标准解读
《GB/T 8756-2018 锗晶体缺陷图谱》是一项国家标准,旨在为锗单晶材料中常见的各种缺陷提供标准化的识别方法。该标准适用于锗单晶生产过程中的质量控制以及科学研究领域对锗晶体缺陷的研究。
在内容上,《GB/T 8756-2018 锗晶体缺陷图谱》详细列出了锗晶体中可能出现的不同类型缺陷,并通过图形和文字描述了这些缺陷的特点。它不仅涵盖了点缺陷、线缺陷(如位错)、面缺陷等基本分类下的具体实例,还特别强调了如何利用光学显微镜、电子背散射衍射技术(EBSD)等手段来观察与分析这些缺陷。
此外,该标准还介绍了几种重要的表征技术及其应用范围,比如X射线衍射(XRD)用于测定晶体结构参数;扫描电子显微镜(SEM)结合能谱仪(EDS)可以实现对微观形貌及成分分布的精确测量等。通过上述方法,能够有效地区分不同类型或级别的缺陷,从而指导后续处理工艺的选择与优化。
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....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2018-12-28 颁布
- 2019-07-01 实施
文档简介
ICS29045
H80.
中华人民共和国国家标准
GB/T8756—2018
代替
GB/T8756—1988
锗晶体缺陷图谱
Collectionofmetallographsondefectsofgermaniumcrystal
2018-12-28发布2019-07-01实施
国家市场监督管理总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T8756—2018
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准代替锗晶体缺陷图谱本标准与相比主要技术变
GB/T8756—1988《》。GB/T8756—1988,
化如下
:
删除了原标准缺陷图谱张分别为图图图图图图图图图图
———34,1、2、3、4、6、8、9、15、16、20、
图图图图图图图图图图图图图图
21、23、24、28、29、30、32、33、78、87、88、90、91、95、
图图图图图图图图图图见年版的第
96、102、106、113、114、115、116、124、125、132(19881
章第章第章
、2、3);
增加了术语和定义见第章
———(3);
增加了图谱张分别为图图图图图图图图图图图图
———44,1、2、3、4、6、8、9、13、14、15、16、22、
图图图图图图图图图图图图图图
23、24、29、30、31、33、34、80、89、90、92、93、96、97、
图图图图图图图图图图图图
98、99、105、106、116、117、118、119、120、128、129、130、
图图图图图图见第章
131、132、133、135、141、142(4);
完善了各类缺陷的特征及产生原因见第章
———(4);
增加了资料性附录晶体缺陷消除方法给出了部分晶体缺陷的消除方法见附录
———A“”,(A);
删除了原标准中的附录透射电子显微镜技术补充件见年版的附录
———“B(TEM)()”(1988B)。
本标准由中国有色金属工业协会提出
。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口
(SAC/TC243)。
本标准起草单位云南临沧鑫圆锗业股份有限公司有研光电新材料有限责任公司云南中科鑫圆
:、、
晶体材料有限公司中锗科技有限公司广东先导稀材股份有限公司云南东昌金属加工有限公司有色
、、、、
金属技术经济研究院
。
本标准主要起草人普世坤惠峰董汝昆冯德伸柯尊斌尹士平朱刘李素青
:、、、、、、、。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为
:
———GB/T8756—1988。
Ⅰ
GB/T8756—2018
锗晶体缺陷图谱
1范围
本标准规定了锗多晶锗单晶制备和机械加工过程中产生的缺陷给出了各类缺陷的特征产生原
、,、
因及消除方法
。
本标准适用于区熔锗锭锗单晶锗研磨片和锗抛光片生产过程中产生的缺陷
、、。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
半导体材料术语
GB/T14264
3术语和定义
界定的以及下列术语和定义适用于本文件
GB/T14264。
31
.
杂质管道impuritiespipeline
在锗单晶中沿晶体纵向形成的管道状杂质富集区
,。
4锗晶体缺陷
41锗多晶
.
411氧化物
..
4111特征
...
晶体表面失去银灰色金属光泽呈现不同颜色的表面膜如图所示
,,1。
4112产生原因
...
氧化物是由于晶体在高温状态下或长期暴露在空气中以及在操作过程中引进的有机物在高温下
,
分解后氧与锗反应生成
,。
412浮渣
..
4121特征
...
在晶体表面呈现的无金属光泽的灰色薄层如图所示
,2。
4122产生
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