电力电子应用技术第二讲半导体基础课件

电力电子应用技术第2讲半导体基础内容大纲半导体材料半导体基础知识PN结3什么是半导体材料？

半导体材料半导体材料是指室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料；靠电子和空穴两种载流子实现导电；室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大；若掺入活性杂质或用光、射线辐照，可使其电阻率有几个数量级的变化。

半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。

5深灰色、带蓝色调硅的特性总体特性名称,符号,序号硅、Si、14系列类金属族,周期,元素分区14族(IVA),3,p密度、硬度2330kg/m3、6.5颜色和外表地壳含量25.7%6原子属性原子量28.0855原子量单位价电子排布[氖]3s23p2电子在每能级的排布2，8，4氧化价（氧化物）4（两性的）晶体结构钻石结构物理属性物质状态固态熔点1687K（1414°C）沸点3173K（2900°C）摩尔体积12.06×10-6m3/mol7

发现

1787年，拉瓦锡首次发现硅存在于岩石中。1800’戴维误认为是化合物。1811年，盖-吕萨克和Thénard可能制备了不纯的无定形硅。1823年，硅首次作为一种元素被贝采利乌斯发现，一年后提炼出纯的无定形硅，随后又对单质硅提纯。名称由来

英文silicon，来自拉丁文的silicis，意思为燧石(火石)。在中国大陆，该元素原称为矽（xī）

，1953年2月重新命名为硅。在台湾，原称为硅，后改称矽。在香港，两用法皆有，但矽较通用。9用途可用于制作半导体器件和集成電路。还可以合金的形式使用(如硅铁合金)，用于汽车和机械配件。也与陶瓷材料一起用于金属陶瓷中。还可用于制造玻璃、混凝土、砖、耐火材料、硅氧烷、硅烷。价格

Regulargradesilicon(99%)costsabout$0.50/g.Silicon99.9%purecostsabout$50/lb;hyperpuresiliconmaycostasmuchas$100/oz.10灰白色锗的特性总体特性名称,符号,序号锗、Ge、32系列类金属族,周期,元素分区14族(IVA),4,p密度、硬度5323kg/m3、6颜色和外表地壳含量6×10-4%11原子属性原子量72.64原子量单位原子半径（计算值）125（125）pm价电子排布[氩]3d104s24p2电子在每能级的排布2，8，18，4氧化价（氧化物）4（两性的）晶体结构面心立方晶格物理属性物质状态固态熔点1211.4K（938°C）沸点3093K（2820°C）摩尔体积13.63×10-6m3/mol13UsesandCosts

Themostuseofgermaniumisasasemiconductor,whenitisdopedwitharsenic,gallium,orotherelements.Usesasanalloyingagent,asaphosphorinfluorescentlamps(荧光灯启辉器）,andasacatalyst.Germaniumandoxidedusedininfraredspectroscopesopticalequipment,usefulasacomponentofwide-anglecameralensesandmicroscopeobjectives.Thefieldoforgano-germaniumchemistryisbecomingincreasinglyimportant.Thecostofgermaniumisabout$3/g.14对人体的影响

锗对人体的影响主要是可以消除疲劳；防止了贫血；帮助新陈代谢等等。在日本，在珠宝首饰行业被当作健康用具内装在项链，手链里贩卖，价格不菲15Galliumarsenide

一般系统名称砷化镓Galliumarsenide分子式GaAs摩尔质量144.645g/mol外观灰色立方晶体CAS编号[1303-00-0]SMILESGa#As物理特性密度和相5.3176g/cm³,固态水中的溶解度<0.1g/100ml(20°C)溶点1238°C(1511K)砷化镓的特性17SiC

碳化硅性质化学式SiC摩尔质量40.097gmol-1外观墨绿色无味粉末密度3.22g/cm3，熔点2730°C18SiC

发现碳化硅（SiC）为硅与碳键结的陶瓷状化合物，罕见矿物，莫桑石。1893年，爱德华‧古德里希‧艾其逊制出，并发展了生产碳化硅的艾其逊电弧炉。性质纯碳化硅为无色，工业生产之棕至黑色系由于含铁之不纯物。晶体上彩虹般的光泽则是因为其表面产生之二氧化硅保护层所致。碳化硅70余种结晶型态。最常见α-碳化硅、β-碳化硅。碳化硅适合轴承或高温炉。在任何已能达到的压力下，它都不会熔化。由于高热导性、高崩溃电场强度及高最大电流密度，在半导体高功率元件上，不少人试着取代硅。19SiC

制造

天然含量少，主要为人造。将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600°C至2500°C高温加热用途半导体、避雷针、高温设备、紫外光侦检器、结构材料、天体探测、碟刹、离合器、柴油微粒滤清器、陶瓷薄膜、裁切工具、加热元件、核燃料、珠宝、钢、护具、触媒担体等领域。半导体材料半导体基础知识载流子：能够运载电流的电子和空穴价电子：现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。GeSi原子核电子高能级低能级围绕原子核旋转的电子能量不能任意取值，只能取特定的离散值(离散轨道)，这种现象称为电子能量的量子化。电子优先抢占低能级能带满带：各个能级都被电子填满的能带禁带：两个能带之间的区域——其宽度直接决定导电性能带的分类空带：所有能级都没有电子填充的能带价带：由最外层价电子能级分裂后形成的能带

未被电子占满的价带称为导带禁带的宽度称为带隙半导体基础知识本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。自由电子空穴+4+4+4+4束缚电子在绝对0度和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。随着温度的升高，价电子的能量越来越高，越来越多的价电子就可以摆脱共价键的束缚，成为可以导电的载流子－本征激发。本征半导体中电子和空穴的浓度哪个更高？半导体基础知识本征半导体的导电机理+4+4+4+4空穴的存在将吸引临近的价电子来填补，这个过程称为复合价电子的移动也可以理解为空穴反方向在迁移空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此空穴也可以认为是载流子空穴和电子数目相等、移动方向相反

