标准解读

《GB/T 41744-2022 铜铟镓硒薄膜太阳能电池用基板玻璃》是一项国家标准，主要针对用于铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池制造过程中的基板玻璃材料进行了详细规定。该标准旨在通过设定一系列技术要求来保证基板玻璃的质量与性能，从而提升最终产品的效率和可靠性。

首先，文件明确了适用范围，指出其适用于作为CIGS薄膜太阳能电池组件中使用的透明导电氧化物涂层载体的平板玻璃。接着，在术语定义部分对涉及到的专业词汇给出了明确解释，确保了行业内对于相关概念理解的一致性。

在技术要求章节里，标准具体规定了基板玻璃应满足的物理化学性质指标，包括但不限于尺寸偏差、外观质量、热膨胀系数、透光率以及耐候性等关键参数。此外，还特别强调了产品需具备良好的机械强度及抗热震能力，以适应后续加工工艺及实际应用环境下的需求。

检验规则方面，《GB/T 41744-2022》提出了详细的抽样方法和试验项目列表，涵盖从原材料进厂到成品出厂整个生产流程的质量控制要点。同时，也指出了不合格品处理方式及重新提交检验的具体条件。

最后，在标志、包装、运输和贮存等方面，标准亦做了相应指导，要求生产企业必须按照规定正确标识产品信息，并采取适当措施防止运输过程中可能发生的损坏，确保货物安全抵达目的地并保持良好状态直至使用前。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2022-10-12 颁布
  • 2023-05-01 实施
©正版授权
GB/T 41744-2022铜铟镓硒薄膜太阳能电池用基板玻璃_第1页
GB/T 41744-2022铜铟镓硒薄膜太阳能电池用基板玻璃_第2页
GB/T 41744-2022铜铟镓硒薄膜太阳能电池用基板玻璃_第3页
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文档简介

ICS8104030

CCSQ.34.

中华人民共和国国家标准

GB/T41744—2022

铜铟镓硒薄膜太阳能电池用基板玻璃

Substrateglassforcopperindiumgalliumselenidethinfilmsolarcell

2022-10-12发布2023-05-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T41744—2022

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中国建筑材料联合会提出

。

本文件由全国工业玻璃和特种玻璃标准化技术委员会归口

(SAC/TC447)。

本文件起草单位中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司安徽华光光电材料科技集团有限公

:、

司中国国检测试控股集团股份有限公司中国建材国际工程集团有限公司玻璃新材料创新中心安

、、、(

徽有限公司蚌埠市产品质量监督检验研究院中国建材检验认证集团北京检测技术服务有限公司

)、、。

本文件主要起草人彭寿陶立纲张冲孙娜丽刘晓红官敏夏志强段美江钱学君李娜曹欣

:、、、、、、、、、、、

刘尧龙谢浏莎王勇吕思稳刘国璋崔介东成惠峰胡匡艺周建王晟刘欣

、、、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T41744—2022

铜铟镓硒薄膜太阳能电池用基板玻璃

1范围

本文件规定了铜铟镓硒薄膜太阳能电池用基板玻璃的要求试验方法检验规则标志包装运输

、、、、、

和贮存

。

本文件适用于浮法工艺生产的铜铟镓硒薄膜太阳能电池用基板玻璃

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

建筑玻璃可见光透射比太阳光直接透射比太阳能总透射比紫外线透射比及有

GB/T2680、、、

关窗玻璃参数的测定

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样计划

GB/T2828.11:(AQL)

数值修约规则与极限数值的表示和判定

GB/T8170

平板玻璃

GB11614

平板玻璃术语

GB/T15764

玻璃平均线热膨胀系数的测定

GB/T16920

固体绝缘材料介电和电阻特性第部分电阻特性方法体积电阻和体

GB/T31838.22:(DC)

积电阻率

平板显示器基板玻璃术语

GB/T32639

电子玻璃退火点和应变点的测试方法

SJ/T11039

电子玻璃高频介质损耗和介电常数的测试方法

SJ/T11043

3术语和定义

和界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T15764GB/T32639。

31

.

铜铟镓硒薄膜太阳能电池copperindiumgalliumselenidethinfilmsolarcell

由铜铟镓预制后再经硒化制备的四元半导体化合物薄膜作为发电基本单元经过封装而成的太阳

、、

能电池

。

32

.

下垂度差saggingdifference

浮法玻璃锡面下垂度与空气面下垂度之差

。

注下垂度是将基板玻

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