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Rev.forclass

MB(10-7×W/m2·

.

MB(T)

(T)dT5

2.m 2.90106mm0

。。

4.4.2

(荧光与磷光)、热辐射所发射的光子都是随在激光是电子能态的在从向从向上上

功功

频率、相位、

E2E1

E

Eh

E2 E1

E1)h

Cr3+Al2O3(0.05%Cr3+)

Nd3+-Y3Al5O12(Nd3+:YAG)

Bi

变化变化电

致直接跃迁光吸收系数(10致直接跃迁光吸收系数(104-106cm-1)比间

E2E1hk2hk1

pn结注入电子是半导体激光器受激正向偏压足够大，使(Efn-(Efp大于Eg

DoubleHeterostructure

(1.7eV)，把低带隙不掺杂的GaAs(1.4eV)层夹在中间，形GaAs作为激光激活nGaAs激活区中注入电子和

GaAs中的电子，空穴都受到AlGaAs

0K以上的物体均发射 ；； 硅(Si

CsIMgF2。自然界中IIa型 透过波长范围很宽：带宽从0.23μm到200μm以上吸收很小：在10.6μm处，α＝0.03cm-1

10.6μm0.1cm-1

W/K· W/K· W/K·1×

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