聚焦行业创新关注增量业务

市场回顾2022年年初至12月17日，申万半导体指数涨跌幅-33.51%，市场表现处于A股靠后位置，同期上证A指、沪深300指数、上证50指数和创业板指数涨跌幅分别-12.97%、-19.96%、-17.90%和-28.56%。受半导体周期下行、外部疫情和中美摩擦影响，半导体行业表现大幅弱于各大指数各细分子板块方面按总市值加权平均方式计算所有细分子版涨跌幅均为负数，其中集成电路封测和半导体设备表现较好，分别录得涨跌幅-3.58%和-4.59%数字芯片设计和模拟芯片设计等FbssIC设计公司受需求放缓和晶圆代工成本增加的影响，表现居于末位。图1：022年初至12月7日申万半导体指数表现 图2：022年初至12月7日半导体各子板块表现0-5-0-5-0-5-0-5-0

0-5-0-5-0-5-0 nD， nD，从个股情况来看2022年1月-2022年12月17日申万半导体行（按申万指数2021年口径中仅20家公司上涨下跌家数达到100家涨跌幅中位数-24.76%剔除今年上市发行的新股后申万半导体行业涨幅排名前五的股票为大港股+194.65%聚辰股+51.65%复旦微+42.97%江丰电+37.74%和苏州固（+1.76%韦尔股（-63.71%晶丰明（-60.78%恒玄科-59.68%闻泰科（-56.32%明微电-55.71%等涨幅靠后本年行情中涨幅排名前十位中仅4家企业为非本年度上市，其主要方向围绕国产与产品创新进行包括国产方向的hpt先进封装、FPA国产、半导体材料与零部件替代；产品创新方向上的5内存升级。表1：022年1月1日202年12月17日申万半导体行业涨跌幅前五名行业涨幅前五名行业跌幅前五名代码名称涨幅（%）代码名称涨幅（%）Z大港股份%H韦尔股份%H聚辰股份%H晶丰明源%H复旦微电%H恒玄科技%Z江丰电子%H闻泰科技%Z苏州固锝%H明微电子%ind，半导体行业22年前三度回顾整体营收稳步增长净利润增幅波动幅度高于营收在此轮半导体周期中受行业景气与国产刺激国内上市半导体企业营收整体维持逐季向上的态势由20201的564.44亿元增长至20223的1038.25亿元，增幅达83.84%；行业盈利能力大幅提升，20223行业整体实现净利润131.85亿元较20201的增长268.09%净利润增幅前高后低20213后整体净利润增幅缩窄或落入负增长，整体波动幅度高于营收增幅，图3：0220223半导体行业总营收与同比变动 图4：0220223半导体行业净利润与同比变动2000000000000

总营业收入 营收同比y

5%0%5%0%-%-0%

0080604020000

总净利润 净利润同比y

2%0%0%0%0%0%-0%-0% nD， nD，分子板块看半导体设备与集成电路制造在该轮周期中深度受益2半导体设备与集成电路制造分别实现营收188.68亿元和459.50亿元同比分别增长55.16%和39.51%较020年前三季度分别增长156.68%和75.23%；2022年前三季度营收同比增速排名前五分别为：半导体设备+55.16%、集成电路制+39.51%集成电路封测（+15.35%、分立器件+12.31%）和数字芯片设计+1.29%2022年前三季度半导体设备与集成电路制造分别实现净利润8.05亿元和136.07亿元同比分别增长83.42%和47.37%较020年前三季度增长272.19%和260.64%2022年前三季度净利润增速排名前五分别为半导体设+83.42%集成电路制+47.37%半导体材料+22.66%、分立器件+1.24%）和数字芯片设计+4.40%图5：022022年前三季度子板块营收变动 图6：022022年前三季度子板块净利润变动0000000000000000000

00-3 01-3 02-3

604020000

00-3 01-3 02-3nD， nD，行业整体毛利率略有下滑中游晶圆代工环节显著侵蚀上游利润3业整体毛利率为30.20%环比下降1.71pct同比下降1.28pct但仍高于2020年按产业链环节进行划分上游IC设计环节在20213达到顶峰后逐季下降至38.39%集成电路制造毛利率上升明显20223毛利率为38.39%，环比下降1.61pct，但同比依然大幅提升.74pct当前晶圆代工制造环节毛利率已经略高于上游IC设计环节在景气下行阶段显著侵蚀了利润。集成电路封测环节变动较小20223毛利率6.61%仅比20201提升约1.21pct。半导体设备与材料三季度毛利率环比下降功率器件盈利小幅提升3设备与材料毛利率分别为42.64%和17.01%环比下降5.46pct和.52pct但依然处于近两年均值水平功率器件受下游包括光伏和新能源汽车的推动毛利率稳定小幅爬升由20201的18.90%提升至20223的2357%。图7：02120223半导体行业单季度毛利率变动 图8：02120223半导体行业设计代封测各环节单季度毛利率变动4%2%0%

整体毛利率

集成电路制造 C设计 集成电路封测5%05%0%5%0%5%0%5%0%6%4%2%0%nD， nD，研发持续加码绝对规模与营收占比均持续提升022年半导体行业研发为333.51亿元，同+27.66%，剔除晶圆代工与封测板块后研发费用为226.80亿元，同比+33.33%；费用占比上，按整体法行业前三季度研发费用率由2018年的6.40%提升至9.88%，剔除晶圆代工与封测板块后的研发费用率则由2018年的7.69%提升至2022年的1.10%，费用率位居申万三级子行业2021）的第5位。图9：012022年前三季度半导体行业研发投入与同比增速变动

