芯邦技术cbm73xx系列芯片手册

索索 特 引脚图—CBM7332A6Q1 引脚图二CBM7320A4S1 引脚图三CBM7320A4P1 引脚图四CBM7312A3S1 引脚图五CBM7308A3S1 概 器的构 程序器的构 数据器的构 概 复 中 调 看门狗定时器 WDT的操作步 WDT寄存器的定 WDT溢出中 8位定时器 8位定时器 16位定时器 16位定时器 模块 的操作步 实时时钟模块 图14-1：ADC的框 ADC工作原 ADC的操作步 ADC寄存器的定 图15-1：sensorADC系统框 sensorADC工作原 sensorADC操作步 SPI的操作步 SPI寄存器的定 EFC模块(类 sector擦 EFC寄存器的定 LED的操作步 LED显示控制原 LED寄存器的定 电气特 A/D转换器电气特 封装信 特CPU-Fsys=16MHZ，VDD=

高灌/拉电流可直接驱动I2C主/从模式接32.768KHZ晶振)程序数据10A/D类8662624121YYY42YYYY42NYYY42NYYY42NNYYY42NN(CBM7320A4S1CBM7308A3S1SPISlave据SPISlave据输出SPISlave钟SPISlave选信SPIMasterSPIMaster据输SPIMaster钟输SPIMaster选信I2CSlaveI2CSlaveI2CMaster钟I2CMaster据12LEDSEGLEDSEGLEDSEGLEDSEGLEDSEGLEDSEGLEDSEGLEDSEGLEDSEGLEDSEG/GRIDLEDSEG/GRIDLEDSEG/GRIDLEDSEG/GRIDLEDGRIDLEDGRIDLEDGRIDLEDGRID概了 图1-1：CBM73XX程序器的构CBM73xx系列具备16位的程序计数器(program000BH、0013H、001BH、0023H、002BH处(可以配置VTOR寄HHHHHH区…数据器的构数据器

成了1024字节片外XRAM，可供用户用于数据。程序状态字(PSW)中的RS1位和RS0位的组合决定。以进行位寻址(16*8=128个位地址)。片内

：片外IO：片外片外EFC(类中CBM73xx有16字节内核特殊功能寄存器，内核特殊功能寄存器与片内RAM共用80H-FFH地址，但是它们拥有不B

B寄存器数据指针是一个16位寄存器。编程时，DPTR既可以存器DPH和DPL分开使用，即：DPHDPTR8DPLDPTR8于外部数据器的寻址范围为64KB，故把DPTR设计为16细说明见5.2.2小节“中断”)VTOR寄存器上电复位值为0x00，即复位时中断地址和8051中断地址一致。若用户开发的程序的起始地址为0x0800，则可以将中断地址的高8位设置到中断偏移地址寄存器VTOR中。程序状态字是一个8位寄存器，用于存放程序运行中的移指令根PSW某些位的状态进行程序转移。

2-1：PSWPR读W写U-n电复位时的10=xbit 0术或逻辑运算中，没有进位或借位发1术或逻辑运算中，有进位或借位发bit 0术或逻辑运算中，没有辅助进位或借位发1术或逻辑运算中，有辅助进位或借bit bit4- 000(映00H-bit 0有溢出发1溢出发bit bit 全局使能位(IE中的EA)的状态如何，中断标确保先将相应的中断标志位。中断1、…、中断5的使能位以及全局中断使能位。2-2：IE—R读-n电复位时的W写1U0xbit 0=所有中1=使能所有未被的中bit bit 0=中断5中bit 0=中断4中bit 0=中断3中bit 0=中断2中bit 0=中断1中bit 0=中断0中优先级，如寄存器2-3所示。2-3：IP——R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit bit bit bit bit bit 3、同一级的中断也有优先级，PX0PX142-4：PCON——————R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit 0=SLEEP模bit 0=IDLE模注 1、处于调试模式下，不能通过调试行为改变该寄存器的值，仅可以通过软件代码改变2PCONPSEQ0x0APSEQ0x053、不能同时使能SLEEP与IDLE模式，即不能写PCON=0x03写PCON前的保护序列寄存器(：————R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit3- 11000000概图4-1：MCU 振荡器模块有内部高频48M、内部低速800K或外部32.768K3种时钟。CKDIVCR寄存器的SYSDIV<5:0>位可以对内部48M高频时钟进行分频，SLOWDIV<1:0>位可以对内部800K低速时钟进行分频；再提供给CPU及外设使用。MDLCKCR存器是控制各个功能模块的时钟使能的寄存

上电时，系统时钟默认为内部高频48MHZ412MHZ。系统最高工作频率为16MHZ，即内部高频48MHZ的3分频。所以配置SYSDIV<5:0>时应注意值不能小于2。4-1：CKDIVCRR读W写U-n电复位时的10=xbit7-001012104118bit5-================1、系统时钟=OSC48M/(SYSDIV<5:0>2、由于CPU最快只能运行在16M时钟下，所以SYSDIV<5:0>不能小于000010(34-2：MDLCKCRR读W写U-n电复位时的10=xbit bit 0=关闭时钟，不工1=使能时钟，工bit bit bit bit bit bit 注 如果要配置某个模块功能时，必需首先配置MDLCKCR，使能相应模块时钟，才能够进行这个模块的功能配置MCUCBM73xx系列包含的许多特性旨在最大限度地提高软件配置PCON=0x01(需先写PSEQ寄存器，具体请看I2CSlave软件配置PCON=0x02(需先写PSEQ寄存器，具体请看式，进入休眠模式后，OSC48M钟停止工作，OSC800K、外复0000x0000000正常工作期间的RESET_PAD休眠模式期间的RESET_PAD复空闲模式期间的RESET_PAD

5-15-1：RSTSR————R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit 0位源不是外1位源是外部复bit 0位源不是低1位源是低压复bit 0位源不是看门狗溢1位源是看门狗溢出复bit 0位源不是上注：该寄存器各bit可由软件。在VDD达到足以使正常工作的电平以前，片上上电复位电路使保持复位状态。如果使能了低压复位，低压复位电路在VDD达到VLVD以前将保持为复位状态(见第5.1.2节“低压复位”)。当开始正常工作(退出复位状态)时，的工作参作。如果不满足这些条件，那么必须保持在复位状态，MISCR_POREN0,上电复位使能，MISCR_POREN1,上电复bit7- bit 0=FLASH多次读机bit bit 外部复位使用如图5-2所示的电路。

