微电子器件与IC设计基础-第2版,刘刚,陈涛,课后答案1

课后习题答案为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学中又是用什么方法来描述的？解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率和波矢建立联系的，即上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率和波矢。1.2量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？解：波函数是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用表示粒子的德布洛意波的振幅，以表示波的强度，那么，t时刻在r附近的小体积元中检测到粒子的概率正比于。1.3试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。解：如图1.3所示，从能带的观点来看，半导体和绝缘体都存在着禁带，绝缘体因其禁带宽度较大(6~7eV)，室温下本征激发的载流子近乎为零，所以绝缘体室温下不能导电。半导体禁带宽度较小，只有1~2eV，室温下已经有一定数量的电子从价带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力。1.4为什么说本征载流子浓度与温度有关？解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，。对于某一确定的半导体材料，其本征载流子浓度为式中，NC，NV以及Eg都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。1.5什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？解：当半导体中掺入施主杂质后，在其导带底的下方，距离导带底很近的范围内可以引入局域化的量子态能级。该能级位于禁带中，称之为施主杂质能级。同理，当半导体中掺入受主杂质后，在其价带顶的上方，距离价带顶很近的范围内也可引入局域化的受主杂质能级。施主能级距离导带底很近，施主杂质电离后，施主能级上的电子跃迁进入导带，其结果向导带提供传导电流的准自由电子；而受主能级距离价带顶很近，受主杂质电离后，价带顶的电子跃迁进入受主能级，其结果向价带提供传导电流的空穴。1.6试比较N型半导体与P型半导体的异同。解：对同种材料制作的不同型号的半导体来说，具有以下相同点：二者都具有相同的晶格结构，相同的本征载流子浓度，都对温度很敏感。不同点是，N型半导体所掺杂质是施主杂质，主要是靠电子导电，电子是多数载流子，空穴是少数载流子：而P型半导体所掺杂质是受主杂质，主要靠空穴导电，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。1.7从能带的角度说明杂质电离的过程。解：杂质能级距离主能带很近，其电离能一般都远小于禁带宽度。因此，杂质能级与主能带之间的电子跃迁也比较容易完成。以施主杂质为例，施主能级上的电子就是被该施主原子束缚着的电子。它在室温下吸收晶格振动的能量或光子的能量（只要其能量高于杂质的电离能）后，就可以挣脱施主原子核对它的束缚，跃迁进入导带成为准自由电子。这一过程称之为杂质电离。电离以后的杂质带有正电荷，电离以前的杂质是电中性的。1.8什么是迁移率？什么是扩散系数？二者有何关系？解：迁移率是描述载流子在电场作用下输运能力的一个物理量；扩散系数是描述载流子在其浓度梯度作用下输运能力的物理量。二者可以通过以下爱因斯坦关系建立联系：1.9说明载流子的两种输运机制，并比较它们的异同。解：载流子的输运机制可分为扩散运动和漂移运动两种。扩散运动是在半导体中存在载流子的浓度梯度时，高浓度一边的载流子将会向低浓度一边输运。这种运动称为载流子的扩散运动。扩散运动的强弱与浓度梯度的大小成正比，即与载流子的分布梯度有关。漂移运动是半导体中的载流子在电场力作用下的定向运动。其强弱只与电场的大小成正比，与载流子的分布没有关系。1.10什么是费米能级？什么是准费米能级？二者有何差别？解：在热平衡条件下，半导体中能量为E的能级被电子占据的几率f(E)服从费米-狄拉克分布式中的EF就是费米能级。它是一个描述半导体电子系统中电子填充能带水平的标志性参数，也称为热平衡系统的化学势。