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文档简介

BaTiO3铁电薄膜导电行为以及电荷输运性质OutlineOutline实验背景BTO的特性BTO的载流子输运机制BTO中的掺杂和缺陷实验目的对BTO的导电行为和电荷输运机制作出合理解释实现绝缘性-半导体性-金属性的可控实验方法样品制备方法样品检测方法实验背景1.BaTiO3(BTO)的特性

3.BTO中的掺杂和缺陷BTO中的掺杂：在A位(如La3+取代Ba2+)或B位(如Nb5+取代Ti4+)的高价态阳离子掺杂。掺杂存在临界掺杂浓度。BTO中的缺陷：a.氧空位，形成n型半导体；b.Ba或Ti空位，形成p型半导体。实验目的通过对外延BTO薄膜的导电行为和电荷输运机制的研究，揭示和发现一些新的物理现象和机制，并对它们作出较为合理的解答，实现BTO导电性能从绝缘体-半导体-金属性的可调。实验方法双击添加标题文字样品的制备样品的结构检测23样品的电电学输运性质测量11.利用MOCVD方法生长的镧掺杂BTO薄膜和铌掺杂BTO薄膜。与块体类似，他们存在临界掺杂浓度。直流电阻率和seebeck系数的温度特性。2.采用脉冲激光沉积法（PLD）制备不同掺杂浓度的BTO薄膜。没有出现掺杂离子的临界掺杂浓度。对氧分压的高敏感性以及对制备环境的高真空要求。激光能量密度的影响。样品的结构检测可采用原子力显微镜（AFM）、高分辨投射电镜(HRTEM)、反射式高能电子衍射（RHEED）、X射线小角衍射等来研究样品的结晶性、结晶学取向、表面形貌等结构性质。可采用卢瑟福背散射来测量样品中各元素的含量。VanderPauw四点法VanderPauw四点法对样品的要求a)Thecontactsareatthecircumferenceofthesample.

b)Thecontactsaresufficientlysmall.c)Thesampleishomogeneousinthickness.d)Thesurfaceofthesampleissinglyconnected,i.e.,thesampledoesnothaveisolatedholes.通过Hall效应算出其中以此可求出这样我们就可以得到多数载流子

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