LVDCR寄存器是低压检测电路控制寄存器，其中1．OPER<1:0>00，暂停工作，电压恢复到阀值之上2．OPER<1:0>01，系统复位，电压恢复到阀值之上3．OPER<1:0110，只记录告警4．OPER<1:011，产生中断VOL<1:0>是低压复位电压选择4种电压可以选VOL<1:0>00，低压复2.7V，VOL<1:001，压复位电压为2.9V，VOL<1:0>=10，低压复位电压为3.1V，VOL<1:0>=11，低压复位电压为3.3V。超过参数值(TLVD21.0节“电气特性”)，低压状况将使复位。不管VDD的变化速率如何，上述情况都会发生复位。FLTLEN<2:0LVD警信号毛刺过滤宽度设置会使保持复位状态，直到VDD上升到VLVD以上(见图5-3：LVDCRR读W写U-n电复位时的10=xbit 0低压告警发1低压告警发bit6- 000=001=010=011=100=101=110=111=bit3- 00=01=10=11=bit1- 00统暂停工作，直到电压恢复到检测阈01统复位，直到电压恢复到检测阈值之10记录状11生中5-3：低压复位情形中000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000I2CMasterI2CSlave1：外设模块中的中断使能(例如T0CR存器的INTEN使能Timer0断，UIERTXIE能UART数据发送完成中断)；位控制使Timer0块的中断，IRQ3ERUARTINT位控制使能UART模块的中断)；PX1、…、PX5位控制)(需要注意每个内核中断都包含多个模4内核各个中断使能(IEEX0、EX1、…、EX5位控制)；

模块中断；(UART块包括发送数据完成、接收数据完成两中断优先级；(低优先级清0，高优先级置1)CBM7332A6Q1的中断源如表5-1所示表5-1内核中断外部中断内核中断外部中断内核中断外部中断内核中断外部中断内核中断外部中断内核中断I2CMasterI2CSlave外部中断图5-45，是对应于IRQnER寄存器的中断状态寄存器。5-4：IRQ0ER————R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit 0=LVD中bit 0=WDT溢出中bit 0=Timer3中断0中bit 0=外部中断0中—————R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit 0=SADC中bit 0=Timer3中断1中bit 0=外部中断1中—————R读-n电复位时的W写1U0xbit7- bit 0=RTC中bit 0=Timer0中bit 0=外部中断2中R读R读-n电复位时的W写1U0xbit7- bit 0=UART中bit 0=Timer1中bit 0=外部中断3中5-8：IRQ4ER—————R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit 0=ADC中bit 0=Timer2中bit 0=外部中断4中bit7- bit 0=I2CMaster中1I2CMasterbit 0=SPI中bit 0=I2CSlave中1I2CSlavebit 0=外部中断5中bit7- bit bit bit bit bit7- bit bit bit bit7- bit bit bit bit7- bit bit bit ：—————R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit bit bit bit7- bit bit bit 0产I2CSlave断条1产I2CSlave断条bit 中断CBM73xx系列的中断地址是在标准的8051的中断地址上加一个偏移地址，偏移地址由VTOR寄存器配置VTOR寄存器上电复位值为0x00，即复位时中断地址和8051中断地址一致。若用户开发程序的起始地址为0x0800，则可以将中断地址的高8位设置到中断偏移地址寄存器VTOR中，使中断发生时，程序跳转到新的中断入若配置VTOR=0x08，则新的中断地址，如下表中断地址(原始注：设置了该中断向量偏移寄存器后，产生中断时，程序会跳转到加了偏移的中断地址处执行。所以用户的程序需确保中断服务程序被到了预期的新地址处。1、各中断标志位12、当执行一条EA位的指令后，任何一条等待在下一周期执行的中断都将被忽略。EA再次置1后，被忽1、各中断标志位12、当执行一条EA位的指令后，任何一条等待在下一周期执行的中断都将被忽略。EA再次置1后，被忽略的中断仍会继续等待处理。2.2IP。产生，高优先级的优先处理。优先级如下：PX0PX1>CBM73xx系列最多支持6路外部中断，通过沿触发、不触发共6种方式。外部pad的电平需持续某个长度的时间，才会认为是正确的电平。所以，即使外pad平变化，也会滞后边沿情况(见图5-5)。信号过滤的时间长度由TR默认是过滤16个系统时钟。5-5 R读W写U-n电复位时的10=xbit7- =1=2=3=4=5=6=7=8=*=*=*=*=*=*=*=*——R读-n电复位时的W写1U0xbit bit6- 010触011触100触101升沿触110降沿触111上升沿和下降沿都可以触发bit bit2- 010触011触100触101升沿触110降沿触111上升沿和下降沿都可以触发电平触发的中断需要外部主动清除(将外部中断pad的输入电平置为无效电平)。若外部中pad的中断有效电平一——R读-n电复位时的W写1U0xbit bit6- 010触011触100触101升沿触110降沿触111上升沿和下降沿都可以触发bit bit2- 010触011触100触101升沿触110降沿触111上升沿和下降沿都可以触发——R读-n电复位时的W写1U0xbit bit6- 010触011触100触101升沿触110降沿触111上升沿和下降沿都可以触发bit bit2- 010触011触100触101升沿触110降沿触111上升沿和下降沿都可以触发CBM73xx系列有两种低功耗的工作模式，分别是休软件配置PCON=0x02(配置PCON须先PSEQ，具体见3.1.10小节“写PCON的保护序列寄存器”)，即进入休眠模式，进入休眠模式后，OSC48M时钟停止工作，OSC800K32.768K32.768K00001000外部中断0通过PxyIOCFG寄存器将I/O部中0PnOE选择外部中断0向为输入。(端口配置前应使能IOC块时钟，即将MDLCKCR存器的IOCEN位置1)SLPWKCR器的EDGESEL以选择外部中断0唤醒的有效沿，EDGESEL=0EDGESEL=1中断0唤醒。当外部中断0输入引脚有有效沿输入时就会

如下3个操作(不分先后)：定时自动唤醒是以OSC800KSLOWDIV<1:0>分频后的时钟为时基，每个时钟计数值加1，当计数RTC使能RTC13.0时时钟就会唤醒CPU。也就是将SWKCRCLKSEL1，选择内部低OSC800KCKDIVCR寄存SLOWDIV<1:0>

例如：若要将电容采样值的范围设0x1234~0x5678，需执行如下4个操作(不分先后)：若固件要电容采样值的范围，需执行如下个操作将前4次读到的数据拼接为216位使能特定触摸按键唤醒后，sensorADC模块会不断对设定的sensor通道进行采样，当sensorADC采样值入到预先设置的阈值范围内，就会唤醒CPU。R读W写U-n电复位时的10=xbit 0降沿唤1升沿唤bit6- 唤000=使能读 T的低8 011bit bit bit 0=MCU处于SLEEP模式时，RTC定时唤1MCU于SLEEP式时，使能RTC时唤bit R读W写U-n电复位时的10=xbit7- 唤醒3.1.10节PCON的保护序列寄存器”)，即进入OSC800K32.768K若32.768K振)继续I2CI2CSlave