准费米能级是半导体系统在非平衡条件下（如关照或有电注入下），有非平衡载流子存在时，为了描述导带电子在导带各能级上的分布以及价带空穴在价带各个能级上的分布而引入的一个参考量。其大小也反映了电子和空穴填充能带的水平。值得注意的是，一个能带内消除非平衡的影响仅仅需要，而少子寿命约为。所以，在非平衡载流子存在的绝大部分时间内主能带的电子都处于平衡分布。1.11什么是扩散长度？扩散长度与非平衡少数载流子寿命有何关系？解：扩散长度是描述载流子浓度随着扩散深度增加而衰减的特征长度。扩散长度与非平衡少数载流子寿命的关系如下：1.12简述半导体材料的导电机理。解：半导体的导电机理与金属是不同的。金属中只有一种载流子（电子）参与导电，而半导体中同时有两种载流子（电子和空穴）参与导电。本征半导体中导电的载流子是由于本征激发而产生的电子和空穴。它们是同时出现的，且，两种载流子对电流的贡献相同。但是，在杂质半导体中往往有，或者，存在着多数载流子和少数载流子。所以，多数载流子对电流的贡献占据主要地位，而少数载流子对电流的贡献却可以忽略不计。习题11.1计算速度为的自由电子的德布洛意波长。解：1.2如果在单晶硅中分别掺入的磷和的硼，试计算300K时，电子占据杂质能级的概率。根据计算结果检验常温下杂质几乎完全电离的假设是否正确。解：查表可知，磷作为硅晶体中的施主杂质，其电离能为,硼作为硅晶体中的受主杂质，其电离能为。于是有能级为ED的量子态被被电子占据的几率为上述结果说明，施主能级上的电子几乎全部电离。能级为EA的量子态被空穴占据的几率为上述计算结果说明受主能级上的空穴几乎全部被电离。1.3硅中的施主杂质浓度最高为多少时材料是非简并的。解：若假设非简并的条件为, 那么，非简并时导带电子浓度为非简并时，最高施主杂质浓度为1.4某单晶硅样品中每立方厘米掺有个硼原子，试计算时该样品的准自由电子浓度、空穴浓度以及费米能级。如果掺入的是磷原子它们又是多少？解：硼原子掺入硅晶体中可以引入受主杂质，材料是P型半导体：该样品的空穴是多子，其浓度为电子是少子，其浓度为费米能级为即费米能级在本征费米能级的下方0.299eV处。1.5某硅单晶样品中掺有的硼、的磷和镓，试分析该材料是N型半导体还是P型半导体？准自由电子和空穴浓度各为多少？解：由硼、磷、镓掺入硅中分别成为受主、施主和受主，它们在硅晶体中引入的杂质浓度依次为、、由于，即受主原子总数大于施主原子总数，所以该材料是P型半导体。此时，硅材料中空穴浓度为准自由电子浓度为1.6有两块单晶硅样品，它们分别掺有的硼和磷，试计算300K时这两块样品的电阻率，并说明为什么N型硅的导电性比同等掺杂的P型硅好。解：查P.22图1.4.2可得空穴迁移率，电子迁移率于是，掺硼的单晶硅电阻率为掺磷的单晶硅电阻率为因为电子的迁移率大于空穴的迁移率，所以在其它条件不变的情况下，N型硅的导电性较P型硅的导电性高。1.7实验测出某均匀掺杂N型硅的电阻率为，试估算施主杂质浓度。解：本查P.301附录A可得，再查P.22图1.4.2可得电子的迁移率为。则施主杂质的浓度为1.8假设有一块掺有施主杂质的硅样品，其截面积为，长度为。如果在样品两端加上5V电压，通过样品的电流有多大？电子电流与空穴电流的比值是多少？解：掺有施主杂质浓度的硅样品，其电子浓度为，再查P.22可得电子的迁移率，于是，该材料的电导率为在该样品两端加上5V电压后的电场强度为于是，电子电流密度为如果在样品两端加上5V电压，通过样品的电流为平衡空穴浓度为再查P.22图1.4.2可得空穴迁移率为，于是电子电流与空穴电流的比值为1.9有一块掺杂浓度为的N型硅样品，如果在的范围内，空穴浓度从线性降低到，求空穴的扩散电流密度。解：查P.22图1.4.2可得当时，，所以1.10光照射在一块掺杂浓度为的N型硅样品上，假设光照引起的载流子产生率为，求少数载流子浓度和电阻率，并画出光照前后的能带图。已知，，，。解：，少数载流子浓度为电导率为电阻率为1.11写出下列状态下连续性方程的简化形式：（1）无浓度梯度、无外加电场、有光照、稳态；（2）无外加电场、无光照等外因引起载流子的产生，稳态。解：以P型半导体为例，电子为少数载流子，完整的连续性方程为无浓度梯度、无外加电场、有光照、稳态情况下上式可以简化为因为无浓度梯度，所以含有浓度梯度的项均等于零，即因为无外加电场，所以，含有电场的项也为零，即又因为有光照，所以产生率G不等于零；因为讨论的是稳态情况，所以，载流子浓度不随时间变化同理，无外加电场、无光照等外因引起载流子的产生，稳态情况下连续性方程可以简化为对于空穴来说，根据空穴的连续性方程，作相应的简化，同样可以得到（1）和（2）。\

