材料的电学性能

材料的电学性能演示文稿当前1页，总共130页。主要内容

电导的物理现象

离子电导

电子电导

金属材料的电导

固体材料的电导

半导体陶瓷的物理效应

超导体当前2页，总共130页。电导率和电阻率对一截均匀导电体，存在如下关系：

欧姆定律

欧姆定律微分形式4.1电导的物理现象

4.1.1电导率和电阻率AreaLengthiρ-电阻率σ-电导率当前3页，总共130页。微分式说明导体中某点的电流密度正比于该点有电场,比例系数为电导率σ电场强度E－伏特/厘米;电阻密度J－安培/厘米2;电阻ρ－欧姆.厘米;电导率σ－欧姆-1.厘米-1

当前4页，总共130页。电流是电荷在空间的定向运动。任何一种物质，只要存在带电荷的自由粒子——载流子，就可以在电场下产生导电电流。金属中：

自由电子无机材料中：电子（负电子/空穴）——电子电导离子（正、负离子/空穴）——离子电导

4.1.2电导的物理特性(1)载流子当前5页，总共130页。

电子电导的特征是具有霍尔效应。

沿试样x轴方向通入电流I(电流密度Jx),z轴方向上加一磁场Hz,那么在y轴方向上将产生一电场Ey,这种现象称霍尔效应。

①霍尔效应图4-1霍尔效应示意图

当前6页，总共130页。Ey产生的电场强度,霍尔系数（又称霍尔常数）RH

霍尔效应的起源：源于磁场中运动电荷所产生的洛仑兹力，导致载流子在磁场中产生洛仑兹偏转。该力所作用的方向即与电荷运动的方向垂直，也与磁场方向垂直。当前7页，总共130页。

霍尔系数RH=μ*ρ，即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。

霍尔系数RH有如下表达式：

对于半导体材料：

n型：

p型：当前8页，总共130页。

离子电导的特征是具有电解效应。

利用电解效应可以检验

材料是否存在离子导电

可以判定载流子是正离子还是负离子

②电解效应法拉第电解定律：电解物质与通过的电量成正比关系：当前9页，总共130页。(2)迁移率和电导率的一般表达式物体的导电现象，其微观本质是载流子在电场作用下的定向迁移。当前10页，总共130页。4.2离子电导

参与电导的载流子为离子，有离子或空位。它又可分为两类。本征电导：源于晶体点阵的基本离子的运动。离子自身随着热振动离开晶格形成热缺陷。

从而导致载流子，即离子、空位等的产生，这尤其是在高温下十分显著。杂质电导：由固定较弱的离子（杂质）的运动造成，由于杂质离子是弱联系离子，故在较低温度下其电导也表现得很显著。当前11页，总共130页。固有电导(本征电导)中，载流子由晶体本身的热缺陷提供。晶体的热缺陷主要有两类：弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。Frenker缺陷指正常格点的原子由于热运动进入晶格间隙，而在晶体内正常格点留下空位。空位和间隙离子成对产生。

弗仑克尔缺陷：(弗仑克尔缺陷中填隙离子和空位的浓度是相等的)Ef－形成弗仑克尔缺陷所需能量4.2.1载流子浓度(1)本征电导的载流子浓度当前12页，总共130页。而肖特基缺陷中：

Es－离解一个阳离子和一个阴离子到达到表面所需能量。

低温下：KT<E，故Nf与Ns都较低。只有在高温下，热缺陷的浓度才明显增大，亦即，固有电导在高温下才会显著地增大。E与晶体结构有关，一般Es<Ef，只有结构很松，离子半径很小的情况下，才容易形成弗仑克尔缺陷。

当前13页，总共130页。当前14页，总共130页。（2）杂质电导的载流子浓度

杂质电导（extrinsicconduction）的载流子浓度决定于杂质的数量和种类。由于杂质的存在，不仅增加了载流子数，而且使点阵发生畸变，使得离子离解能变小。在低温下，离子晶体的电导主要是杂质电导。如在Al2O3晶体中掺入MgO或TiO2杂质很显然，杂质含量相同时，杂质不同产生的载流子浓度不同；而同样的杂质，含量不同，产生的载流子浓度不同。当前15页，总共130页。4.2.2离子迁移率离子电导的微观机构为载流子

─

离子的扩散。间隙离子处于间隙位置时，受周边离子的作用，处于一定的平衡位置(半稳定位置)。如要从一个间隙位置跃入相邻间隙位置，需克服高度为U0的势垒完成一次跃迁，又处于新的平衡位置上。这种扩散过程就构成了宏观的离子“迁移”。

