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端子压着处电压降主要影响因素本文以实验、结论方式验证分析了端子压着处电压降的主要影响因素，期望后续有高手进行理论验证。品管部模拟项目压着端子后测量数据压降是否合格结论1、模拟芯线断/线径0.50.50.50.750.750.751.01.01.0合格断1根铜丝影响压降值﹢0.2~0.5mv，非电压降超标主要原因断铜丝数111111111标准压降3mv3mv3mv5mv5mv5mv8mv8mv8mv实际压降0.81.310.71.31.11.51.31.72、模拟压着松紧/线径0.50.50.50.750.750.751.01.01.0合格压着高度超过标准高度对电压降影响≈0.5mv，属于正常波动范围，非电压降超标主要原因松（压着高度）1.51.521.511.431.431.421.771.771.78标准高度±0.05mm1.41.41.41.351.351.351.681.681.68标准压降3mv3mv3mv5mv5mv5mv8mv8mv8mv实际压降0.71.20.91.211.11.40.81.2紧（压着高度）1.331.331.321.271.281.281.751.741.75标准高度±0.05mm1.41.41.41.351.351.351.681.681.68标准压降3mv3mv3mv5mv5mv5mv8mv8mv8mv实际压降0.50.50.30.10.30.30.710.63、模拟氧化0.50.50.50.750.750.751.01.01.0超标端子表面氧化膜达到发灰颜色程度影响压降﹢10mv，氧化膜达到黑色程度影响压降﹢20mv，影响程度最高氧化时间（天）202060202060202060氧化程度（颜色）灰灰黑灰灰黑灰灰黑标准压降3mv3mv3mv5mv5mv5mv8mv8mv8mv实际压降7.210.718.211.413.717.91213.224.7刮亮端子头后压降5.33.58.54.75.63.13.45.74.5刮亮压着处后压降1.20.82.71.22.70.80.30.62.1数据分析1、端子氧化对电压降影响机理端子氧化产生氧化膜，发生膜层电阻，膜层电阻高于端子材质电阻，造成电压降升高，氧化层过厚使测量端子压着处电压降超标。2、膜层电阻产生湿度和杂质生产过程中手接触端子，手汗使端子加速氧化空气湿度/水加速端子氧化氧化膜层与其他污染物构成的膜层电阻温度用车过程中由于发热使导电体接触表面强烈氧化，产生电阻比导电体本身大得多的氧化层，使接触电阻大大增加，致使接触处发热剧增，形成恶性循环，使导电体接触处松动、变形、甚至产出熔材质端

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