CBM73xx系列内部带有ESD检测电路，当发生ESD事件时，MCU会采取特殊处理措施，增强的ESD性能。当用户编程时写入了4字节的编程秘钥，会对用户代码进行加密。加密后，对的读操作将会进行保护。程。编程可以简单地通过以下4种线完成：这使用户可使用未编程的制造电路板，而仅在产品5-6出了典型的串行编程的连接方式图5-6：典型 调户必须具有支持调试的电路，一旦使能调试功能，TX、RX引脚将只能作为调试串口，不能用作其他功能。调试户必须具有支持调试的电路，一旦使能调试功能，TX、RX引脚将只能作为调试串口，不能用作其他功能。调试电路使用这两个引脚PC图5-7：典型 调试连接方I/O1111111111111111111100000011000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000011111111111111111111111111111111111111110000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000引脚配置为GPIOGPIO功能。选择驱动电流大小。默认00=8mA。

GPIO5-1：初始化P0.0出，P1.0拉输MDLCKCR_IOCENMDLCKCR_IOCEN0x08;//使能GPIO模块时钟P00IOCFG0x00；//初始化P0.0为GPIOP10IOCFG0x00；//初始P1.0GPIOP0 P1=0x00； //初始化P1P0LDRVRL_0=0x00； //配置P0.0驱动电流P1PURSELRL_0=0x00；//配置P1.0上拉电阻P0PD= P0PU P1PD P1PU P0OD P1OD P0OE P1OE ：——R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit5- ==默=======外========LED=LED=LED=LED=LED=LED=LED=LED=LED=LED=LED=LED=LED=LED=LED=LED=LED========默===============注：这类寄存器不可以位操作。1、复位时，所有GPIO默认为输。2IO置为定1、定3的输出或输入0功能时，需要配置对应的PnOE寄PnOE(n0、1、2、3、4)寄存器是GPIO向选择寄存1、复位时，所有GPIO默认为输。2IO置为定1、定3的输出或输入0功能时，需要配置对应的PnOE寄：76543210R读W写U-n电复位时的10=xbit7- 0出模1入模：76543210R读W写U-n电复位时的10=xbit7- 0口引脚电平为低电1口引脚电平为高电内部上拉电阻还可以配置不同的上拉电阻值。由PnPURSELRH、PnPURSELRL(n0、1、2、3、4)寄存器控制。档位可以选择，默认档位是00=88K。：76543210R读W写U-n电复位时的10=xbit7- 0=内部上1能内部上：7654：3210R读W写U-n电复位时的10=xbit(2x+1)- 00=01=10=11=PnPD(n0、1、2、3、4)寄存器是GPIO下拉使能：76543210R读W写U-n电复位时的10=xbit7- 0=内部下1能内部下PnOD(n0、1、2、3、4)寄存器是GPIO输出使能：76543210R读W写U-n电复位时的10=xbit7- 0=开漏输1能开漏输配置PnLDRVRH、PnLDRVRL(n=0、1、2、3、4)寄 I/O配置为GPIO输出时，可以配置PnLDRVRH满足不同驱动能配置PnLDRVRH、PnLDRVRL(n=0、1、2、3、4)寄 008mA：7654：3210R读W写U-n电复位时的10=xbit2x+1)- 00=01=10=11=000000010000CKDIVCR器的SYSDIV<5:02，复位时间的范围是128us~262ms。WDT的时钟(MDLCKCR寄存器WDTEN位WDT数器计数使能(WDTSETR器的CNTENWDT数器就开始计数。WDTSETR器可WDT器溢出时间。器的EA1，就可以使WDT出中断WDT

配置WDT开始工作前，先对WDTCR依次5A、A5WDT。WDTSETR器的CNTDIV<2:0>位可以对WDTWDT溢出周期= ×(CNTLEN+1)××(SYSDIV+1)×WDT模块中没有中断IRQ0ER寄位置1，就可以使能WDT溢出中断。WDTSETRCNTEN位置1，WDT7-1WDT7-1：WDTCRR读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit 注：对WDTCR寄存器依次5A、A5(顺序不能变)，可以清WDT(7-2：WDTSETRR读W写U-n电复位时的10=xbit 计0=WDT计数器计bit6- 0001001201040118100161013211064111128bit3- 0000=0001=0010=0011=1100=1101=1110=1111=WDT2Tosc48M是OSC48M

×(CNTLEN+1)×1024×(SYSDIV+1)×7-3：WDTSR———————R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit 0产生看门狗溢1产生看门狗溢的程序函数中。(因程序跑飞时，CPU仍然能正常响应中断，达不到恢复程序的目的)WDTWDTINT1，就使WDT出中断，WDTSR存器的WDT计数器首次溢出时，WDT溢出中断标志位都会置1。依次写5A，A5。不能多写，也不能打乱顺序。00000000000000000000Timer0出为T0CKCR寄存器的CLKSEL位可以选择内部高OSC48M3分频或者低速时钟作为Timer0的时钟。选择低速时钟时，还可以通过MDLCKCR寄存器T0CKCRCLKDIV<2:0>位可以对选择的时Timer0有定时器和两种工作模式，通过T0CR存器的MODE式都可以实现间隔定时功间隔时T0CMP0)xTimer0钟周Timer0计数时钟周期

使能Timer0T0SR存器的INTSR位清0，清Timer0中断标志位。于(T0CMP0-1)时，产生Timer0中断。在间隔定时、方T0CR器的INTENTimer0T0CR寄存器的TEN1，使器的IOCEN位置1)T0CKCR寄存器的CLKSEL位可以选择内部高OSC48M3分频或者低速时钟作为Timer0的时钟。选择低速时钟时，还可以通过MDLCKCR寄存器T0CKCR寄存器的CLKDIV<2:0>位可以对选择的时钟T0CR存器的MODE0，将工作模式选择为定位，对于输出和输出都有效，OUTSEL位置1后

周期2×间隔2×(T0CMP0)xTimer0钟周2×(T0CMP0)xTimer0数时钟分频xTimer0计数时钟周期使能Timer0T0SR存器的INTSR位清0，清Timer0中断标志位。(T0CMP0-1)时，产生Timer0中断。在间隔定时、方T0CR器的INTENTimer0T0CR寄存器的TEN1，使 图8-1：Timer0间隔定时/输出工作时序图(T0CMP0≠间隔时T0CMP0xTimer0钟周T0CMP0xTimer0数时钟分频xTimer0数时钟周期周期=2x间隔时间2、当T0CMP0=1时，没 输出，也不产生Timer0中断8.1.3.输出的操作步通过PxyIOCFG器将I/O时器0输出的PnOE选择定时器0输出引脚方向为输出。(端IOCEN位置1)MDLCKCR器的TIMEREN1，使能T0CKCR寄存器的CLKSEL位可以选择内部高OSC48M3分频或者低速时钟作为Timer0的时钟。选择低速时钟时，还可以通过MDLCKCR寄存32KEN位选择内部低速800K或外部32.768K晶振作T0CKCR寄存器的CLKDIV<2:0>位可以对选择的时钟将T0CRMODE位置1，工作模式选择为位，对于输出和输出都有效，OUTSEL位置1后