由于U0相当大，远大于一般的电场能，即在一般的电场强度下，间隙离子单从电场中获得的能量不足以克服势垒进行跃迁，因而热运动能是间隙离子迁移所需能量的主要来源。当前16页，总共130页。当前17页，总共130页。间隙离子的势垒变化

单位时间沿某一方向跃迁的次数

离子迁移与势垒U0的关系;ν0－间隙原子在半稳定位置上振动频率无外加电场时，各方向迁移的次数都相同，宏观上无电荷的定向运动。故介质中无导电现象。当前18页，总共130页。当前19页，总共130页。加上电场后，由于电场力的作用，使得晶体中间隙离子的势垒不再对称。正离子顺电场方向，“迁移”容易，反电场方向“迁移”困难。单位时间内每一间隙离子沿电场方向的剩余跃迁次数为：

-

当前20页，总共130页。载流子沿电场方向的迁移速度V

δ－相邻半稳定位置间的距离U－无外电场时的间隙离子的势垒（eＶ）故载流子沿电流方向的迁移率为：

q－电荷数(C)k=0.86×10-4(eV/Ｋ)当前21页，总共130页。4.2.3离子电导率(1)离子电导率的一般表达方式

σ=nqμ

如果本征电导主要由肖特基缺陷引起，其本征电导率为：

Ws－可认为是电导的活化能，它包括缺陷形成能和迁移能。电导率与之具有指数函数的关系。本征离子电导率一般表达式为：当前22页，总共130页。若有杂质也可依照上式写出：N2－杂质离子的浓度一般N2<<N1，但B2<B1，故有exp(-B2)>>exp(-B1)这说明杂质电导率要比本征电导率大得多。只有一种载流电导率可表示为：若以lnσ和1/T作图，可绘得一直线，从直线斜率即可求出活化能：W=BK当前23页，总共130页。有两种载流子时如碱卤晶体，总电导可表示

本征缺陷

杂质缺陷

有多种载流子时如碱卤晶体，总电导可表示为当前24页，总共130页。当前25页，总共130页。(2)扩散与离子电导

离子扩散机构当前26页，总共130页。能斯脱-爱因斯坦方程:当前27页，总共130页。4.2.4影响离子电导率的因素(1)温度呈指数关系，随温度升高，电导率迅速增大。如图：注意：低温下，杂质电导占主要地位(曲线1)，高温下，本征电导起主要作用(曲线2)。当前28页，总共130页。(2)离子性质及晶体结构关键点：电导率随着电导活化能指数规律变化，而活化能大小反映离子的固定程度，它与晶体结构有关。熔点高的晶体，活化能高，电导率低。a)离子半径：一般负离子半径小，结合力大，因而活化能也大；b)阳离子电荷，电价高，结合力大，因而活化能也大；c)堆积程度，结合愈紧密，可供移动的离子数目就少，且移动也要困难些，可导致较低的电导率。当前29页，总共130页。当前30页，总共130页。(3)晶体缺陷具有离子电导的固体物质称为固体电解质，必须具备的条件：a)电子载流子的浓度小。b)离子晶格缺陷浓度大并参与电导。故离子性晶格缺陷的生成及其浓度大小是决定离子电导的关键所在。当前31页，总共130页。影响晶格缺陷生成和浓度的主要原因是：

i)热激励生成晶格缺陷(肖特基与弗仑克尔缺陷)ii)不等价固溶体掺杂形成晶格缺陷。iii)离子晶体中正负离子计量比随气氛的变化发生偏离，形成非化学计量比化合物。如：稳定型ZrO2中氧的脱离形成氧空位，同时产生电子性缺陷。总电导率为：σ=σi+σe

当前32页，总共130页。如在还原气氛下形成的TiO2-x，ZrO2-x，其平衡式为:FeO在氧化氛下形成Fe1-xO，其平衡式为:当前33页，总共130页。当前34页，总共130页。4.2.5固体电解质ZrO2当前35页，总共130页。

氧敏感陶瓷

工艺上，在ZrO2加入10～20%mol比的CaO，在1600℃以上烧结，

即可获得稳定化ZrO2。若加入了15%mol比的CaO，其分子式为：Ca0.15Zr0.85O1.85，这是不完整化学成分的晶体(相对于ZrO2而言)，氧离子少了0.15个。结果，在晶体中，氧离子就很容易活动，而CaO和ZrO2很难还原。