图10：2082022年前三季度半导体行业研发投入占比变动情况（整体法）行业研发费用率 行业研发费用率（剔除代工封测）行业研发投入行业研发投入oy0行业研发投入行业研发投入oy005000500050000行业研发投入（剔除代封测）行业研发投入（剔除代封测oy4%2%0%0%0%0%0%%%%%%.1.1.9.8.7.6.5.4nD， nD，行业进入被动补库存阶段存货进入去化周期行业整体库存由20201的487.80亿元上升至20223的178.44亿元，且未见明显放缓的趋势；存货周转天数由20201的101.88天拉长至20223的128.88天，高于正常库存水位水平。图1：02120223半导体行业存货与环比增幅 图12：20012023半导体行业存货周转天数变化100120010000

） 环比增幅

18%16%14%12%10%8%6%4%2%0%

nD， nD，IC设计公司存货惯性上冲存货周转天数显著拉长财报数据显示数拟芯片设计公司在2022年均出现库存积压现象。按照整体法计算，数字芯片公司存货有2020年初的134.43亿元增加至20223的538.37亿元，存货周转天数由2020年初的149.90天延长至20223的196.00天模拟芯片公司存货由2020年初的23.17亿元增加至20223的31.80亿元存货周转天数由2020年初的125.96天延长至215.86天在下游需求回落与产品备货的时滞下IC设计公司在于季度存货出现了明显的惯性上冲，行业进入集体被动补库存阶段，而三季度行业整体库存依然环比增长。图13：2002023数字芯片存货与周转天数 图14：2002023模拟芯片存货与周转天数存货（亿元）存货周转天数存货（亿元）存货周转天数0 0 0存货（亿元）存货周转天数00 nD， nD，存储板块展：新机成长与路径演并存DDR5：供给端迭代加速，优质供给支撑内存升级优质供给陆续上市硬件端支撑内存升级根据mda数据目前数据中心服务器市场主要参与方包括英特//，英特尔20214市场份额约为76%D增长迅速目前市场份额来到18.3%而rm市场份额约为5.4%考虑英特尔和D针对服务器的技术升级路线，其中英特尔披露的至强产品路线中，采用7nm工艺制造的Spphrepds是挽回数据中心市占率的重要产品，也是迄今为止英特尔功能最丰富的至强处理器，支持5、L协议和PIe5.0总线。而D的第四代N4服务器处理器noa将引入对5IM和IM的支持，支持12通道5内存。目前Dnoa已发布IntlSpphrepds的发布时间确定为2023年1月10日优质供给陆续进入上市阶段带动5在服务器端渗透率提升。5有望带动内存接口芯片量价齐升对比D与Intl主要服务器产品2020年各厂商推出的服务器内存通道数以8通道为主包括英特尔的Iceke至强处理器系列和D的第二代PC7002系列和第三代PC7300系列等皆配备8通道4，而D下一代N4热那亚服务器则进一步支持12通道内存此外在主要用于服务器领域的IM和IM中5IM需要10个s来缓冲主机内存控制器和M之间的进入Q和s信号相较于4时代“1+9架构多需要1个。同时为了更好的监测和管理内存功耗问题，电源管理芯片PI）将由主板移动到5IM上，I3C总线变化也使得内存条SPD变成SPDub，同时温度传感器（TS）也移到了IM上，对于IM形成1+1SP+1PI+2TS（数据中心”的解决方案。内存代际升级带动D价格稳步提升2023年5下一子代有望逐步出货内存接口芯片单一代特定产品的销售单价随着产品的成熟逐渐下降，但子代之间的迭代有助于提振产品单价如澜起科技完整参与的4世代包好n1.0到n2.0pus等四个子代其产品平均单价也由2016年的15.39元增加至2020年的20.67元随着Intl与D新平台陆续发布其5性能支持也由800z升至5600这将有助于提升下一子代出货量。图15：5时代M形成“11SP1P2S”的解决方案

图16：2062020年澜起科技内存接口芯片单价和4渗透率对比内存接口芯片平均单价（元） DDR渗透率2%%7%%44%9

0%5%0%5%0%5%0%5%0%5%0% ICHTK， nD，预计23年底5渗透率超过30%供应链标的受益根据历史经验新一代产品在上量后的12个月末渗透率可达到30%左右24个月末渗透率可达到50~70%36个月末基本达到90%以上。随着M厂商持续增加在5颗粒生产上的投入，其较4性价比持续上升，将带动服务器与PC端更多采用新一代内存颗粒SKynx预计2023年5渗透率将超过30%，mbus预计20241公司产品组合中5将超过4通过内存接口芯片厂商澜起科技与mbus季度收入结构我们看到了5对主要供应链厂商的营拉动作用。图17：20132023澜起科技互联类芯片业务单季度营收与环比增速变动