Timer0计数时钟周期占空T0CMP1T0CMP0T0CMP00，按T0CMP0256简单地说，T0CMP0是配置输出的周期，T0CMP1配置的是输出低电平的时间，所以T0CMP1必须小于T0CMP0。(当输出反转位置1时，T0CMP1配置的是输出在模式下，可以直接修改T0CMP1寄存器来改在下个周期生效。使能Timer0T0SR寄存INTSR位清0，清Timer0中断标志位。(T0CMP0-1)时，产生Timer0中断。在间隔定时、方T0CR器的INTENTimer0图8-2：Timer0输出工作时序图(T0CMP0≠1,T0CMP1<占空比=T0CMP1：T0CMP02、模式下，改变T0CMP1寄存器后，新的占空比将在下个周期生效，当前周期的占空比还是原来的占空比Timer0：———R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit bit bit bit2- 0002001401080111610032101641101281111：————R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit bit 0Timer01Timer0出反bit 0时器模1=模bit 0Timer0止工1Timer0始工R读W写U-n电复位时的10=xbit7- 注：T0SR寄存器的WREN位是T0CMP0可写状态位，为1表示可以修改T0CMP0寄存器，为0表示不能修改T0CMP0寄存器。所以正确的修改T0CMP0寄存器如范例6-1所示：范例6-1：修改T0CMP0T0CR_TEN=while(0x00=//等待T0CMP0T0CMP0=//修改T0CMP0T0CR_TEN=R读W写U-n电复位时的10=xbit7- 寄存器改变输出的占空比——————R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit T0CMP0bit Timer0不论是在INTSR位必须在软件中。Timer0的中断使能位是T0CR寄存器的INTEN位。8位定时器Timer10000000000000000Timer1出外部计为MDLCKCR寄存器的TIMEREN1，使能T1CKCR寄存器的CLKSEL位可以选择内部高OSC48M3分频或者低速时钟作为Timer1的时钟。选择低速时钟时，还可以通过MDLCKCR寄存器T1CKCR器的CLKDIV<3:0>位可以对选择的时钟间隔时T1CMP)xTimer1钟周(T1CMP)xTimer1数时钟分频xTimer1计数时钟周期

T1CMP 使能Timer1T1SR存器的INTSR位清0，清Timer1中断标志位。Timer1只有一个中断，但是在间隔定时、输出、输出、外部计数模式下，产生Timer1中断的条Timer1值等于(T1CMP1)时，会产生Timer1等于0xFF时，会产生Timer1中断。T1CR器的INTENTimer1T1CR寄存器的TEN1，使通过PxyIOCFG寄存器将I/O配置成定时器1输出/输入功能，并且配置PnOE寄存器，将定时器1输出或输入引脚方向置为输出。(端IOC钟，即将MDLCKCR寄存器的IOCEN位置1)MDLCKCR寄存器的TIMEREN1，使能T1CKCR寄存器的CLKSEL位可以选择内部高OSC48M3分频或者低速时钟作为Timer1的时钟。选择低速时钟时，还可以通过MDLCKCR寄存32KEN位选择内部低速800K或外部32.768K晶振作T1CKCR存器的CLKDIV<3:0>位可以对选择的时钟值等于(T1CMP-1)时，输出翻转。(不使能没有输出T1CR寄存器的OUTINITV<1:0>位控制Timer1初始状态，只对输出有效，对输出无效。T1CRMODE位清0，工作模式选择为定

周期2×间隔2(T1CMPxTimer1钟周2×(T1CMPxTimer1时钟分xTimer1T1CMP 使能Timer1T1SR寄存INTSR位清0，清Timer1中断标志位。Timer1只有一个中断，但是在间隔定时、输出、输出、外部计数模式下，产生Timer1中溢出，即等于0xFF时，会产生Timer1中断。T1CR器的INTENTimer1 图9-1：Timer1间隔定时/输出工作时序图(T1CMP≠间隔时T1CMPxTimer1钟周周期=2x间隔时间2、当T1CMP=1时，没 输出，也不产生Timer1中断9.1.3.输出的操作步通过PxyIOCFG寄存器将I/O配置成定时器1输出/输入功能，并且配置PnOE寄存器，将定时器1输出或输入引脚方向置为输出。(端IOC钟，即将MDLCKCR寄存器的IOCEN位置1)MDLCKCR寄存器的TIMEREN1，使能T1CKCR寄存器的CLKSEL位可以选择内部高OSC48M3分频或者低速时钟作为Timer1的时钟。选择低速时钟时，还可以通过MDLCKCR寄存32KEN位选择内部低速800K或外部32.768K晶振作T1CKCR存器的CLKDIV<3:0>位可以对选择的时钟T1CR存器INVEN1Timer1位，只对输出都有效，OUTSEL位置1后输出波形会发生反转。(详情见图9-2)将T1CRMODE位置1，工作模式选择为

通过T1CMP配置，具体计算如下：0xFF1xTimer1钟周期0xFF1xTimer1数时xTimer1计数时钟周期占空(T1CMP(0xFF1)不能配置，T1CMP置的是低电平的时间，所T1CMP必须小于(0xFF1)，也就是不00。(当输出反转位置1时，T1CMP配置的是高电平的时间)T1CMP2、T1CMP在 使能Timer1T1SR寄存INTSR位清0，清Timer1中断标志位。Timer1只有一个中断，但是在间隔定时、输出、输出、外部计数模式下，产生Timer1中溢出，即等于0xFF时，会产生Timer1中断。T1CR器的INTENTimer1图9-2：Timer1输出工作时序图(T1CMP≠0xFF1xTimer1钟周期0xFF1)xTimer1数时钟xTimer1数时钟周期占空比=(T1CMP)：(0xFF+1)2、若需要产生可变占空比的波形，可以修改T1CMP寄存器。软件修改T1CMP寄存器后，在下个周期才会生效外部计数的操作步通过PxyIOCFG寄存器将I/O配置成定时器1输出/输入功能，并且配置PnOE寄存器，将定时器1输出或输入引脚方向置为输入。(端IOC钟，即将MDLCKCR寄存器的IOCEN位置1)MDLCKCR寄存器的TIMEREN1，使能T1CKCR寄存器的CLKDIV<3:0>位可以对外部信号的T1CRMODE位清0，工作模式选择为定在外部计数模式下，Timer1计数器在定时器1输入引脚的每个有效沿都会加1，当计数器值等于