附录资料：不需要的可以自行删除电脑故障检测卡代码表

1、特殊代码"00"和"ff"及其它起始码有三种情况出现：

①已由一系列其它代码之后再出现："00"或"ff"，则主板ok。

②如果将cmos中设置无错误，则不严重的故障不会影响bios自检的继续，而最终出现"00"或"ff"。

③一开机就出现"00"或"ff"或其它起始代码并且不变化则为主板没有运行起来。

2、本表是按代码值从小到大排序，卡中出码顺序不定。

3、未定义的代码表中未列出。

4、对于不同bios（常用ami、award、phoenix）用同一代码代表的意义不同，因此应弄清您所检测的电脑是属于哪一种类型的bios，您可查阅您的电脑使用手册，或从主板上的bios芯片上直接查看，也可以在启动屏幕时直接看到。

5、有少数主板的pci槽只有一部分代码出现，但isa槽有完整自检代码输出。且目前已发现有极个别原装机主板的isa槽无代码输出，而pci槽则有完整代码输出，故建议您在查看代码不成功时，将本双槽卡换到另一种插槽试一下。另外，同一块主板的不同pci槽，有的槽有完整代码送出，如dell810主板只有靠近cpu的一个pci槽有完整代码显示，一直变化到"00"或"ff"，而其它pci槽走到"38"后则不继续变化。

6、复位信号所需时间isa与pci不一定同步，故有可能isa开始出代码，但pci的复位灯还不熄，故pci代码停要起始代码上。

代码对照表

00.已显示系统的配置；即将控制INI19引导装入。

01处理器测试1，处理器状态核实,如果测试失败，循环是无限的。处理器寄存器的测试即将开始，不可屏蔽中断即将停用。CPU寄存器测试正在进行或者失败。

02确定诊断的类型（正常或者制造）。如果键盘缓冲器含有数据就会失效。停用不可屏蔽中断；通过延迟开始。CMOS写入／读出正在进行或者失灵。

03清除8042键盘控制器，发出TESTKBRD命令（AAH）通电延迟已完成。ROMBIOS检查部件正在进行或失灵。

04使8042键盘控制器复位，核实TESTKBRD。键盘控制器软复位／通电测试。可编程间隔计时器的测试正在进行或失灵。

05如果不断重复制造测试1至5，可获得8042控制状态。已确定软复位／通电；即将启动ROM。DMA初如准备正在进行或者失灵。

06使电路片作初始准备，停用视频、奇偶性、DMA电路片，以及清除DMA电路片，所有页面寄存器和CMOS停机字节。已启动ROM计算ROMBIOS检查总和，以及检查键盘缓冲器是否清除。DMA初始页面寄存器读／写测试正在进行或失灵。

07处理器测试2，核实CPU寄存器的工作。ROMBIOS检查总和正常，键盘缓冲器已清除，向键盘发出BAT（基本保证测试）命令。.

08使CMOS计时器作初始准备，正常的更新计时器的循环。已向键盘发出BAT命令，即将写入BAT命令。RAM更新检验正在进行或失灵。

09EPROM检查总和且必须等于零才通过。核实键盘的基本保证测试，接着核实键盘命令字节。第一个64KRAM测试正在进行。

0A使视频接口作初始准备。发出键盘命令字节代码，即将写入命令字节数据。第一个64KRAM芯片或数据线失灵，移位。

0B测试8254通道0。写入键盘控制器命令字节，即将发出引脚23和24的封锁／解锁命令。第一个64KRAM奇／偶逻辑失灵。

0C测试8254通道1。键盘控制器引脚23、24已封锁／解锁；已发出NOP命令。第一个64KRAN的地址线故障。

0D1、检查CPU速度是否与系统时钟相匹配。2、检查控制芯片已编程值是否符合初设置。3、视频通道测试，如果失败，则鸣喇叭。已处理NOP命令；接着测试CMOS停开寄存器。第一个64KRAM的奇偶性失灵

0E测试CMOS停机字节。CMOS停开寄存器读／写测试；将计算CMOS检查总和。初始化输入／输出端口地址。

0F测试扩展的CMOS。已计算CMOS检查总和写入诊断字节；CMOS开始初始准备。.