图18：20132023s芯片产品业务单季度营收与环比增速变动互联类芯片营收（亿元） 环比增876543210

50% 00%50% 00% 50%00% 50% 00%.0% .0% -0%-00% 0

产品收入（百万美元） 环比增

50%00%50%00%.0%.0% nD， ambus财报，RM：DDR5与新能源汽车带来成长新机遇内存模组需要一颗/4Kbt的串行PM用来记录该内存模组信息SP，包括内存颗粒容量转速工作电压和制造商等在服务器启动时通过IS读取最佳状态以确保正常运行5迭代下SPD接口从I2C转向I3C以降低工作电压和提高位元率，使得内存条SPD升级为SPDub作为PU与IM之间的电子隔离，降低I3C信号完整性调教的难度。服务器与C市场共同拉动SDOM需求022年全球服务器与PC销量分别预计为1380万台和3.05亿台如按照1台服务器搭配0根内存条1台PC搭载1根内存条每根内存条需要1个SPD计算在5世代完全渗透下每年至少需要4.85亿颗高容量SPDP。与头部内存接口芯片合作为国内厂商提供进入契机澜为M芯片主要参与厂商，其市场占有率超过0%，公司针对5新增加的配套芯片要求，与聚辰股份合作开发5SPD产品，与T合作开发电源管理芯PI和温度传感（TS与头部内存接口芯片的合作为国内厂商提供进入契机后续将直接受益于5渗透率的提升。全球服务器出货量（万台全球计算机出货量（亿台全球服务器出货量（万台）150010013001001100100全球计算机出货量（亿台）43.532.521.5全球服务器出货量（万台全球计算机出货量（亿台全球服务器出货量（万台）150010013001001100100全球计算机出货量（亿台）43.532.521.510.50Counrpon， DC，OM相较于lash更适合于汽车领域中部分ae1和ae0环境汽车领域中包括辅助驾驶、信息娱乐和制动系统等包含大量，如传统汽车中发动机控制单元中使用PM去储存包括校准数据日志数据和固件在校正正确下才可实现对应功能Fsh由于底层技术针对消费电子进行了优化虽然提高了速率与性能但也使其不适用于部分恶劣的rd1和rd0环境而读取速度快循环次数多具有较好耐用性的PM成为首选。汽车电气化与智能化为OM提供新的增长点根据爱集微数据传统车型平均使用PM在15-20颗左右而随着电气化与智能化包括自动驾驶使用的摄像头、智能座舱、三电系统微电机底盘传动系统等都带来对新PM的使用预计新能源汽车的用量将有望提升至30-40颗。赛迪顾问预计到2022年，全球PM市场将接近8.7亿美元而从下游应用场景占比而言汽车电子约占整体规模的三分之一左右。汽车电气化与智能化为PM未来提供了新的增长点。图21：PM相较于lsh更适合于部分re1和re0环境

图22：汽车电气化与智能化为PM产业提供新的增长点 资料来源：安森美， 资料来源：安森美，国内厂商已成为消费电子OM主要供应商逐步进入车规市场2021年普冉/聚辰PM销售量分别为20.46/16.59亿颗对应销售收入分别为3.19/4.25亿元如聚辰在手机摄像头领域市场份额超过40%。由于聚辰主要来自于原存储大厂ISSI，在技术领域有较深厚的沉淀，主流容量的1等级的汽车级PM产品也已于2021年末通过-100可靠性标准认证，目前已拥有1及以下等级的全系列汽车级PM产品公司汽车级PM产品现已广泛应用于车载摄像头液晶显示娱乐系统等外围部件并逐步延伸至车身控制模块底盘传动及微特电机智能座舱新能源汽车的三电系统等核心部件，终端客户包含国内外众多汽车厂商。DDR3：有望重现NRash增长路径3市场规模企稳逐步转入利基市场预计2021年规模约为75亿美金随着4对3在主流市场的替代接近尾声3占整体M规模逐步企稳2021年其市场预计占M市场比重的8%规模约为75.35亿美元并预计到2022年增长至84亿美元。中低容量利基型3市场参与方中2021年三星与美光依然保留3产能台系利基M生产大厂南亚科3占比约为30%，三者合计占据市场超过80%的份额，其余厂商营收规模大致相当2-3亿美元。从产品结构上，三星停止在3上的投入，仅具备1/2/4b产品约75款产品，美光具有完整1-8b产品线但型号仅51款，南亚科深耕4b以下容量，产品线较为丰富，型号多达135款。图23：201年3市场规模预计约75亿美金 图24：201年2/3利基市场参与厂商份额估%%0

0 3规亿美元）6 7 8 9 3规亿美元）

三星海力士华邦南亚钰创其他nD， daas，rndor，（部分依据各公2021年报数据与DD23占比估计）头部厂商三星退出释放行业机遇行业迎份额洗牌关键节点从行象来看，根据台湾工商时报信息，三星电子决定将3产线转向生产更高利润率的IS产品，已经通知其客户变更产品计划，应用面最广的128x16规格的2b3将在4月28日结束生产，最后出货日为6月30日，下半年将完全停止2b3供货2b以下低容量3亦陆续进入停产阶段考虑三星为市场最大的3生厂商这将释放26-27亿美元的空间且聚集在4b以下的低容量市场而台厂则积极扩产以接收头部厂商让渡出的市场份额，华邦电计划将3占M比重由30%提升至2024年的50%，南亚科、晶豪科和钰创也积极增加3市场投入。从时间节点上202-2023年将成为3市场份额再分配的重要年份一方面供给端的三星等2022年下半年后不再接收新订单IM台厂装机量产时间节点大多在2023年后而下游需求如通信汽车安防监控和工业需求相对稳定这将为国内Fbss企业扩大市占率提供机遇。公司 公司规划表2：主要3市场参与厂商近年来公公司 公司规划1年缩减3产能，22年下半年开始陆续停止//b的3三星内存生产K海力士 1年停止生产b，22年考虑进一步退出计划投资0亿新台币兴建2寸晶圆厂，规划产能5万片/月，南亚华邦