使能Timer1T1SR寄存INTSR位清0，清Timer1中断标志位。Timer1只有一个中断，但是在间隔定时、输出、输出、外部计数模式下，产生Timer1中溢出，即等于0xFF时，会产生Timer1中断。T1CR器的INTENTimer1Timer1外 2、T1CMP在 图9-3：Timer1外部计数工作时序1T1CMP0T1CMP256MT1CMP12552、外部输入信号的周期必须大于Timer1计数时钟周期的2倍，即外部输入信号的频率必须小于Timer1计数时钟频率的3、计数器在每个输入引脚的有效沿都会加4、T1CKCR寄存器的CLKDIV<3:0Timer1：——R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit bit bit3- 计数================：—R读W写U-n电复位时的10=xbit bit bit5-4 00=保持原状态01始输出低电10始输出高电11=保持原状bit 0=Timer1中bit 0Timer11Timer1出反bit 0时器模1=模bit 0Timer1止工1Timer1始工9-3：T1CMP：Timer1R读W写U-n电复位时的10=xbit7- 注：1、在定时器模式下，T1SR寄存器的WREN位是T1CMP可写状态位，为1表示可以修改T1CMP寄存器，为0表示不能修改T1CMP寄存器。如范例7-1所示：2、在模式下，可以直接修改T1CMP寄存器T1CR_TEN=while(0x00=T1CR_TEN=while(0x00=T1CMP=T1CR_TEN=——————R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit T1CMPbit Timer1间隔定时/输出/外部计数模式下，Timer1器值等于(T1CMP1)时 INTSR位必须在软件中。Timer1的中断使能位是T1CR寄存器的INTEN位。0000000000000000000000000000出同Timer08器，Timer216为MDLCKCR寄存器的TIMEREN1，使能T2CKCR寄存器的CLKSEL位可以选择内部高OSC48M3分频或者低速时钟作为Timer2的时钟。选择低速时钟时，还可以通过MDLCKCR寄存器T2CKCR寄存器的CLKDIV<2:0>位可以对选择的时钟Timer2有定时器和两种工作模式，通过T2CR存器的MODE式都可以实现间隔定时功Timer2的间隔定时时间可以通过T2CMP0H间隔时T2CMP0H：T2CMP0L)xTimer2钟

变的，所以想要改变变的，所以想要改变(T2CMP0H：T2CMP0L)必须先把后，使能Timer2T2SR寄存INTSR位清0，清Timer2中断标志位。Timer2只有一种中断，就是当Timer2计数器值等于(T2CMP0H：T2CMP0L1)时Timer2在间隔定时、输出、输出三种模式下都可以产生Timer2中断。T2CR器的INTENTimer2T2CMP0H：T2CMP0LxTimer2器的IOCEN位置1)

Timer2的周期是通过T2CMP0H:T2CMP0L寄存器周期2×间隔=2×(T2CMP0H：T2CMP0L)xMDLCKCR寄存器的TIMEREN1，使能T2CKCR寄存器的CLKSEL位可以选择内部高OSC48M3分频或者低速时钟作为Timer2的时钟。选择低速时钟时，还可以通过MDLCKCR寄存器T2CKCR寄存器的CLKDIV<2:0>位可以对选择的时钟位，对于输出和输出都有效，OUTSEL位置1后T2CRMODE0，工作模式选择为定

=2×(T2CMP0H：T2CMP0L)x的，所以想要改变(T2CMP0H：T2CMP0L)必须先把T2CRTEN位，等待T2SR寄存器的WREN位置1后，再修改(T2CMP0H：T2CMP0L)。使能Timer2T2SR寄存INTSR位清0，清Timer2中断标志位。Timer2只有一种中断，就是当Timer2计数器值等于(T2CMP0H：T2CMP0L1)时Timer2在间隔定时、输出、输出三种模式下都可以产生Timer2中断。T2CR器的INTENTimer2器的IOCEN位置1)T2CKCR寄存器的CLKSEL位可以选择内部高OSC48M3分频或者低速时钟作为Timer2的时钟。选择低速时钟时，还可以通过MDLCKCR寄存器T2CKCR寄存器的CLKDIV<2:0>位可以对选择的时钟位，对于输出和输出都有效，OUTSEL位置1后将T2CRMODE位置1，工作模式选择为

T2CMP0H：T2CMP0L)xTimer2钟期xTimer2晶占空(T2CMP1H：T2CMP1L)：(T2CMP0H：T2CMP0L)当(T2CMP0HT2CMP0L)=0(T2CMP0HT2CMP0L65536的，所以想要改变(T2CMP0H：T2CMP0L)必须先把T2CR器的TENT2SRWREN位置1后，再修改(T2CMP0H：T2CMP0L)。在模式下，可以直接修改(T2CMP1H：T2CMP1L)的，所以想要改变(T2CMP0H：T2CMP0L)必须先把T2CR器的TENT2SRWREN位置1后，再修改(T2CMP0H：T2CMP0L)。INTSR位0Timer2断标等于(T2CMP0H：T2CMP0L1)时，会产Timer2中断。在间隔定时、输出、输出三种模式下都可以产生Timer2中断。T2CR寄存器的INTEN位是Timer2Timer2———R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit bit bit bit2- 计0002001401080111610032101641101281111————R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit bit 0Timer21Timer2出反bit 0时器模1=模bit 0Timer2止工1Timer2始工R读-n电复位时的W写1U0xbit7- 注：T2CMP0HT2CMP0L160。：R读W写U-n电复位时的10=xbit7- 注：1、T2CMP0HT2CMP0L160。2、T2SR寄存器的WRENT2CMP0HT2CMP0L可写状态位，为1表示可以修改T2CMP0H和T2CMP0L寄存器，为0表T2CMP0HT2CMP0L寄存器。所以正确的修改T2CMP08-1所示：范例8-1：修改T2CMP0H、T2CMP0LT2CR_TEN=0x00;while(0x00=T2SR_WREN){;}T2CMP0L=0x60；T2CMP0H=T2CR_TEN=

