEQ=6V;并在输出端加负载电阻RL,其阻值为3kΩ,若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将()。

A:VCC减小

B:其余选项都对

C:RW减小

D:Rc减小

答案:D在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是()。

A:不能确定

B:共射放大电路

C:共基放大电路

D:共集放大电路

答案:D在基本共射放大电路中,负载电阻RL减小时,输出电阻RO将()。

A:增大

B:减少

C:不变

D:不能确定

答案:C在三种基本放大电路中,输入电阻最小的放大电路是()。

A:不能确定

B:共射放大电路

C:共集放大电路

D:共基放大电路

答案:D第六章测试对于中频信号而言,放大电路中所有耦合电容和旁路电容应视为开路。()

A:对

B:错

答案:B对于低频信号而言,放大电路中所有耦合电容和旁路电容应视为短路。()

A:对

B:错

答案:B如图所示,该电路属于()。

A:RC低通电路

B:RC高通电路

C:微分电路

D:积分电路

答案:B如图所示,该电路属于()。

A:微分电路

B:积分电路

C:RC高通电路

D:RC低通电路

答案:D如图所示,该频率响应曲线为()。

A:RC低通电路相频响应曲线

B:RC高通电路频率响应曲线

C:RC低通电路频率响应曲线

D:RC高通电路相频响应曲线

答案:B如图所示,该频率响应曲线为()。

A:RC高通电路频率响应曲线

B:RC低通电路相频响应曲线

C:RC高通电路相频响应曲线

D:RC低通电路频率响应曲线

答案:D57、某放大电路的对数幅频特性如图所示,由图可知,上下限截止频率分别是()。

A:2×106Hz,20Hz

B:2×107Hz,2Hz

C:2×106Hz,2Hz

D:2×107Hz,20Hz

答案:A58、如图所示,实际频率响应曲线与该频率响应曲线的最大误差为()。

A:-3dB

B:0dB

C:-1dB

D:-2dB

答案:A放大电路对不同频率信号产生不同响应的根本原因包括()。

A:实际电路中的分布电容

B:FET或BJT的PN结电容

C:放大电路中有耦合电容、旁路电容和负载电容

D:电抗元件的阻抗会随信号频率的变化而变化

答案:ABCD如图所示为共源极放大电路,当输入信号为较低频率的信号时,若想尽可能降低下限截止频率,可采取的措施有()。

A:选择大的耦合电容Cb1

B:采用直接耦合方式

C:选择大的旁路电容Cs

D:选择大的耦合电容Cb2

答案:ABCD第七章测试镜像电流源属于单口网络,输出电阻很大。()

A:对

B:错

答案:A在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。()

A:对

B:错

答案:B在线性工作范围内的差分放大电路,只要其共模抑制比足够大,则不论是双端输出还是单端输出,其输出电压的大小均与两个输入端电压的差值成正比,而与两个输入电压本身的大小无关。()

A:错

B:对

答案:B对于差分放大电路,当放大差分信号时,单端输入的增益与双端输入的增益相等。()

A:对

B:错

答案:A放大电路产生零点漂移的主要原因是()。

A:放大倍数太大

B:晶体管的噪声太大

C:环境温度变化引起参数变化

D:采用了直接耦合方式

答案:C集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以()。

A:扩展频带

B:稳定放大倍数

C:提高输入电阻

D:克服温漂

答案:D差分放大电路用恒流源代替Re是为了()。

A:提高共模抑制比

B:提高共模电压放大倍数

C:提高差模输出电阻

D:提高差模电压放大倍数

答案:A差分放大电路的主要特点是()。

A:既可放大差模信号,也可放大共模信号

B:有效地放大差模信号,强有力地抑制共模信号

C:只能放大共模信号,不能放大差模信号

D:既抑制共模信号,又抑制差模信号

答案:B如图所示的差分放大电路中,+VCC=+10V,-VEE=-10V,IO=1mA,电流源的输出电阻ro=25kΩ,Rc1=Rc2=10kΩ,BJT的β=200,VBE=0.7V,当时,双端输出时的Avd为()。

A:93.45

B:-93.45

C:-186.9

D:186.9

答案:C关于差分放大电路,下列说法正确的是()。

A:放大电路的共模抑制比

B:共模信号作用于两个输入端时,从两管集电极输出电压vo1-vo2=0,因此,双端输出的共模电压增益为零

C:在电路左右对称的条件下,若输入为差模方式,一个管子电流的增加量等于另一个管子电流的减少量

D:带负载RL时,双端输入、双端输出的差模电压增益等于单边电路的电压增益

答案:ABC第八章测试直流反馈主要用于稳定放大电路的静态工作点。()