年完工试产扩大3产能，计划4年占AM营收比重%，高雄厂nm制程4有望达1万片/月，二阶段4投产晶豪科/钰创 其主要晶圆代工厂力积电铜锣厂预计3量产，陆续增加产能锁定igties，快科技，制程工艺相对集中国内具有潜在成本优势利基3市场主要生产厂商中华邦电重点拓展5nm制程技术并研发储备下一代；晶豪科于2021年初步完成25nm开发进入导入量产工作南亚科2017年完成了20nm的3认证与量产工作而国内企业兆易创新则借助合肥长鑫生产17nm3北京君（ISSI与东芯股份则均为25nm，整体3制备工艺相对集中，而兆易创新具备工艺领先优势。当前3变化与2016-2017年ORlash变化具有相似性国内企业居于更优势地位。回顾RFsh发展历程，随着市场份额分别居第一位和第三位的赛普拉斯和美光陆续宣布退出中小容量R，旺宏与华邦电2016-2017年出货量增速分别为16.73%/40.34%和15.86%/28.01%成为此轮行业出清的最大赢家2018年市占率迅速上升至前两位而随着中芯国际和华虹半导体技术的追赶国内企业后来居上增速高于行业平均我们认为当前3机遇类似于2016-2017年的ORlash且国内企业在份额争夺中具备一定优势，原因在于：1半导体行业景气导致有限资源的再分配头部厂商三星退出释放行业超过30%的份额2中小容量3产品在消费电子领域依然具备旺盛需求其不需要汽车电子行业较高的行业认证壁垒，同时对成本具备价格敏感，符合国内企业从低端向高端渗透的增长逻辑3近年来国内晶圆代工企业技术上的日益成熟提供了产能支撑相较于台系IM企业资本开支约束国内Fbss公司在份额争夺上占有先机4国内利用先进制程生产利基产品的模式将构成成本优势。基于2016年以后国内RFsh产业进阶路径，我们重点关注两个阶段和三个指标：第一阶段为龙头退出份额的在分配，核心指标为出货量的倍数扩张和产品在料号和容量上的加速覆盖；第二阶段为利润释放，在某一时期由于供给冲击或新的增量需求导致供需逆转，以容量和销量为基础，通过涨价攫大量利润。激光芯片：产化进加快，光雷达与3D传感促高成长高功率激光器核心器件，国产持续推进激光芯片位于激光产业链上游是激光器的核心部件激光行业上游是利体原材料高端装备以及相关的生产辅料制造激光芯片光电器件等是激光产业的基石，准入门槛较高产业链中游是利用上游激光芯片及光电器件模组光学元件等作为泵浦源进行各类激光器的制造与销售，包括直接半导体激光器、二氧化碳激光器、固体激光器光纤激光器等下游行业主要指各类激光器的应用领域包括工业加工装备激光雷达、光通信、医疗美容等应用行业。目前高功率激光芯片主要由西方发达国家的几家公司垄断-ⅥumntumIP，nIT等，其中IP、nIT芯片仅应用于身下游产品，不对外销售我国激光技术产业化进程较慢，半导体激光芯片制造等核心技术落后于发达国家，尤其是半导体激光芯片泵浦源国产化率仍处于较低水平我国激光芯片制造厂商主要有长光华芯华光光电武汉锐晶纵慧芯S封装厂商主要有炬光科技凯普林星汉激光等。图25：激光行业产业链介绍资料来源：炬光科技招股说明书，长光华芯招股说明书，激光工业发展迅速全球市场规模持续增长激光器目前已广泛应用于激光智能制造装备生物医学美容激光显示激光雷达高速光通信人工智能机器视觉与传感、3D识别激光印刷科研等领域据srFocusord预测2021年全球激光器的总市场规模为184.8亿美金市场增长率为15.4%其中半导体激光器市场规模预计为79.5亿美（占比43%市场增速为18%从应用领域来看根2021年中国激光产业发展报告2020年全球激光器销售额为160.1亿美元结构上来看材料加工与光刻通讯与光存储科研和军事医疗和美容仪与传感器及娱乐显示与打印分别占比39.6%、24.5%、13.8%、5.7%、12.6%及3.8。图26：2052021年全球激光器总收入及其结构 图27：2092020全球激光器细分市场占比00

非二极管激光器 二极管激光器（二极管激光器） （非二极管激光器

5%

材料加工与光刻市场 通信与光储存市场 科研与军事市场医疗与美容市场 仪器与传感器市场 娱乐、显示与打印市场380%8060

0%5%

1260%801%4020000

0%5%0%-%-0%

570%903%1202%1380%2702%2450%

299%

3960%4093%Lasrousord， 《2021年中国激光产业发展报告，我国激光器市场发展迅速光纤激光成为主导根据srFocusord数据近年来中国激光器市场规模一直保持增长趋势2020年市场规模达109.1亿美元，同比增长7.16%占全球激光器市场66.12%的份额预计2022年将继续保持增长市场规模将达147.4亿美元目前中国激光器市场主要以光纤激光器为主导由于光纤激光器性能优异，适用性较强，近十年市场份额快速提升，占比达51%。半导体激光器、固体激光器、气体激光器占比相差较小，分别为17%、16%和16%。图28：2072022年中国激光器规模及预测 图29：国内激光器占比分布