bit7- T2CMP0H、T2CMP0L决定输出的周期，T2CMP1H、T2CMP1L决定输出的占空比，在Timer2工作期间，可以修改T2CMP1H、T2CMP1L寄存器改变输出的占空比。注：1、T2CMP1HT2CMP1L16位的比较寄存器12、需要注意的是必须先修改T2CMP1L、在修改T2CMP1H：R读W写U-n电复位时的10=xbit7- T2CMP0H、T2CMP0L决定输出的周期，T2CMP1H、T2CMP1L决定输出的占空比，在Timer2工作期间，可以修改T2CMP1H、T2CMP1L寄存器改变输出的占空比。注：1、T2CMP1HT2CMP1L16位的比较寄存器12、写T2CMP1H和T2CMP1L在硬件上做了保护，必须写T2CMP1H后配置才会有效，如果只写T2CMP1L，配置不会生效，占空比不变，所以推荐的方法是同时写T2CMP1H、T2CMP1L，而且必须先修改T2CMP1L、在修改T2CMP1H。如范例8-2所范例8-1：修改T2CMP0H、T2CMP0LT2CMP1L=0x40；T2CMP2H=——————R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit T0CMP0bit Timer2不论是在定时器模式还是模式下，当Timer2计数INTSR位必须在软件中。Timer2的中断使能位是T2CR寄存器的INTEN位。0000000000000000000000000000000016位捕捉功能寄存器(T3CMP0HT3CMP0L出外部计为MDLCKCR寄存器的TIMEREN1，使能T3CKCR寄存器的CLKSEL位可以选择内部高OSC48M3分频或者低速时钟作为Timer3的时钟。选择低速时钟时，还可以通过MDLCKCR寄存器T3CKCR寄存器的CLKDIV<2:0>位可以对选择的时钟T3CKCR器的EDGESEL<1:000，即置T3CMP0寄存器组作为比较寄存器，T3CMP1寄存器组Timer3的间隔定时时间可以通过(T3CMP0H间隔时T3CMP0H：T3CMP0L)xTimer3钟

(T3CMP0H：T3CMP0LTimer3T3CRMODE000T3SR使能Timer3先将T3SR存器INT0SR、INT1SR位清0，清Timer3中断标志位。Timer3有两个中断，Timer3中断0、Timer3中断1，Timer3中断1只有在单脉冲输出、外部电平宽度测量模式下才可以产生，Timer30所有模式下都可以产生。具体请看11.3小节“Timer3中断”。T3CR寄存器的INT0EN、INT1ENTimer3中断使能位，T3SRINT0SR、INT1SR位是Timer3中T3CMP0H：T3CMP0LxTimer3通过PxyIOCFG寄存器将I/O配置成定时器3输出/输入0PnOE3输出0方向置为输出。(端口配置前应使IOC模块时钟，即将MDLCKCR寄存器的IOCEN位置1)MDLCKCR寄存器的TIMEREN1，使能T3CKCR寄存器的CLKSEL位可以选择内部高OSC48M3分频或者低速时钟作为Timer3的时钟。选择低速时钟时，还可以通过MDLCKCR寄存32KEN位选择内部低速800K或外部32.768K晶振作

计数器与T3CMP0T3CMP1寄存器组匹配输出翻转置T3CMP0寄存器组作为比较寄存器，T3CMP1寄存器组Timer3的周期是通过T3CMP0H:T3CMP0L寄存器周期2×间隔=2×(T2CMP0H：T2CMP0L)xT3CKCR寄存器的CLKDIV<2:0>位可以对选择的时钟T3CKCR器的EDGESEL<1:000，即初始状态，只对输出、单脉冲输出有效，对

=2×(T2CMP0H：T2CMP0L)x(T3CMP0H：T3CMP0LTimer3T3CRMODE000，T3SR使能Timer3先将T3SR存器INT0SR、INT1SR位清0，清Timer3中断标志位。Timer3有两个中断，Timer3中断0、Timer3中断1，Timer3中断1只有在单脉冲输出、外部电平宽度测量模式下才可以产生，Timer30所有模式下都可以产生。具体请看11.3小节“Timer3中断”。使能位，T3SRINT0SR、INT1SRTimer3中T3CR存MODE<2:0>位=110择图11-1：Timer3间隔定时/输出工作时序间隔时T3CMP0)xTimer3钟周周期=2x间隔时间2、当T3CMP0=1时，没 输出，也不产生Timer3中断011.1.3.输出的操作步通过PxyIOCFG寄存器将I/O配置成定时器3输出/输入0PnOE3输出0方向置为输出。(端口配置前应使IOC模块时钟，即将MDLCKCR寄存器的IOCEN位置1)MDLCKCR寄存器的TIMEREN1，使能T3CKCR寄存器的CLKSEL位可以选择内部高OSC48M3分频或者低速时钟作为Timer3的时钟。选择低速时钟时，还可以通过MDLCKCR寄存32KEN位选择内部低速800K或外部32.768K晶振作T3CKCR寄存器的CLKDIV<2:0>位可以对选择的时钟T3CKCR寄存器的EDGESEL<1:0>位00，输

T3CMP0、T3CMP1寄存器组的模式选择：下：周期=(T3CMP0H：T3CMP0L)xTimer3

度测量模式下才可以产生，Timer3中断0在所有模式下都可以产生。具体请11.3Timer3期时钟分xTimer3时钟周晶T3CMP1H：T3CMP1L)：(T3CMP0H：T3CMP0L)当(T3CMP0HT3CMP0L)=0时，(T3CMP0HT3CMP0L65536简单地说，(T3CMP0H：T3CMP0L)是配置输注：(T3CMP0H：T3CMP0L)Timer3T3CR存器MODE000T3SR存在模式下，可以直接修改(T3CMP1H：T3CMP1L)寄存器来改变的占空比，修注：(T3CMP0H：T3CMP0L)Timer3T3CR存器MODE000T3SR存INT0SRINT1SR0Timer3断标志位Timer3，Timer30、Timer31，Timer3中断1单脉使能位，T3SRINT0SR、INT1SRTimer3中T3CR存MODE<2:0>位=110图11-2：Timer3输出工作时序图当计数器值等于N，Timer3输出翻转；T3CMP0)xTimer3数时钟分频xTimer3数时钟周期占空比=T3CMP1：T3CMP0外部计数的操作步通过PxyIOCFG寄存器将I/O配置成定时器3输出/输入0PnOE3输出0方向置为输入。(端口配置前应使IOC模块时钟，即将MDLCKCR寄存器的IOCEN位置1)MDLCKCR寄存器的TIMEREN1，使能T3CKCR寄存器的CLKDIV<2:01XX，计数置T3CMP0寄存器组作为比较寄存器，T3CMP1寄存器组