半导体的导电机理与金属导体导电机理有本质上的区别：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电；而半导体中则是本征激发下的自由电子和复合运动形成的空穴两种载流子同时参与导电。两种载流子电量相等、符号相反，即自由电子载流子和空穴载流子的运动方向相反。＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4

自由电子载流子运动可以形容为没有座位人的移动；空穴载流子运动则可形容为有座位的人依次向前挪动座位的运动。半导体内部的这两种运动总是共存的，且在一定温度下达到动态平衡。半导体的导电机理半导体基础知识电子半导体基础知识掺杂半导体：掺入特定杂质单方面增加导电电子或空穴浓度N型半导体：在本征半导体中掺入五价原子，在构成共价键结构时将产生一个自由电子+P(磷)SiSiSiSiSiSiP这种以自由电子导电作为主要导电方式的半导体称为电子型半导体或N（Negative）型半导体。N型半导体的多数载流子是电子。半导体基础知识P型半导体在本征半导体中掺入三价原子，在构成共价键结构时将产生一个空穴B(硼)+空穴SiSiSiSiSiSiB这种以空穴导电作为主要导电方式的半导体称为空穴型半导体或P（Positive）型半导体。多数载流子为空穴。半导体基础知识掺杂半导体：

一般情况下，杂质半导体中的多数载流子的数量可达到少数载流子数量的1010倍或更多，因此，杂质半导体比本征半导体的导电能力可增强几十万倍。

在室温情况下，本征硅中的磷杂质等于10-6数量级时，电子载流子的数目将增加几十万倍。半导体基础知识为什么要对半导体采用掺杂工艺？掺杂半导体的载流子浓度主要取决于掺杂类型和比例，与本征激发载流子相比，受温度的影响相对小得多，因此工作温度范围宽、性能稳定。随着温度的升高，半导体材料的本征激发越来越强，本征激发载流子的浓度也越来越高。当本征激发载流子浓度与掺杂载流子浓度达到可比拟的程度时，会出现什么现象？ －－半导体材料和器件将失效

－－温度是影响电力电子器件性能的一个十分重要的环境因素PN掺杂材料空穴和电子浓度多数载流子类型3价元素5价元素空穴浓度高电子浓度高空穴电子P型和N型半导体的对比半导体基础知识课堂讨论空穴到底是什么？掺杂半导体中，电子空穴还是成对产生的吗？N型半导体中的自由电子多于空穴，P型半导体中的空穴多于自由电子，是否N型半导体带负电，P型半导体带正电？P、N型半导体中是否存在“净”电荷或是静电场？PN结PN结是半导体的基础。在同一片半导体基片上，分别制造P型和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。PN结不能通过将P型半导体和N型半导体压在一起而形成。一般通过异型掺杂局部改变材料导电类型的方法，或通过晶体的外延生长新生一层导电类型相反的材料层的方法形成PN结。PN结的主要特点：单向导电性。正偏置电阻极低，负偏置电阻极高。PN结PN结的形成：1、P型和N型半导体相邻；2、由于两者空穴和电子浓度的差别，电子和空穴在交界处产生扩散运动；3、扩散到对方的载流子由于浓度较低，称为少数载流子；PN结4、P型区由于空穴的扩散，留下带负电的原子，而N型区由于电子的扩散，留下带正电的原子；5、由于带电的原子被束缚在晶格结构中无法移动，因此在交界面附近将形成一个空间电荷区，由于该空间电荷区的载流子已扩散殆尽，因此又称为载流子的耗尽区；6、空间电荷区中存在的带电原子将在空间电荷区中建立内部电场；7、内部电场的建立和加强，使得漂移的影响越来越大，并将阻碍电子和空穴扩散运动的发展；8、最终，内部电场必将与扩散运动平衡，形成稳定的PN结。硅PN结的接触电势差约为0.7V；PN结PN结正偏置正偏置→外电场削弱内电场→耗尽区电荷减少→耗尽区（空间电荷区）变窄P区空穴在外电场的驱动下不断穿越耗尽区进入N区，而N区电子也在外电场的驱动下不断穿越耗尽区进入P区，从而形成电流。PN结为什么不会像零偏压那样形成逐步扩大的内电场阻碍电流的形成？扩散与漂移效果的平衡，一方面将是耗尽区保持稳定，另一方面也将使少数载流子的浓度随距PN边界的距离增大而下降。PN结PN结正向偏置PN结在正向偏置的时候，外部电场将消弱内部电场的影响。P区的空穴和N区的电子在外部电场的作用下，分别进入（注入）N区和P区，形成电流。由于参与导电的分别是进入P区的电子和进入N区的空穴，因此PN在正向偏置下的导电是“少子”导电。与此同时，P区的空穴和N区的电子在耗尽区电场的吸引下也向PN结处漂移。它们与从对面流过的“少子”复合。少子在外部电场的激励下不断穿越PN结进入“对方领地”，之后与多数载流子复合，从而形成源源不断的电流。正向偏置电压影响外电场增强会引起更多的少子注入。由于内部电场被外部电场更多地削弱，漂移作用被大大抑制。在两种相反作用的影响下，正向电流显著增加。PN结内电场被被加强，耗尽区变宽，多子的扩散受抑制。在增强内部电场的作用下，少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。PN结反偏置4.PN结的单向导电性PN结反向偏置时的情况PN结PN结正向偏置与反向偏置的比较偏置电压正向