光纤激光器 半导体激光器固体激光器 气体激光器规模：亿美规模：亿美

16%

16%17%16%17%147147.4126.8109.19.511.8169.50Lasrousord， SragsUnm，中低功率快速实现国产化高功率核心元器件进口替代正当时产W及以下光纤激光器基本已实现国产1.5kw以下的中功率光纤激光器国产化率达到60%以上但在1.5kw级以上的高功率激光器方面预计2020年国产化率约为57.58%其中在3-6kW产品段，国内市场的竞争将趋白热化，进口与国产品牌的出货数量旗鼓相当。而在万瓦级以上的市场，随着资本实力的增强和自主研发实力的提高，国内厂商更多的开始关注核心元器件的生产国产光纤激光器慢慢开始参与到竞争当中目前占据国内市场份额最大光纤激光器厂商IP在2021年市场份额为28.1%较2020年下降6.5pct。国产光纤激光器厂商锐科激光与创新激光2021年市场份额分别为27.3%与18.3%较去年同期提升2.9pct与1.7pt。图30：2032020年低中高功率光纤激光器国产化率 图31：2082021年中国光纤激光市场厂商份额变化 IG创鑫激光（W） （1.5k IG创鑫激光1.210.80.60.40.20资料来源《2020年中国激光产业发展报告， 资料来源《2019-2022年中国激光产业发展报告，预计2025年全球与国内高功率激光器芯片市场分别为5.5亿美元和22亿人民币。经测算2021-2025年全球高功率激光芯片市场空间分别是3.293.64.204.83和5.56亿美元国内高功率激光芯片市场空间分别是9.751.2114.0117.51和21.89亿元。表3：国内外高功率芯片市场规模测算20212022E2023E2024E2025E全球激光市场规模（亿美元）48899yoy高功率半导体激光器占比高功率激光器市场空间（亿美元）41318激光行业平均毛利率泵浦源成本占比泵浦源平均毛利率激光芯片成本占比全球激光芯片市场空间（亿美元）95036国内光纤激光器市场（亿元）6光纤激光器市场占比yoy国内工业激光市场规模（亿元）48038国内工业激光器市场占比%%%%%国内高功率激光器市场占比%%%%%国内高功率激光器市场（亿元）04362激光行业平均毛利率泵浦源成本占比泵浦源平均毛利率激光芯片成本占比国内激光芯片市场空间（亿元）51119aerFocusold《2022年中国激光产业发展报告Sttegisnliited，长光华芯招股说明书，中美贸易摩擦西方制裁国内头部光纤激光器厂商芯片法案加速高功率激光芯片国产2018年起中美贸易摩擦西方限制高功率半导体芯（单管15巴条100）对华出口2021年6月进一步将国内头部光纤激光器厂商锐科激光加入制裁名单锐科激光减少对IS等境外公司高功率泵浦源的采购逐步加大对国内相关厂商的采购金额。2022年美国签署并正式实施芯片法案，进一步限制有关芯片及其技术的对华出口，产业下游公司出于安全考虑将订单转向国内，加速高功率激光芯片国产。长光华芯高功率半导体激光芯片领域持续突破，目公司量产芯片输出功率达到35，巴条芯片连续输出功率250准连续输出功率1000产品技术水平与国外先进水平同步，打破西方技术封锁，逐步实现高功率半导体激光芯片国产代替。4.2SL下游应用不断拓展，进入快速成长期SL是高频高效可集成半导体光源是消费电子传感和短距光通信的首选半导体激光芯片根据谐振腔制造工艺的不同分为边发射激光和垂直腔面发射激光器S）两种SL芯片是指在芯片的上下两面镀上光学膜形成谐振腔，并将光学谐振腔与衬底垂直，从而实现芯片表面的激发射SL具有调制响应快、光束质量好效率高可集成等优点是消费电子传感和短距光通信的首选光源但由于其单个芯片输出功率较低，一般应用于短距场景。多结SL提高功率密度下游应用领域不断扩展2021年umntum发布多结SL阵列，极大提高功率密度，克服SL在功率上不足，拓宽SL的下游应用多结技术是垂直将几个PN结叠在一起和普通多量子阱不一的多量子阱是一个PN结，几个量子保持均分布多结SL的能带利用隧道结隧穿原理将上一个PN结价带中的电子变成下一个PN结中的导带电子，这样周而复始。多结SL将功率密度从几十/平方毫米提升至几千/平方毫米大幅度提高功率密度对于驱动或者电源在相同功率下高电压低电流要比高电流低电压更便宜因此多结SL提高电压降低电流，从而降低电源和驱动器成本。随着SL功率密度提高、成本下降，下游应用领域不断扩展，已逐步开始应用于激光雷达、安防摄像头等中长距离场景。表3：S、、D特点和性能参数比较DSL类型激光器激光器光功率密度低高中光束质量朗伯型/散射角度大非对称椭圆/散射中对称圆形/散射较小温漂n/Kn/Kn/K光谱带宽nmnmnm激光散斑低高阵列时低开光速度nsns封装简单复杂简单成本低高较低资料来源：维科网激光，激光雷达为高阶自动驾驶主要选择方向车载市场方兴未艾激光与接收激光束分析激光遇到目标对象后折返的时间差或相位差确定目标对象距离随着汽车向自动驾驶过渡激光雷达受到产业界越来越多的关注有望弥补摄像头在精度稳定性、抗环境干扰和视野上的局限性，是高阶自动驾驶不可或缺的元件。根据众智研究院数据，我国2021年激光雷达装车量约为2万辆，预计2022年将突破23万辆2023年将接近百万辆但是受上海疫情影响多款激光雷达车型落地延迟，激光雷达装车量将会有所放缓，预计在2023年开始集中爆发2024-2025年将实现量的快速增加在激光雷达玩方面根据oe发布的2021年全球激光雷达市场占有情况，全球首个发布车规级激光雷达并实现量产的厂商o（法雷奥）市场占有率最高占比28%国内头部玩家也有所突破速腾聚创大疆禾赛科技华为市场占有率分别为10%、7%、3%、3%。图32：201202E年我国车载激光雷达出货量 图33：201年全球车载激光雷达市场份额占比法雷奥 速腾聚创 Lunar 大疆 电装