10测试DMA通道0。CMOS已作初始准备，CMOS状态寄存器即将为日期和时间作初始准备。第一个64KRAM第0位故障。

11测试DMA通道1。CMOS状态寄存器已作初始准备，即将停用DMA和中断控制器。第一个64DKRAM第1位故障。

12测试DMA页面寄存器。停用DMA控制器1以及中断控制器1和2；即将视频显示器并使端口B作初始准备。第一个64DKRAM第2位故障。

13测试8741键盘控制器接口。视频显示器已停用，端口B已作初始准备；即将开始电路片初始化／存储器自动检测。第一个64DKRAM第3位故障。

14测试存储器更新触发电路。电路片初始化／存储器处自动检测结束；8254计时器测试即将开始。第一个64DKRAM第4位故障。

15测试开头64K的系统存储器。第2通道计时器测试了一半；8254第2通道计时器即将完成测试。第一个64DKRAM第5位故障。

16建立8259所用的中断矢量表。第2通道计时器测试结束；8254第1通道计时器即将完成测试。第一个64DKRAM第6位故障。

17调准视频输入／输出工作，若装有视频BIOS则启用。第1通道计时器测试结束；8254第0通道计时器即将完成测试。第一个64DKRAM第7位故障。

18测试视频存储器，如果安装选用的视频BIOS通过，由可绕过。第0通道计时器测试结束；即将开始更新存储器。第一个64DKRAM第8位故障。

19测试第1通道的中断控制器（8259）屏蔽位。已开始更新存储器，接着将完成存储器的更新。第一个64DKRAM第9位故障。

1A测试第2通道的中断控制器（8259）屏蔽位。正在触发存储器更新线路，即将检查15微秒通／断时间。第一个64DKRAM第10位故障。

1B测试CMOS电池电平。完成存储器更新时间30微秒测试；即将开始基本的64K存储器测试。第一个64DKRAM第11位故障。

1C测试CMOS检查总和。.第一个64DKRAM第12位故障。

1D调定CMOS配置。.第一个64DKRAM第13位故障。

1E测定系统存储器的大小，并且把它和CMOS值比较。.第一个64DKRAM第14位故障。

1F测试64K存储器至最高640K。.第一个64DKRAM第15位故障。

20测量固定的8259中断位。开始基本的64K存储器测试；即将测试地址线。从属DMA寄存器测试正在进行或失灵。

21维持不可屏蔽中断（NMI）位（奇偶性或输入／输出通道的检查）。通过地址线测试；即将触发奇偶性。主DMA寄存器测试正在进行或失灵。

22测试8259的中断功能。结束触发奇偶性；将开始串行数据读／写测试。主中断屏蔽寄存器测试正在进行或失灵。

23测试保护方式8086虚拟方式和8086页面方式。基本的64K串行数据读／写测试正常；即将开始中断矢量初始化之前的任何调节。从属中断屏蔽存器测试正在进行或失灵。

24测定1MB以上的扩展存储器。矢量初始化之前的任何调节完成，即将开始中断矢量的初始准备。设置ES段地址寄存器注册表到内存高端。

25测试除头一个64K之后的所有存储器。完成中断矢量初始准备；将为旋转式断续开始读出8042的输入／输出端口。装入中断矢量正在进行或失灵。

26测试保护方式的例外情况。读出8042的输入／输出端口；即将为旋转式断续开始使全局数据作初始准备。开启A20地址线；使之参入寻址。

27确定超高速缓冲存储器的控制或屏蔽RAM。全1数据初始准备结束；接着将进行中断矢量之后的任何初始准备。键盘控制器测试正在进行或失灵。

28确定超高速缓冲存储器的控制或者特别的8042键盘控制器。完成中断矢量之后的初始准备；即将调定单色方式。CMOS电源故障／检查总和计算正在进行。

29.已调定单色方式，即将调定彩色方式。CMOS配置有效性的检查正在进行。

2A使键盘控制器作初始准备。已调定彩色方式，即将进行ROM测试前的触发奇偶性。置空64K基本内存。

2B使磁碟驱动器和控制器作初始准备。触发奇偶性结束；即将控制任选的视频ROM检查前所需的任何调节。屏幕存储器测试正在进行或失灵。

2C检查串行端口，并使之作初始准备。完成视频ROM控制之前的处理；即将查看任选的视频ROM并加以控制。屏幕初始准备正在进行或失灵。

2D检测并行端口，并使之作初始准备。已完成任选的视频ROM控制，即将进行视频ROM回复控制之后任何其他处理的控制。屏幕回扫测试正在进行或失灵。

2E使硬磁盘驱动器和控制器作初始准备。从视频ROM控制之后的处理复原；如果没有发现EGA／VGA就要进行显示器存储器读／写测试。检测视频ROM正在进行。

2F检测数学协处理器，并使之作初始准备。没发现EGA／VGA；即将开始显示器存储器读／写测试。.

