标准解读

《YB 1602-1983 硅单晶》是一项关于硅单晶的技术标准，由中国冶金工业部于1983年发布。该标准主要规定了用于半导体器件制造的硅单晶的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存等内容。

根据该标准，硅单晶按电阻率分为N型（磷掺杂）和P型（硼掺杂），并依据其应用目的被细分为不同的等级。对于每种类型的硅单晶材料，都详细指定了允许的最大杂质浓度限值，包括但不限于铁、铜、金等金属元素以及其他非金属杂质如碳、氧等。这些限制确保了最终产品能够满足特定电子元件对纯净度的需求。

此外，《YB 1602-1983 硅单晶》还定义了一系列物理性能指标，比如晶体直径范围、长度规格、表面质量要求等，并且提供了相应的测试方法来验证是否符合这些规定。例如，通过化学分析或光谱技术测定特定杂质的存在与否及其含量；利用X射线衍射仪检查晶体结构完整性；采用光学显微镜观察样品表面缺陷情况等。

最后，在质量控制方面，本标准明确了抽样方案及不合格品处理流程，同时对合格产品的标识方式、外包装形式乃至储存条件也给出了指导性意见。这有助于保证从生产到交付过程中产品质量的一致性和可追溯性。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 1983-08-18 颁布
  • 1984-10-01 实施
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文档简介

YB中华人民共和国治金工业部部标准YB1602-83硅单晶1983-08-18发布1984-10-01实施中华人民共和国治金工业部批准

中华人民共和国治金工业部部标准YB1602-83单本标准适用于真拉（CZ）法和区熔（FZ）法制备的硅单品键。主要供制造半导体分立元件、集成电路、电力半导体元件、探测器件和硅外延片衬底等用，技术要求1.1术语1.1.1电阻率值系指产品端面上测得的值。1.1.2电阻率中心值(p.)系指产品端面电阻率范围的中心值.例如产品电阻率范围为40～800.m>其中心值为602·cm.1.1.3电阻率偏差系指产品横截面上电阻率围绕中心伯的最大偏差.1.2直拉（CZ）法硅单品技术参数应符合表！的规定直拉法硅单品技术参数电阻率偷差，瑞面电租率电阻率巾心值（P:）电不大于不大子晶向直径·偏美元直径编差·cm怀小手1范围不大于范围不大于于池围不大子Sb<111>0.005<0.<0.01<100>25<ulr>0.01<p.<0.10.1<0:<5145~50土2.575~80±2.515-80+2.5<100<1110.001<p。<0.1<10021110.10.51100+2.5±2.5175~80+90±2.520<0。<50±2.575~80士25T00注：Q电阻率>100·m的产品器调试寿命值，电阻率<100·m的产品，如用户有要求并在订货合同中连明，可提供参考值。Q表中字母A、B分别表示A级和B级（下同)1.3区熔（FZ）法硅单晶技术参数应符合表2和表3的规定.中华

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