激光雷达装车量 激光雷达出货量

大陆 Cepton nnoze beo nnouson02021 2022 2023 2024资料来源：众智研究院， o，车载激光雷达L占据主导SL方案未来可期车载激光雷达中SL相较于L具有更多技术优势1价格便宜可以大量生产2易于制作二维集成器件；3低阈值电流和更高光束质量同时较低的温漂也不需要新增制冷器件但是由于SL发射功率较低，无法用于中长距离场景，因此L方案占据主导地位，已应用于多款激光雷达2021年umntum发布多结SL阵列，极大提高功率密度克服SL在功率上不足2022年禾赛科发布全球首款量产SL方案车载激光雷达T128，并于2022年下半年投入量产。根据2022年1-9月我国搭载激光雷达车型交付量计算，SL方案交付数量占比约为12%根据Focusght统计结果目前L渗透率最高为55%，其次SL占比18%。随着SL功率密度突破，长光华芯、纵慧光芯等多款SL阵列将陆续通过车规级认证并投入量产市场渗透率将会逐步提高SL方案未来可期。3D传感应用广泛消费电子成长空间广阔2017年苹果将3D结构光技术应用于phone，3D传感迎来了大规模商用的契机。随着苹果的示范效应，华为、三星ppo等手机厂商陆续在旗舰机摄像头模块中采用3D方案2020年苹果又一次创新升级，发布新款Phon12手机产品搭载后置3D-TFdr。在整个消费电子领域，包括手机、/、物联网、自动驾驶等使用场景对3D机器视觉的需求也在不断增长。根据oe预测2019年全球3D传感市场规模约为50亿美元到2025年将增长至150亿美元，年复合增长率达到20.09%2020年电子消费用SL激光器全球市场规模约为8.4美元，预计到2025年将增长至21亿美元，年复合增长率达到20.1。图34：2092025年3D传感市场规模 图35：2092025年电子消费SL芯片市场规模o，长光华芯招股说明书， o，长光华芯招股说明书，oT：智能连数增长供成长力要素逐渐完备的物联网产业生态在市场需求增长的影响下催生了大量新产品、新应用与新模式全球物联网设备数量也持续增长根据Isrch数据2016-2021年全球物联网连接规模增速迅猛，同比增幅均在30%以上2021年移远通信在2M蜂窝模组供应商出货市场份额达到38%。由于智慧公共事业、智能制造和智慧交通等物联网下游应用领域的旺盛需求物联网行业实现蓬勃发展预计到2026年全球物联网连接数量将达到231亿，同比增长17.87%行业体量庞大未来规模逐步趋稳国内工信部数据显示截至2022年9月末国内三大运营商蜂窝物联网用户数达到17.5亿户近两年用户增速不低于20%，占移动网终端连接数的比重已达51%。图36：2062026年全球物联网连接规模情况 图37：2012022年国内三大运营商蜂窝物联网用户数季度变化与环比增速20201010500

全球物联网连接数（亿个） YY

2310152310155266%4504%195991640491357383540%3655% 1083443370%83652951%625715282069545823315942528%208619471787%5%4%3%2%1%0%

蜂窝物联网用户数（亿户） 用户季度环比增5540663%159%6%%%%%7186420

4%2%0%Isarh，移远通信2021年报， 资料来源：工信部，智能家居：aer存在打通产业链可能随着智能家居领域进入软硬件配合和一体化的全屋智能阶段，智能家居行业总体保持中高速增长IC预计2021年全球智能家居出货量约8.95亿台到2026年有望达到14.40亿台，R约为10%，2021年中国智能家居出货量约2.2亿台到2026年有望超过5亿台。下游应用领域的发展能够带动上游芯片产业的增长。智能家居渗透率的提升将构成行业长期增长的驱动力根据IC数据显1年全球智能家居设备出货量超过8.95亿台同比增长了1.70%并预计行业将受到高宽带普及率和更多的无线家庭网络的推动在未来五年内保持增长到2026年智能家居设备出货量将达到4.43亿件，R为1%。细分行业来看，智能照/监控安防等复合增速超过10%，以智能电视、流媒体设备和联网机顶盒等视频娱乐设备当前出货量最大，达到.1亿台智能照明设备将成为增长最快的类别未来五年的R达到23.60%。图38：未来五年智能家居出货量复合增速将达到1% 图39：2012026年部分智能家居子设备出货量预测智能家居出货量同比增速32智能家居出货量同比增速3264 % 52 % 40 628 % 3624 2 % 10 % 0