当前36页，总共130页。此时，晶体中不存在自由电子，导电性则主要由氧离子的运动造成。0.5O2+2e→O2-

（在阳极）

O2-

→O2

O2-

→0.5O2+2e（在阴极）

只要知道了一侧的氧分压，就可求出另一侧的氧分压

→

气敏陶瓷，可用来测定窑炉、平炉的气氛、汽车燃烧的空燃比。当前37页，总共130页。氧泵若外加电压大于氧敏感元件得到的电位差就可使氧离子从氧分压低的一侧倒流向氧分压高的一侧，这可从含微量氧的气体中抽出氧来。

燃料电池氧离子从fO2高处往低处移动，此时，若在fO2低的一侧存在氧等可燃气体，则有：O2-+H2

→H2O+2e生成水蒸汽并放出自由电子。通过电子电路将电子不断地引走，氧离子则随之不断在在低氧分压一侧出现，这即为氢燃烧而获得了电力。将燃烧直接转换为电能，

将会比由燃料→燃烧能→电能这一过程损失少，且无燥声，而若从输气管道供给燃料

，就有可能在各个家庭中发电。当前38页，总共130页。电阻发热体碳化硅：<800℃时,电阻值随温度的升高而降低(半导体特征)，＞800℃时，则随温度的升高而升高（金属导体特征）。可用于控制温度，最高可达1650℃。MoSi2：可迅速加热，最高温度1700℃，价格较贵。铬酸镧：＞800℃，电阻不再随温度的变化而变化，可制作更易控温的发热体电阻，最高使用温度1800℃，价格高，目前利用率不高。镍铬耐热合金：最高使用温度达1200℃。*Mo丝或钨丝不能在空气中使用。

当前39页，总共130页。4.3电子电导

导电的前提：在外界能量(如热、辐射)、价带中的电子获得能量跃迁到导带中去；导电机制：电子与空穴。

当前40页，总共130页。4.3.1电子迁移率(1)经典理论在外电场E作用下电子加速度a为：a=eE/me平均速度：

迁移率：

τ－为松弛时间，与晶格缺陷及温度有关,温度越高，晶体缺陷越多，电子散射几率越大，

τ越小。经典模型中，电子视为是自由的，实际晶体中却不是这样的。当前41页，总共130页。(2)量子力学推导

(有效质量)

(k：波数)

m*考虑了电子与晶格的相互作用强度。τ则决定于载流子的散射强弱。散射越弱，τ越长，迁移率也越大；掺杂浓度越多，载流子和电离杂质相遇而被散射的机会也越多；温度越高，晶格振动越强，晶格散射增强，迁移率也降低；

当前42页，总共130页。当前43页，总共130页。当前44页，总共130页。散射（1）晶格散射（2）电离杂质散射当前45页，总共130页。4.3.2载流子浓度(1)晶体的能带结构当前46页，总共130页。当前47页，总共130页。

(2)本征半导体中的载流子浓度本征电导：空带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在，载流子电子和空穴的浓度是相等的。它们是由半导体晶格本身提供，是由热激发产生的，其浓度与温度呈指数关系。

费米统计理论：某一能带(E1和E2之间)存在的电子浓度ne可表示为：

导带中的电子浓度：

Gc(E)－导带的电子状态密度Fe(E)－电子分布函数

当前48页，总共130页。Eg-禁带宽度当前49页，总共130页。当前50页，总共130页。(3)杂质半导体中的载流子浓度杂质对半导体的导电性能影响很大，例如，单晶硅中掺(1/10万)硼，导电能力将增大1000倍。杂质半导体可分为n型(可提供电子)和p型(会吸收电子，造成空穴)。施主能级在四价的Si单晶中掺入五价的杂质砷，一个砷原子外层有五个电子，取代一个硅原子后，其中四个同相邻的四个硅原子形成共价键，还多出一个电子，它离导带很近，只差E1=0.05eV，为硅禁带宽度的5%，很容易激发到导带中去。这种“多余”电子的杂质能级称为施主能级，n型半导体。当前51页，总共130页。受主能级若在Si中掺入第三族元素(如B)，因其外层只有三个价电子，

这样它和硅形成共价键就少了一个电子(出现了一个空穴能级)此能级距价带很近，只差E1=0.045eV，价带中的电子激发到此能级上比越过整个禁带容易(1.1eV)。这种杂质能级称为受主能级，P型半导体。当前52页，总共130页。当前53页，总共130页。当前54页，总共130页。4.3.3电子电导率本征电导率：n型、P型半导体电导率：