注：(T3CMP0H：T3CMP0L)Timer3T3CR存器MODE000T3SR存在外部计数模式下，Timer3计数器在定时器30有效沿都会加1，当计数器值等于注：(T3CMP0H：T3CMP0L)Timer3T3CR存器MODE000T3SR存使能Timer3先将T3SR器的INT0SR、INT1SR位清0，清Timer3中断标志位。Timer3有两个中断，Timer3中断0、Timer3中断1，Timer3中断1只有在单脉冲输出、外部电平宽度测量模式下才可以产生，Timer30所有模式下都可以产生。具体请看11.3小节“Timer3中断”。使能位，T3SRINT0SR、INT1SR位是Timer3中选择Timer3的工作模式，配置完成后，Timer3即开始 图11-3：Timer3外部计数工作时序1T3CMP00T3CMP065536MT3CMP01655352、计数时钟为输入引 0的有效沿，只有当输入引脚脉冲宽度大于两个时钟宽度才认为是一个有效边沿，以消除干扰3、计数器在每个输入引脚的有效沿都会加4、T3CKCR寄存器的EDGESEL为通过PxyIOCFG寄存器将I/O配置成定时器3输出/输入0PnOE3输出0方向置为输出。(端口配置前应使IOC模块时钟，即将MDLCKCR寄存器的IOCEN位置1)MDLCKCR寄存器的TIMEREN1，使能T3CKCR寄存器的CLKSEL位可以选择内部高OSC48M3分频或者低速时钟作为Timer3的时钟。选择低速时钟时，还可以通过MDLCKCR寄存32KEN位选择内部低速800K或外部32.768K晶振作T3CKCR寄存器的CLKDIV<2:0>位可以对选择的时钟T3CKCR寄存器的EDGESEL<1:0>位00，输初始状态，只对输出、单脉冲输出有效，对

T3CR存器的CMP0M、CMP1M同时0，配置单脉冲宽T3CMP0H：T3CMP0LT3CMP1LxTimer3钟周=(T3CMP0H：T3CMP0L-当(T3CMP0HT3CMP0L)=0时，按(T3CMP0HT3CMP0L)=65536其中(T3CMP1HT3CMP1L)必须小于(T3CMP0H(T3CMP0H：T3CMP0LTimer3T3CRMODE000T3SRINT1SR位清0，清Timer3中断标志位。Timer3有两个中断，Timer3中断0、Timer3中断1，Timer3中断1只有在单脉冲输出、外部电平宽度测量模式下才可以产生，Timer30下都可以产生。具体请看11.3小节“Timer3中断”。使能位，T3SRINT0SR、INT1SRTimer3中T3CR寄存器的MODE<2:0>位=010T3OCR器的SPO位为1，即启动一次单脉启动后应查询T3SR寄存器的INT0SR位是否图11-4：Timer3软件写SPO为1；软件处理并清除中断INT1SR；软件处理并清除中断INT0SR；注：写一次SPO为1，只能启动1个脉冲输出。想发送多个脉冲必须重复写SPO产生中断，同时计数器的值捕捉到捕捉寄存器(T3CMP0、T3CMP1两组寄存器)中；在中断中捕捉寄存器的值，连续两次中断值的差值可以得出电平宽度。使用一组捕获寄存器测量一个输入电平的宽度的操作步骤为捕获寄存器，测量定时器3输入0的电平宽度。通过PxyIOCFG寄存器将I/O配置成定时器3输出/输入0PnOE3输出0方向置为输入。(端口配置前应使IOC模块时钟，即将MDLCKCR寄存器的IOCEN位置1)MDLCKCR寄存器的TIMEREN1，使能T3CKCR寄存器的CLKSEL位可以选择内部高OSC48M3分频或者低速时钟作为Timer3的时钟。选择低速时钟时，还可以通过MDLCKCR寄存器T3CKCR寄存器的CLKDIV<2:0>位可以对选择的时钟

T3CKCR存器EDGESEL<1:011，选T3CKCR寄存器的CLKEN位置1，使能Timer3置T3CMP0寄存器组作为比较寄存器，T3CMP1寄存器组使能Timer3先将T3SR器的INT0SR、INT1SR位清0，清Timer3中断标志位。Timer3有两个中断，Timer3中断0、Timer3中断1，Timer3中断1只有在单脉冲输出、外部电平宽度测量模式下才可以产生，Timer30下都可以产生。具体请看11.3小节“Timer3中断”。使能位，T3SRINT0SR、INT1SRTimer3中配置T3CR寄存器的MODE<2:0>位=010，选配置双边沿为有效沿，如果使能了Timer3断1，在Timer30引脚外部信号的上升沿、下降沿都会产生Timer3中断1，连续3次中断就可以得出一个低电平宽度时Timer3使用一组捕获寄存器测量一个输入电平的宽度工作时序如图11-5所示。图11-5：Timer3时产生Timer31(即T3SR寄存器的INT1SR1)；溢出，计算脉冲宽度时，应加上0xFFFF)；注：1、输入引脚的有效沿必须设置为双边沿，这样检测到上升沿、下降沿都会产生Timer3中断1，并锁存计数器的值。3使用两组捕获寄存器测量两个输入电平的宽度的操作步骤T3CMP1L为捕获寄存器，测量定时器3输入0的配置Timer3捕获寄存器测量两个输入电平的通过PxyIOCFG寄存器将I/O配置成定时器3输出/输入0PnOE3输出或输入0引脚方向置为输入。I/O配置成31功能，此时定时3IOCEN位置1)MDLCKCR寄存器的TIMEREN1，使能T3CKCR寄存器的CLKSEL位可以选择内部高OSC48M3分频或者低速时钟作为Timer3的时钟。选择低速时钟时，还可以通过MDLCKCR寄存器T3CKCR寄存器的CLKDIV<2:0>位可以对选择的时钟T3CKCREDGESEL<1:011，选

T3CRCMP0M、CMP1M都1，配置T3CMP0、T3CMP1寄存器组都作为捕获寄存器。存器组捕获时刻为在输入引脚1有效沿进行捕获。使能Timer3先将T3SR器的INT0SR、INT1SR位清0，清Timer3中断标志位。Timer3有两个中断，Timer3中断0、Timer3中断1，Timer3中断1只有在单脉冲输出、外部电平宽度测量模式下才可以产生，Timer30所有模式下都可以产生。具体请看11.3小节“Timer3中断”。T3CR寄存器的INT0EN、INT1ENTimer3中断使能位，T3SRINT0SR、INT1SR位是Timer3中配置T3CR寄存器的MODE<2:0>位=010，选配置双边沿为有效沿，如果使能了Timer3中断0、中断1Timer30脚外部信号的上升沿、下降沿产Timer303得出一个低Timer3使用两组捕获寄存器测量两个输入电平的宽度工作时序如图11-6所示。图11-6：Timer3时产生Timer31(即T3SR寄存器的INT1SR1)；时产生Timer30(即T3SR寄存器的INT0SR1)；注 1、输入引脚的有效沿必须设置为双边沿，这样检测到上升沿、下降沿都会产生中断并锁存计数器的值2、若输入引脚是周期稳定的信号，可以根据相 次中断所捕获到的数据，得到输入引脚的信号的周期/频率3此模式下，使用的是T3CMP0H：T3CMP0L、配置Timer3寄存器测量一个输入电平的通过PxyIOCFG寄存器将I/O配置成定时器3输出/输入0PnOE3输出0方向置为输入。(端口配置前应使IOC模块时钟，即将MDLCKCR寄存器的IOCEN位置1)MDLCKCR寄存器的TIMEREN1，使能T3CKCR寄存器的CLKSEL位可以选择内部高OSC48M3分频或者低速时钟作为Timer3的时钟。选择低速时钟时，还可以通过MDLCKCR寄存32KEN位选择内部低速800K或外部32.768K晶振作T3CKCR寄存器的CLKDIV<2:0>位可以对选择的时钟T3CRCMP0M、CMP1M1，配置T3CMP0、T3CMP1寄存器组都作为捕获寄存器。