30建立基本内存和扩展内存。通过显示器存储器读／写测试；即将进行扫描检查。认为屏幕是可以工作的。

31检测从C800：0至EFFF：0的选用ROM，并使之作初始准备。显示器存储器读／写测试或扫描检查失败，即将进行另一种显示器存储器读／写测试。单色监视器是可以工作的。

32对主板上COM／LTP／FDD／声音设备等I／O芯片编程使之适合设置值。通过另一种显示器存储器读／写测试；却将进行另一种显示器扫描检查。彩色监视器（40列）是可以工作的。

33.视频显示器检查结束；将开始利用调节开关和实际插卡检验显示器的关型。彩色监视器（80列）是可以工作的。

34.已检验显示器适配器；接着将调定显示方式。计时器滴答声中断测试正在进行或失灵。35.完成调定显示方式；即将检查BIOSROM的数据区。停机测试正在进行或失灵。

36.已检查BIOSROM数据区；即将调定通电信息的游标。门电路中A－20失灵。

37.识别通电信息的游标调定已完成；即将显示通电信息。保护方式中的意外中断。

38.完成显示通电信息；即将读出新的游标位置。RAM测试正在进行或者地址故障＞FFFFH。

39.已读出保存游标位置，即将显示引用信息串。.

3A.引用信息串显示结束；即将显示发现信息。间隔计时器通道2测试或失灵。

3B用OPTI电路片（只是486）使辅助超高速缓冲存储器作初始准备。已显示发现＜ESC＞信息；虚拟方式，存储器测试即将开始。按日计算的日历时钟测试正在进行或失灵。

3C建立允许进入CMOS设置的标志。.串行端口测试正在进行或失灵。

3D初始化键盘／PS2鼠标／PNP设备及总内存节点。.并行端口测试正在进行或失灵。

3E尝试打开L2高速缓存。.数学协处理器测试正在进行或失灵。

40.已开始准备虚拟方式的测试；即将从视频存储器来检验。调整CPU速度，使之与外围时钟精确匹配。

41中断已打开，将初始化数据以便于0：0检测内存变换（中断控制器或内存不良）从视频存储器检验之后复原；即将准备描述符表。系统插件板选择失灵。

42显示窗口进入SETUP。描述符表已准备好；即将进行虚拟方式作存储器测试。扩展CMOSRAM故障。

43若是即插即用BIOS，则串口、并口初始化。进入虚拟方式；即将为诊断方式实现中断。.44.已实现中断（如已接通诊断开关；即将使数据作初始准备以检查存储器在0：0返转。）BIOS中断进行初始化。

45初始化数学协处理器。数据已作初始准备；即将检查存储器在0：0返转以及找出系统存储器的规模。.

46.测试存储器已返回；存储器大小计算完毕，即将写入页面来测试存储器。检查只读存储器ROM版本。

47.即将在扩展的存储器试写页面；即将基本640K存储器写入页面。

48.已将基本存储器写入页面；即将确定1MB以上的存储器。视频检查，CMOS重新配置。

49.找出1BM以下的存储器并检验；即将确定1MB以上的存储器。.

4A.找出1MB以上的存储器并检验；即将检查BIOSROM数据区。进行视频的初始化。

4B.BIOSROM数据区的检验结束，即将检查＜ESC＞和为软复位清除1MB以上的存储器。.4C.清除1MB以上的存储器(软复位)即将清除1MB以上的存储器.屏蔽视频BIOSROM。.4D。已清除1MB以上的存储器（软复位）；将保存存储器的大小。.

4E若检测到有错误；在显示器上显示错误信息，并等待客户按＜F1＞键继续。开始存储器的测试：（无软复位）；即将显示第一个64K存储器的测试。显示版权信息。

4F读写软、硬盘数据，进行DOS引导。开始显示存储器的大小，正在测试存储器将使之更新；将进行串行和随机的存储器测试。.

50将当前BIOS监时区内的CMOS值存到CMOS中。完成1MB以下的存储器测试；即将高速存储器的大小以便再定位和掩蔽。将CPU类型和速度送到屏幕。

51.测试1MB以上的存储器。.