与杂质无关

杂质引起

低温时，第二项起作用，杂质电导起主要作用；高温时，杂质已全部离解，本征电导起作用。

当前55页，总共130页。本征半导体或高温时的杂质半导体的电导率与温度的关系为：

σ=σ0exp(-Eg/2kT)

(lnσ与1/T呈直线关系)

ρ=ρ0exp(Eg/2kT)

(lnρ与1/T也呈直线关系)p型半导体电导率：

当前56页，总共130页。图4-12本征半导体电阻率与温度的关系

当前57页，总共130页。实际晶体的导电机构比较复杂，与温度关系如下：

当前58页，总共130页。4.3.4电子电导率的影响因素(1)温度的影响在温度变化不大时，电导率与温度关系符合指数式。（a）声子对迁移率的影响（b）杂质离子对迁移率的影响当前59页，总共130页。总迁移率：一般情况下，μ受T的影响比起载流子浓度n受T的影响要小得多，因此电导率对温度的依赖关系主要取决于浓度项。

当前60页，总共130页。杂质电导当前61页，总共130页。当前62页，总共130页。(2)杂质及缺陷的影响（a）杂质缺陷当前63页，总共130页。当前64页，总共130页。当前65页，总共130页。（b）组分缺陷阳离子空位阴离子空位间隙离子

当前66页，总共130页。阳离子空位当前67页，总共130页。当前68页，总共130页。当前69页，总共130页。阴离子空位当前70页，总共130页。间隙离子当前71页，总共130页。当前72页，总共130页。4.4金属材料的电导4.4.1金属电导率最初，以所有自由电子都对金属电导率做出贡献为假设，利用经典自由电子理论，推导出的金属电导率的表达式为:

量子自由电子理论表明，并非所有自由电子都对金属电导率有贡献，而是只有在费米面附近能级的电子才能对电导做出贡献。最后再根据能带理论，推导出电导率的表达式为:

当前73页，总共130页。4.4.2电阻率与温度的关系图4-16低温下杂质、晶体缺陷对金属电阻的影响1-理想金属晶体ρ=ρ(T)2–含有杂质金属ρ=ρ0+ρ(T)3–含有晶体缺陷ρ=ρ0＇+ρ(T)

当前74页，总共130页。图4-17金属电阻温度曲线1–ρ电-声∝T（T>(2/3)θD）；2–ρ电-声∝T5（T<<θD）；3-ρ电-声∝T2（T≈2

K）

℃图4-18锑、钾、钠熔化时电阻率变化曲线

当前75页，总共130页。图4-19金属磁性转变对电阻的影响

当前76页，总共130页。4.4.3电阻率与压力的关系

在流体静压压缩时（高达1.2GPa），大多数金属的电阻率下降。这是因为在巨大的流体静压条件下，金属原子间距缩小．内部缺陷形态、电子结构、费米能和能带结构都将发生变化，显然会影响金属的电导率。当前77页，总共130页。4.4.4冷加工和缺陷对电阻率的影响图4-21冷加工变形铁的电阻在退火时的变化1-ε=99.8%；2-ε=97.8%；3-ε=93.5%；4-ε=80%；5-ε=44%

图4-20变形量对金属电阻的影响

当前78页，总共130页。4.4.5电阻率的各向异性

一般在立方系晶体中金属的电阻率表现为各向同性，但在对称性较差的六方晶系、四方晶系、斜方晶系和菱面体中，导电性表现为各向异性。当前79页，总共130页。cAu/原子百分数图4-22银-金合金电阻率与组成的关系

cPd/原子百分数图4-23铜、银、金与钯组成金合金电阻率与组成的关系

4.4.6固溶体的电阻率（1）形成固溶体时电阻率的变化当前80页，总共130页。

（a）AB型超点阵

（b）A3B型超点阵图4-26远程有序度对剩余电阻率的影响

图4-24Cu3Au合金有序化对电阻率影响1-无序（淬火态）；2-有序（退火态）

图4-25Cu-Au合金电阻率曲线1-淬火态；2-退火

（2）有序合金的电阻率当前81页，总共130页。T/℃图4-2780Ni20Cr合金加热、冷却电阻变化曲线（原始态：高温淬火）

Ε

/%图4-2880Ni20Cr合金电阻率与冷加工变形的关系1-800℃水淬+400℃回火；2、3-形变+400℃回火

（3）不均匀固溶体（K状态）电阻率当前82页，总共130页。4.5固体材料的电导

4.5.1玻璃态电导(1)含碱玻璃的电导特性在含有碱金属离子的玻璃中，基本上表现为离子电导。玻璃体的结构比晶体疏松，碱金属离子能够穿过大于其原子大小的距离而迁移，同时克服一些位垒。玻璃体与晶体不同是，碱金属离子的能阱不是单一的数值，而是有高有低，这些位垒的体积平均值就是载流子的活化能。

