标准解读

《GB/T 8750-2014 半导体封装用键合金丝》与《GB/T 8750-2007 半导体器件键合用金丝》相比,在多个方面进行了调整和更新。首先,标题的变化反映了标准适用范围的扩大,从原来的“半导体器件键合用金丝”更改为“半导体封装用键合金丝”,这表明新版标准不仅限于半导体器件领域,而是涵盖了更广泛的半导体封装应用。

在技术内容上,《GB/T 8750-2014》对金丝的技术要求进行了更加详细的描述,包括但不限于金丝直径、抗拉强度等关键性能指标,并且增加了对金丝表面质量的要求,如不允许存在裂纹、夹杂物等缺陷。此外,对于金丝的包装、标志以及运输等方面也做了更为具体的规定,以确保产品在整个供应链过程中的品质稳定性。

试验方法部分,《GB/T 8750-2014》引入了新的测试项目和技术手段来评估金丝的各项物理化学性质,比如采用电子显微镜检查金丝内部结构,通过X射线荧光光谱仪测定金含量等先进方法,使得检测结果更加准确可靠。


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....

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  • 2014-07-24 颁布
  • 2015-02-01 实施
©正版授权
GB/T 8750-2014半导体封装用键合金丝_第1页
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文档简介

ICS7715099

H68..

中华人民共和国国家标准

GB/T8750—2014

代替

GB/T8750—2007

半导体封装用键合金丝

Goldbondingwireforsemiconductorpackage

2014-07-24发布2015-02-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T8750—2014

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

要求

3………………………1

试验方法

4…………………5

检验规则

5…………………5

标志包装运输和贮存

6、、…………………6

合同或订货单内容

7()……………………8

附录资料性附录金丝弧高测试方法

A()………………9

附录资料性附录金丝表面质量检验方法和典型缺陷

B()……………10

附录规范性附录金丝线轴规定

C()……………………13

附录规范性附录金丝长度测量方法

D()………………15

附录规范性附录金丝卷曲及轴向扭曲检验方法

E()…………………16

附录规范性附录金丝放丝性能检测方法

F()…………20

GB/T8750—2014

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替半导体器件键合用金丝

GB/T8750—2007《》。

本标准与原标准相比主要有如下变化

,:

标准名称更改为半导体封装用键合金丝英文

———“”,“Goldbondingwireforsemiconductorpackage”;

范围修改为本标准规定了半导体分立器件集成电路封装用键合金丝以下简称金丝

———“、、LED()

的要求试验方法检验规则标志包装运输和贮存质量证明书合同或订货单等内容

、、、、、、、()。

本标准适用于半导体封装用键合金丝

。”;

产品分类中根据不同封装弧高范围进行了用途说明

———,;

删除型金丝增加两种型号金丝和

———D-Y,AG2AG3;

直径规格增加了

———0.014mm、0.016mm、0.017mm、0.019mm、0.021mm、0.022mm、0.024mm、

和等

0.026mm、0.027mm、0.028mm、0.029mm、0.033mm、0.043mm、0.044mm0.045mm

规格

;

增加了产品标记示例

———;

删除了尺寸允许偏差中的重量允许范围增加金丝重量允许范围列表并增加了

———200mm,1m,

重量计算规定

;

金丝力学性能增加了同一直径下不同型号半硬态金丝最小拉断力和伸长率范围删除了硬态

———,

和软体的最小拉断力参数

;

增加取样规定对具体性能取样要求细化

———,;

增加附录金丝弧高测试方法

———A,;

增加附录金丝表面典型缺陷

———B,;

附录中金丝卷曲试验检验方法增加了卷曲试验检验方法

———E2。

本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口

(SAC/TC243)。

本标准起草单位北京达博有色金属焊料有限责任公司有色金属技术经济研究院浙江佳博科技

:、、

股份有限公司山东科大鼎新电子科技有限公司

、。

本标准主要起草人陈彪杜连民向磊张蕴薛子夜苗海川陈志张立平闫茹向翠华杨志新

:、、、、、、、、、、、

赵月国周晓光

、。

本标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T8750—2007、GB/T8750—1997、GB/T8750—1988。

GB/T8750—2014

半导体封装用键合金丝

1范围

本标准规定了半导体分立器件集成电路封装用键合金丝以下简称金丝的要求试验方

、、LED()、

法检验规则标志包装运输和贮存质量证明书合同或订货单等内容

、、、、、、()。

本标准适用于半导体封装用键合金丝

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

有色金属细丝拉伸试验方法

GB/T10573

金化学分析方法银铜铁铅锑和铋量的测定原子发射光谱法

GB/T11066.5、、、、

贵金属及其合金材料几何尺寸测量方法

GB/T15077

3要求

31产品分类

.

金丝按化学成分分为掺杂金丝和合金金丝两大类掺杂金丝根据金丝所能达到的最低弧高分为

三个系列可根据掺杂元素及其含量不同分为等合金金丝

GS、GW、TS,GW1,GW2……TS1,TS2……;

根据合金成分分为两个型号金丝的种类型号状态用途直径应符合表的规定

AG2、AG3。、、、、1。

表1

种类型号状态用途直径

/mm

一般适用于弧高在以上范围的

250μm

GS高弧键合

一般适用于弧高在范0.013,0.014,0.015,0.016,0.017,0.018,

掺杂金丝200μm~300μm

GW围的中高弧键合

。0.019.0.020,0.021,0.022,0.023,0.024,

半硬态

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