2021 2026 CAGR

IDC， DC，设备种类的多样化与智能化渗透率的差异导致参与方趋于长尾化较严格的苹果omkt供应商目录为例，从未来增速较高的智能照明的统计结果来看，可查询的31家苹果智能照明企业中，既有如Phps、E和IA宜家由传统行业转型而来的企业，也有pr、ngotk和ygntt等从消费电子领域切入智能家居领域的企业，也包含如ght易来rncy小燕科技等初创企业。其中31家苹果智能照明认证企业仅有1家企业为传统照明企业，剩余20家企业为新兴企业，占整体比重的65%同样的从统计的智能门锁结果显示22家企业中仅6家主业为门锁和防盗产品其余16家皆为新兴企业占整体比重的3%从上述的智能家居供应商统计结果来看，五金建/照明/门锁等传统产业在智能化过程中不再为专业制造商的专有业务，而是作为企业跨界进入产业的锚点或企业全屋智能产品线的补充而存，行业的离散度进一步增大。图40：苹果智能照明认证企业中6%为新兴企业 图41：苹果智能门锁认证企业中7%为新兴企业传统企35%新兴企传统企35%新兴企65%传统企新兴企ppe官网， ppe官网，传统智能设备产业核心难点为信息不对称与标准未统一对下游客户智能设备的使用体验与安装覆盖数量成正比，需要额外进行网络选择与设计，提高了下游客户的学习成本无形设置了智能设备购买方的门槛1局限于有一定专业知识或有一定了解的客户群体2依赖于专业施工方局限于前装市场这大幅降低了可获得客户群体范围与智能设备的二次购买频率对渠道方而言由于客户群体的局限诞生了专业第三方智能家居品牌如涂鸦绿米和欧瑞博等其功能一是对接上游产品提供可选设备种类与品牌，二是帮助客户进行施工安装，渠道的小众与专业化导致其参与方主要集中于oB端或与地产公司合的前装市场。信息不对称与标准未统一大幅降低了智能家居替代传统家居的速度。atter协议尝试加速硬件连接标准化ttr是由连接标准联盟SA推出的基于IP6技术应用层协议，通过定义信息的封装与发送方式通信的加密与授权方式以及数据的交互方式来希望实现广泛的设备兼容其定义的主要连接协议包括以太网-Fi和Thrd三种通信方式在典型的ttr网络拓扑结构下包括了-Fi终端设备Thrd设备Thrd边界路由器和ttr网关等并且对现有的非ttr设备可通过桥接设备（rdg）接入ttr网络。图42：智能设备产业当前难点与痛点的固定成本需要选平台认和通信S升级与张慢渠道方局限第三业施工，优）需要额配备业人员存在平的选销售题高退回，存获利异依赖线销售增加本成本更换困，存二次败的依赖线体验专业装工方开发者设方（限于品牌，智能备）消费者（局限专业体，市场）SonLabs，5.2应用场景繁荣，助推连接芯片升级迭代连接技术多样化适用于不同场景与通信体系主流的短距离通信括、ge和-F；而蜂窝通信网络则按传输速率可划分为-IoT、2、3、T、4G和5G等。短距离通信中utooth不需要任何的辅助设备且能耗较低且具有开放性，但数据传输距离较短，其功能随着蓝牙标准的迭代日趋丰富ge具有前期投入经济成本较低灵活组网和高效节能的特点适用工业医疗和网络信息安全等安全要求较高且不便频繁更换电池的场合-Fi系统是当前主流的短距离无线通信技术，其覆盖范围较广、系统网络架构组织的复杂程度不高、安全系数较低，但其传输速度能够满足绝大多数客户的需求，广泛应用于智能家居等领域。长距离通信中，主流低速率蜂窝模组是-IoT，传输速率小于100bps，能够实现超低成本、超低功耗和深度覆盖。中速率蜂窝模组包括2、3、T，传输速率在100bps至1bps之间，功耗低，带宽低，主要应用在移动支付和智能家居等领域。高速率蜂窝模组以4G和5G为代表传输速率超过1bps低时延可实现图片视频等大数据传输是车联网和自动驾驶等领域不可或缺的一类模组当前以传输速率划分的低、中、高速模组在物联网连接分布比例为631，-IoT模组覆盖范围广。技术 传输速率 应用场景 业务特点表4：常用短距离通信技术与技术 传输速率 应用场景 业务特点oT（TEatM）//eMTC

＜bpsbps-Mbps

智能表计、共享单车、智慧灯杆、环境监测移动支付、穿戴设备、车队管理、智能家居智能、共享充电

以文本业务为主的低流量业务，不支持语音业务；超成本、超低功耗、深度覆盖。满足低功耗广域技术（A）以文本、语音业务为主；低功耗、低带宽以图片、视频业务为主；连接密度每平方千米0万GTE ＞MbpG ＞bps