A:错

B:对

答案:B既然电流负反馈稳定输出电流,那么必然稳定输出电压。()

A:错

B:对

答案:A对于放大电路,所谓闭环是指()。

A:存在反馈通路

B:考虑信号源内阻

C:接入电源

D:接入负载

答案:A在输入量不变的情况下,若引入反馈后(),则说明引入的反馈是负反馈。

A:输出量增大

B:输入电阻增大

C:净输入量增大

D:净输入量减小

答案:D欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入的负反馈是()。

A:电流串联

B:电压串联

C:电流并联

D:电压并联

答案:B反馈放大电路如下图所示,该电路级间反馈的类型是()。

A:电流并联负反馈

B:电流串联负反馈

C:电压并联负反馈

D:电压串联负反馈

答案:A反馈放大电路如下图所示,该电路级间反馈的类型是()。

A:电压串联负反馈

B:电流并联负反馈

C:电流串联负反馈

D:电压并联负反馈

答案:A对于开环放大电路A,引入反馈网络F后,闭环增益的相对变化量为开环增益相对变化量的()倍。

A:

B:

C:F

D:

答案:B如图所示的电路在深度负反馈条件下,该电路的电压放大倍数为()。

A:

B:

C:

D:

答案:D放大电路在引入电压并联负反馈后,能够将()。

A:输入电阻提高1+AF倍

B:输出电阻增加1+AF倍

C:输出电阻减小1+AF倍

D:输入电阻减小1+AF倍

答案:CD第九章测试甲类功率放大器的效率在所有功率放大器中效率最高。()

A:错

B:对

答案:A在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。()

A:对

B:错

答案:B功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大()。

A:平均功率

B:平均电压

C:交流功率

D:直流功率

答案:C功率放大电路的转换效率是指()。

A:最大输出功率与电源提供的平均功率之比

B:输出功率与晶体管所消耗的功率之比

C:最大输出功率与晶体管所消耗的功率之比

D:晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比

答案:A功率放大电路与电压放大电路的区别是()。

A:前者比后者效率高

B:前者比后者电压放大倍数数值大

C:在电源电压相同的情况下,前者比后者的最大不失真输出电压大

D:前者比后者电源电压高

答案:A乙类功率放大电路容易出现的失真是()。

A:非线性失真

B:截止失真

C:饱和失真

D:交越失真

答案:D在乙类功放电路中,若最大输出功率为1W,则电路中功放管的最大功耗约为()。

A:0.1W

B:1W

C:0.2W

D:0.5W

答案:C如图所示电路中,已知VCC=16V,RL=4Ω,T1和T2管的饱和管压降│UCES│=2V,输入电压足够大,则最大输出功率Pom是()。

A:15W

B:24.5W

C:69W

D:37.5W

答案:B功率放大电路要解决的主要问题包括()。

A:功率器件散热好

B:提高电路对称性

C:输出功率尽可能大

D:提高效率

答案:ACD功率放大电路主要可分为哪几种类型()。

A:甲乙类

B:甲类

C:丙类

D:乙类

答案:ABCD第十章测试正弦波振荡电路的选频网络作用是确保电路只在一个频率下满足相位平衡条件。()

A:错

B:对

答案:B单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强,而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。()

A:错

B:对

答案:A为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用的滤波电路是()。

A:带通

B:有源

C:带阻

D:低通

答案:C已知输入信号的频率为10kHz~12kHz,为了防止干扰信号的混入,应选用的滤波电路是()。

A:低通

B:带通

C:有源

D:带阻

答案:B正弦波振荡电路的振幅平衡条件是和相位平衡条件分别是()。

A:,

B:,

C:,

D:,

答案:A正弦波产生电路可以由下列哪个选项搭建而成()。

A:负反馈放大电路和RC选频网络

B:正反馈放大电路和RC选频网络

C:同相输入迟滞比较器和积分电路

D:同相输入迟滞比较器和微分电路

答案:B方波信号产生电路的周期由()决定。

A:电源电压参数

B:输出负载电阻参数

C:集成运放的转换时间

D:RC充放电支路的元件参数

答案:D如图所示的单门限电压比较器,已知VREF=3V,R1=2KΩ,R2=4KΩ,则其门限电压VT为()。

A:-1.5V

B:-6

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