52所有ISA只读存储器ROM进行初始化，最终给PCI分配IRQ号等初始化工作。已完成1MB以上的存储器测试；即将准备回到实址方式。进入键盘检测。

53如果不是即插即用BIOS，则初始化串口、并口和设置时种值。保存CPU寄存器和存储器的大小，将进入实址方式。.

54.成功地开启实址方式；即将复原准备停机时保存的寄存器。扫描“打击键”

55.寄存器已复原，将停用门电路A－20的地址线。.

56.成功地停用A－20的地址线；即将检查BIOSROM数据区。键盘测试结束。

57.BIOSROM数据区检查了一半；继续进行。.

58.BIOSROM的数据区检查结束；将清除发现＜ESC＞信息。非设置中断测试。

59.已清除＜ESC＞信息；信息已显示；即将开始DMA和中断控制器的测试。.

5A..显示按“F2”键进行设置。

5B..测试基本内存地址。

5C..测试640K基本内存。

60设置硬盘引导扇区病毒保护功能。通过DMA页面寄存器的测试；即将检验视频存储器。测试扩展内存。

61显示系统配置表。视频存储器检验结束；即将进行DMA＃1基本寄存器的测试。.

62开始用中断19H进行系统引导。通过DMA＃1基本寄存器的测试；即将进行DMA＃2寄存器的测试。测试扩展内存地址线。

63.通过DMA＃2基本寄存器的测试；即将检查BIOSROM数据区。.

64.BIOSROM数据区检查了一半，继续进行。.

65.BIOSROM数据区检查结束；将把DMA装置1和2编程。.

66.DMA装置1和2编程结束；即将使用59号中断控制器作初始准备。Cache注册表进行优化配置。

67.8259初始准备已结束；即将开始键盘测试。.

68..使外部Cache和CPU内部Cache都工作。

6A..测试并显示外部Cache值。

6C..显示被屏蔽内容。

6E..显示附属配置信息。

70..检测到的错误代码送到屏幕显示。

72..检测配置有否错误。

74..测试实时时钟。

76..扫查键盘错误。

7A..锁键盘。

7C..设置硬件中断矢量。

7E..测试有否安装数学处理器。

80.键盘测试开始，正在清除和检查有没有键卡住，即将使键盘复原。关闭可编程输入／输出设备。

81.找出键盘复原的错误卡住的键；即将发出键盘控制端口的测试命令。.

82.键盘控制器接口测试结束，即将写入命令字节和使循环缓冲器作初始准备。检测和安装固定RS232接口（串口）。

83.已写入命令字节，已完成全局数据的初始准备；即将检查有没有键锁住。.

84.已检查有没有锁住的键，即将检查存储器是否与CMOS失配。检测和安装固定并行口。85.已检查存储器的大小；即将显示软错误和口令或旁通安排。.

86.已检查口令；即将进行旁通安排前的编程。重新打开可编程I／O设备和检测固定I／O是否有冲突。

87.完成安排前的编程；将进行CMOS安排的编程。.

88.从CMOS安排程序复原清除屏幕；即将进行后面的编程。初始化BIOS数据区。

89.完成安排后的编程；即将显示通电屏幕信息。.

8A.显示头一个屏幕信息。进行扩展BIOS数据区初始化。

8B.显示了信息：即将屏蔽主要和视频BIOS。.

8C.成功地屏蔽主要和视频BIOS，将开始CMOS后的安排任选项的编程。进行软驱控制器初始化。

8D.已经安排任选项编程，接着检查滑了鼠和进行初始准备。.

8E.检测了滑鼠以及完成初始准备；即将把硬、软磁盘复位。.

8F.软磁盘已检查，该磁碟将作初始准备，随后配备软磁碟。.

90.软磁碟配置结束；将测试硬磁碟的存在。硬盘控制器进行初始化。

91.硬磁碟存在测试结束；随后配置硬磁碟。局部总线硬盘控制器初始化。

92.硬磁碟配置完成；即将检查BIOSROM的数据区。跳转到用户路径2。

93.BIOSROM的数据区已检查一半；继续进行。.

94.BIOSROM的数据区检查完毕，即调定基本和扩展存储器的大小。关闭A－20地址线。95.因应滑鼠和硬磁碟47型支持而调节好存储器的大小；即将检验显示存储器。.

96.检验显示存储器后复原；即将进行C800：0任选ROM控制之前的初始准备。“ES段”注册表清除。

97.C800：0任选ROM控制之前的任何初始准备结束，接着进行任选ROM的检查及控制。.98.任选ROM的控制完成；即将进行任选RO