半导体制造技术智慧树知到答案章节测试2023年上海工程技术大学

第一章测试“摩尔定律”是（）提出的？

A:1965年

B:1958年

C:1960

D:1970年

答案:A第一个晶体管是（）材料晶体管？

A:锗

B:硅

C:碳

答案:A戈登摩尔是（）科学家。

A:德国

B:美国

C:法国

D:英国

答案:B第一个集成电路在（）被研制。

A:1960

B:1955

C:1965

D:1958

答案:D（）被称为中国“芯片之父”。1、

A:邓中翰

B:许居衍

C:沈绪榜

D:吴德馨

答案:A第二章测试硅在地壳中的储量为（）。

A:第四

B:第二

C:第三

D:第一

答案:B脱氧后的沙子主要以（）的形式。

A:碳化硅

B:硅

C:二氧化硅

答案:C半导体级硅的纯度（）。

A:99.99999％

B:99.999999％

C:99.999％

D:99.9999999％

答案:D西门子工艺制备得到的硅为单晶硅。（）

A:对

B:错

答案:B一片硅片只有一个定位边。（）

A:错

B:对

答案:A晶面指数（m1m2m3）：m1、m2、m3分别为晶面在X、Y、Z轴上截距的倒数。（）

A:错

B:对

答案:B第三章测试通过薄膜淀积方法生长薄膜不消耗衬底的材料。（）

A:对

B:错

答案:A热氧化法在硅衬底上制备二氧化硅需要消耗硅衬底。（）

A:错

B:对

答案:B二氧化硅可以与氢氟酸发生反应。（）

A:错

B:对

答案:B薄膜的密度越大，表明致密性越低。（）

A:对

B:错

答案:B电阻率，表征导电能力的参数，同一种物质的电阻率在任何情况下都是不变的。（）

A:错

B:对

答案:A第四章测试光刻本质上是光刻胶的光化学反应。（）

A:错

B:对

答案:B一个透镜的数值孔径越大就能把更少的衍射光会聚到一点。（）

A:错

B:对

答案:A使用正胶进行光刻时，晶片上所得到的图形与掩膜版图形相同。（）

A:错

B:对

答案:B使用负胶进行光刻时，晶片上得到的图形与掩膜版上的图形相反。（）

A:对

B:错

答案:A正性光刻胶经过曝光后，可以溶解于显影液。（）

A:对

B:错

答案:A负性光刻胶经过曝光后，可以溶解于显影液。（）

A:错

B:对

答案:A第五章测试刻蚀是用化学方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。（）

A:错

B:对

答案:A湿法刻蚀是各向同性腐蚀。（）

A:错

B:对

答案:B干法刻蚀有各向同性腐蚀，也有各向异性腐蚀。（）

A:对

B:错

答案:A选择比指在不同刻蚀条件下，刻蚀一种材料对另一种材料的刻蚀速率之比。（）

A:对

B:错

答案:B同一晶体不同晶面的原子键密度不一样，导致刻蚀速率不一样。（）

A:对

B:错

答案:A第七章测试选择比指在同样的条件下对两种无图形覆盖材料抛光速率的比值。（）

A:对

B:错

答案:A尖楔现象是铝硅接触时，较多的铝溶解到硅中形成尖刺的现象。（）

A:错

B:对

答案:A双大马士革中采用CMP，铜需要被刻蚀。（）

A:错

B:对

答案:A高温回流：一般是在高温下进行，可适用于所有金属层间介质。（）

A:对

B:错

答案:B肖特基接触在某种条件下可以转变为欧姆接触（高掺杂）。（）

A:对

B:错

答案:A第八章测试物质有三种形态。（）

A:对

B:错

答案:B霜是有水汽直接在地面或近地面的物体上凝华形成的。（）

A:对

B:错

答案:A半导体制造工艺中用的气体可以随便运输。（）

A:错

B:对

答案:A工艺腔是指一个受控的常压环境。（）

A:错

B:对

答案:A等离子体是不导电的。（）

A:错

B:对

答案:A第九章测试芯片测试完成时，合格的芯片用墨水标出。（）

A:对

B:错

答案:B芯片成品率等于合格芯片数占总芯片数的百分比。（）

A:错

B:对

答案:B半导体制造工艺中不同硅片之间测试数据差别过大是可以接受的。（）

A:对

B:错

答案:B泊松模型是假设缺陷密度为均匀的，且硅片