大多数固体材料为多晶多相材料，其显微结构往往较为复杂，由晶粒、玻璃相、气孔等组成。多晶多相材料的电导比起单晶和均质材料要复杂得多。

当前83页，总共130页。当前84页，总共130页。(a)碱金属含量不大时，σ与碱金属含量呈直线关系，碱金属只增加离子数目；但碱金属含量超过一定限度时，σ与碱金属含量呈指数关系，这是因为碱金属含量的的增加破坏了玻璃的网络，而使玻璃结构更加松散，因而活化能降低，

导电率指数式上升。当前85页，总共130页。(b)双碱效应应用条件：当碱金属离子总浓度较大时（占玻璃25-30%），在碱金属离子总浓度相同情况下，含两种碱比含一种碱的电导率要小，比例恰当时，可降到最低(降低4～5个数量级)。当前86页，总共130页。(3)压碱效应

含碱玻璃中加入二价金属氧化物，尤其是重金属氧化物，可使玻璃电导率降低，这是因为二价离子与玻璃体中氧离子结合比较牢固，能嵌入玻璃网络结构，以致堵住了离子的迁移通道，使碱金属离子移动困难，

从而减小了玻璃的电导率。也可这样理解，二价金属离子的加入，加强玻璃的网络形成，从而降低了碱金属离子的迁移能力。

当前87页，总共130页。当前88页，总共130页。无机材料中的玻璃相，往往也含有复杂的组成，一般，玻璃相的电导率比晶体相高，因此，对介质材料应尽量减少玻璃相的电导。上述规律对陶瓷中的玻璃相也是适用的。

当前89页，总共130页。半导体玻璃作为新型材料非常引人注目：（1）金属氧化物玻璃（SiO2等）；（2）硫属化物玻璃（S,Se,Te等与金属的化合物）；（3）Ge,Si,Se等元素非晶态半导体。（2）玻璃半导体当前90页，总共130页。当前91页，总共130页。4.5.2多晶多相固体材料的电导陶瓷材料主要由三大部分构成：晶相、玻璃相和气孔相，三者间量的大小及其相互间的关系，决定了陶瓷材料电导率的大小。微晶相、玻璃相电导较高。玻璃相―结构松驰，微晶相―缺陷较多，活化能较低。含玻璃相的陶瓷的电导很大程度上决定于玻璃相。含有大量碱性氧化物的无定形相的陶瓷材料的电导率较高。实际材料中，作绝缘用的电瓷含有大量碱金属氧化物，因而电导率较大，刚玉瓷(Al2O3)含玻璃相较少，电导率就小。当前92页，总共130页。固溶体与均匀混合体：导电机制较复杂，有电子电导，也有离子电导。此时，杂质与缺陷为影响导电性的主要内在因素。这可具体问题作具体分析。对于多价型阳离子的固溶体，当非金属原子过剩，形成空穴半导体；当金属原子过剩时，形成电子半导体。均匀材料的晶粒大小对电导影响很小。除了薄膜及超细颗粒外，晶界的散射效应比晶格小得多（这与离子及电子运动的自由程有关）。相反，半导体材料急剧冷却时，晶界在低温已达平衡，结果晶界比晶粒内部有较高的电阻率。由于晶界包围晶粒，所以整个材料有很高的直流电阻。如SiC电热元件，二氧化硅在半导体颗粒间形成，晶界中SiO2越多，电阻越大。当前93页，总共130页。材料的电导在很大程度上决定于电子电导。这是由于与弱束缚离子比较，杂质半束缚电子的离解能很小，容易被激发，因而载流子的浓度随温度升高剧增。

当前94页，总共130页。当前95页，总共130页。当前96页，总共130页。4.5.3次级现象

(1)空间电荷效应（a）吸收现象：在测量陶瓷电阻时，经常可以发现，加上直流电压后，电阻需要经过一定的时间才能稳定。切断电源后，将电极短路，发现类似的反向放电电流，并随时间减小到零。随时间变化的这部分电流称为吸收电流，最后恒定的电流称为漏导电流，这种现象称为电流吸收现象。