存器组捕获时刻为在输入引脚0使能Timer3先将T3SR存器INT0SR、INT1SR位清0，清Timer3中断标志位。Timer3有两个中断，Timer3中断0、Timer3中断1，Timer3中断1只有在单脉冲输出、外部电平宽度测量模式下才可以产生，Timer30所有模式下都可以产生。具体请看11.3小节“Timer3中断”。T3CR寄存器的INT0EN、INT1ENTimer3中断使能位，T3SRINT0SR、INT1SR位是Timer3中配置T3CR寄存器的MODE<2:0>位=010，选如果使能了 中断 0、中断 的Timer30T3CMP0H、T3CMP0L3作时序如图11-7所示。图11-7：Timer3寄存器INT1SR的0T3SR存器INT0SR注：1、输入引脚的有效沿可以设置为上升沿/下降沿，这样有效沿的反沿就是下降沿/上升沿。在有效沿会产生Timer3中断1，并锁存计数器的值到T3CMP1H:T3CMP1L寄存器；在反沿产生Timer3中断0，并锁存计数器的值到T3CMP0H:T3CMP0L寄存2、若输入引脚是周期稳定的信号，可以根据相 次中断所捕获到的数据，得到输入引脚的信号的周期/频率3Timer3R读W写U-n电复位时的10=xbit bit bit 0=Timer3中断1中bit 0=Timer3中断0中bit 寄存bit2- 模010=自由运行模式(计数器溢出011—R读W写U-n电复位时的10=xbit bit bit5- 输入引00=设01升10降11边bit bit2- 计00020014010801116bit7- bit bit 0续脉冲输出模1脉冲输出模bit3-2 00=保持原状态01始输出低电10始输出高电11=保持原状bit bit bit7- 注：T3CMP0HT3CMP0L160(T3CMP0)。：R读W写U-n电复位时的10=xbit7- 注：1、T3CMP0HT3CMP0L160(T3CMP0)；2、在比较模式下 的是比较值，由软件写入。且在定时器工作期间，不能修改该寄存器的值3、在捕获模式下 的是捕获值，由硬件写入4、T3SR寄存器的WRENT3CMP0HT3CMP0L可写状态位，为1表示可以修改T3CMP0H和T3CMP0L寄存器，为0表T3CMP0HT3CMP0L寄存器。所以正确的修改T3CMP08-1所示。范例9-1：修改T3CMP0H、T3CMP0LT3CR_MODE=0x00;while(0x00=T3SR_WREN){;}T3CMP0L=0x60；T3CMP0H=T3CR_MODE=

bit7- T3CMP0H、T3CMP0L决定输出的周期，T3CMP1H、T3CMP1L决定输出的占空比，在Timer3工作期间，可以修改T3CMP1H、T3CMP1L寄存器改变输出的占空比。注：T3CMP1HT3CMP1L组成16位的比较寄存器1(T3CMP1：R读W写U-n电复位时的10=xbit7-T3CMP0H、T3CMP0L决定输出的周期，T3CMP1H、T3CMP1L决定输作期间，可以修改T3CMP1H、T3CMP1L寄存器改变输出的占空比注：1、T3CMP1H和T3CMP1L组成16位的比较寄存器1(T3CMP1)；3、在捕获模式下 的是捕获值，由硬件写入————R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit 1=Timer3停止工作，可写T3CMP0，关闭Timer3后，应等待WREN为1后，再写T3CMP0bit2 T3OV：Timer3计数器溢出状态位bit bit Timer3Timer3个中断，Timer30Timer31，产生Timer3中断有以下几种种方式：间隔定时/输出/输出/外部计数模式下，当Timer3等于(T3CMP0H：T3CMP0L-1)时，产生Timer3中断0；单脉冲输出模式下，当Timer3计数器值等于(T3CMP0H：T3CMP0L1Timer30，时，产生Timer3中断1。Timer3中断1。具体请查看相应模式的介绍。

只要有Timer3生，不论是否使能Timer3中INT0SR、INT1SR位必须在软件中。Timer3的中断使能位是T3CR寄存器的INT0EN、INT1EN位。模块0000000000000000000000000000000016位(8

图12-1：1输出的工作原(CLKDIV+注：1、初始输出低电平：低电平宽度=(1LRH:1LRL+1)× ×Tosc48M×(SYSDIV+(CLKDIV+高电平宽度=(1HRH:1HRL+1)× ×Tosc48M×(SYSDIV+(CLKDIV+2、初始输出高电平：高电平宽度=(1LRH:1LRL+1)× ×Tosc48M×(SYSDIV+低电平宽度= 1HRL+1)×2(CLKDIV+1)×Tosc48M×(SYSDIV+的操作步骤通过PxyIOCFG寄存器将I/O配置成1输出功能PnOE寄存器，选择1输出引脚方向为输出。(端口配置前应使能IOC模块时钟，即将MDLCKCR寄存器的IOCEN位置1)将MDLCKCR寄存器的EN位置1，使能模块配置1CR寄存器的OUTINIT位，选择输出初始配置1CR寄存器的CLKDIV<2:0>位，选择计数时器，调整1输出的占空比。当初始输出低电平时，1LRH：1LRL配置的是输出低电平的时间，1HRH：1HRL配置的是输当初始输出高电平时，1LRH：1LRL配置的是输出高电平的时间，1HRH：1HRL配置的是输将1CR寄存器的1EN位置1，1开始工作产生信号输出。寄存器的定义———R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit 0=bit 0始输出低电1始输出高电bit bit2- 000200140108011161003210164110128111256R读W写U-n电复位时的10=xbit7- R读W写U-n电复位时的10=xbit7- R读W写U-n电复位时的10=xbit7- R读W写U-n电复位时的10=xbit7- ——R读W写U-n电复位时的10=xbit7- bit 0=bit 0始输出低电1始输出高电bit3- ================R读-n电复位时的W写1U0=x=未bit7-R读-n电复位时的W写1U0=x=未bit7-0000