电流吸收现象的原因是，外电场作用下，电介质(如瓷体)内自由电荷重新分布的结果。

当前97页，总共130页。当前98页，总共130页。（b）空间电荷:当施加电场时，正、负离子分别向负、正极移动，引起介质内各点离子密度变化，并保持在高势垒状态。在介质内部，离子减少，而在电极附近，离子增加，或在某地方积聚，这样形成自由电荷的积累

当前99页，总共130页。(2)电化学老化现象

指在电场作用下，由化学变化引起材料电性能不可逆的恶化。其主要原因是离子在电极附近发生的氧化还原过程。a)

阳离子-阳离子电导

b)

阴离子-阳离子电导

c)

电子-阳离子电导

d)

电子-阴离子电导

当前100页，总共130页。4.5.4无机材料电导的混合法则

陶瓷材料则由晶粒、晶界、气孔等所组成的复杂的显微结构。为简化起见，设陶瓷界面的影响和局部电场的变化等因素可以忽略，则总电导率为：

-晶粒电导率

-晶界的电导率

-晶粒的体积分数

-晶界的体积分数

当前101页，总共130页。当n=-1时，相当于图4-32(a)的串联状态；当n=1时，相当于图4-32(b)的并联状态；当n→0，对于晶粒均匀分散在晶界中的情况，相当于图4-32(c)的混合状态。

当前102页，总共130页。当前103页，总共130页。4.6半导体陶瓷的物理效应4.6.1晶界效应

(1)压敏效应(Varistoreffect)

压敏效应指对电压变化敏感的非线性电阻效应，即在某一临界电压以下，电阻值非常高，几乎无电流通过；超过该临界电压(敏压电压)，电阻迅速降低，让电流通过。当前104页，总共130页。当前105页，总共130页。当前106页，总共130页。当前107页，总共130页。(2)PTC效应(PositiveTemperatureCoefficient)

（1）PTC现象：在材料的相变点（居里点）附近，电阻率随温度上升发生突变，增大了3-4个数量级。

（2）PTC现象的应用主要应用：温度敏感元件；热敏电阻（P型半导体）

；限电流元件；恒温发热体

当前108页，总共130页。当前109页，总共130页。4.6.2表面效应陶瓷气敏元件主要是利用半导体表面的气体吸附反应。利用表面电导率变化的信号来检测各种气体的存在和浓度。

(1)半导体表面空间电荷层的形成半导体表面存在着各种表面能级，如晶格原子周期排列终止处所产生的达姆（Tamm）能级、晶格缺陷或表面吸附原子所形成的电子能级等。这些表面能级将作为施主或受主和半导体内部产生电子授受关系。当表面能级低于半导体的费米能级，即为受主表面能能级时，从半导体内部俘获电子而带负电，内层带正电在表面附近形成表面空间电荷层，这种电子的转移将持续到表面能级中电子的平均自由能与半导体内部的费米能级相等为止。

当前110页，总共130页。当前111页，总共130页。（2）半导体表面吸附气体时电导率的变化

半导体表面吸附气体时，半导体和吸附气体分子（或气体分子分解后形成的基团）之间由于电子的转移（即使电子的转移不那么显著）产生电荷的偏离。如果吸附分子的电子亲和力χ比半导体的功函数W大，则吸附分子从半导体捕获电子而带负电；相反，吸附分子的电离势I比半导体的电子亲和力χ小，则吸附分子向半导体供给电子而带正电。

当前112页，总共130页。当前113页，总共130页。4.6.3西贝克效应

半导体两端有温差时，高温区电子易激发到导带中去，热电子则趋于扩散到较冷的区域中去。当其化学势梯度和电场梯度相等，且方向相向时，达到稳定状态。

由于多数载流子要扩散到冷端，产生△V/△T，结果就产生了温差电动势-西贝克效应。

当前114页，总共130页。当前115页，总共130页。当前116页，总共130页。4.6.4p-n结

(1)p-n结势垒的形成当前117页，总共130页。(2)偏压下的p-n结势垒和整流作用当前118页，总共130页。当前119页，总共130页。(3)光生伏特效应当前120页，总共130页。4.7超

导

体4.7.1概述

所谓超导体（superconductor）就是在液氦