宝、车联网远程医疗、智能造、

个，峰值数据速率可达bps低时延（＜s、高带宽，峰值数据速率可达bps 常用短距离无线通信技术 家庭网络、控制网络Zgbee bt/s

和传感

传输距离，无中心组网传输距离，具有前期投入经济成本较低、灵活组uetooth Mbt/s 个人网络无线局域网，智能i bt/s居

网和高效节能的特点主流的短距离无线通信技术，的覆盖范围较广、系统络架构组织的复杂程度不高资料来源：华经产业研究院《智能家居中的通信技术与应用，多样化需求推动无线技术革新Wi-i6/6E进入快速渗透期随着线上业务与无线需求在近年来快速增长，包括多人视频会议云辅助/、智慧城/校园智能家居等更多无线终端接入网络因此为更好满足IoT时代对速/功耗/连接数的要求-Fi6针对性的引入相关技术TT节能机制使设备始终保持连接的同时显著降低功耗；上下行-IO与上下行FA提升了高密度场景下的并发能力与终端速率；更高的1024M调制提升最大接速率SS着色提升了在重干扰环境下的性能。图43：人均带宽与人均接入量对应Wi需求标准 图44：Wii6主要关键技术特性资料来源《华为-6技术白皮书， i联盟，Wi-i6渗透率快速提升。相较于-Fi4/5-Fi6在数据与服务质量上均有较大提升支持相应-Fi6标准的接入设备在渗透率与推出速度上超过先前推出的标准预计到023年，绝大多数企业级接入设备都将支持-Fi6，根据Fi联盟数据，预计到2022年-Fi6设备出货量将达到23亿，加强版的-Fi6E设备也有3.5亿个PC端的渗透率将超过50%，路由器端超过40%。atter协议引入短距离传输支持标准双模/多模无线产品趋势渐成目前典型的ttr网络定义的主要连接协议包括以太网-Fi和Thrd三种通信方式。在典型的ttr网络拓扑结构下包括了-Fi终端设备Thrd设备Thrd边界路由器和ttr网关等，并且对现有的非ttr设备，可通过桥接设备rdg）接入ttr网络。这表明在传统网络与ttr网络之间非ttr支持设备与认证设备之间存在连接方式的互通问题，因此在可接受的成本范围内，通过在同一芯片或模组中集成多种通信协议成为发挥各自优势，优化下游客户的体验的选择。如双模芯片Fi&，一方面可以通过蓝牙简化配网过程降低时延另一方面区分功耗使用不同通信技术不同通信方式对应不同功能实现有利于降低用电损耗增强使用寿命。图45：预计到222年Wii6设备出货量将达到3亿 图46：一个典型的er网络拓扑结构-i联盟， SonLabs，国内芯片企业在部分短距离通信领域市场份额快速提升在短距离通科技凭借自身在硬+软+生态上的竞争优势，在-FiU领域市场份额取得领先，目前通过推出新产品进入Thrd和-Fi6领域，使公司产品线覆盖趋全面。泰凌微在低功耗蓝牙芯片领域跃升至全球第三位，其低功耗蓝牙终端产品认证数量已至第二位，仅次于ordc。其他高通5%赛普拉瑞昱恩智浦乐鑫科技35%图47：209年全球WiiU市场份额分布 图48：20其他高通5%赛普拉瑞昱恩智浦乐鑫科技35%其他30%其他30%泰凌微DialogNodc37%资料来源：乐鑫科技公司公告， 资料来源：泰凌微招股说明书，而在新一代-Fi6技术上，晶晨股自主研发的双频高速数传-Fi5+T5.0单芯片已规模销售。新一代-Fi62×2产预期在今年第四季度量；恒玄科开发了最新-Fi6连接芯，该芯片支持S1、1024M调制解调以及双频带收发，并可支持最大带宽至80。报告期内公司自研的双频F6芯片回片测试顺利，已经完成内部测试，进入客户送样阶段。翱捷科技、乐鑫科技等用于IoT领域的-Fi6产品陆续推出-Fi作为应用最为广泛的连接技术之一，国内企业研发进展已不再局限于简单IoT领域连接，进一步拓展至对连接要求高的T、中控屏和路由器等连接领域。重点关注标的6.1恒玄科技（688608.S）恒玄科技是领先的智能音频SoC芯片设计企业之一主营业务为智能音视频SoC芯片的研发设计与销售为客户提供IoT场景下具有语音交互能力的边缘智能主控平台芯片，产品广泛应用于智能蓝牙耳机Fi智能音箱、智能手表等低功耗智能音视频终端产品公司主要产品为蓝牙音频芯片智能手表芯片和智能家居主控芯片并基于公司在连接域的技术积累，逐步延伸至F/T连接芯片。公司智能音视频SoC芯片能够集成多核P、F/蓝牙基带和射频、声学系统、电源管理、存储、嵌入式I处理器和2.5DPU等多个功能模块，是智能音视频设备的主控平台芯片。预计2022-2024年，公司实现营业收入16.82/22.71/28.61亿元，实现归母净利润2.27/3.16/4.00亿元对应PS为1.89/2.63/3.33元当前股价对应PE为61/44/34倍综合考虑行业均值和公司龙头地位，我们给予公司2023年48-55倍P，目标价格区间为18.35-144.65元，投资评级为“增持。风险提示：下游需求恢复不及预期，产品进展不及预期。6.2乐鑫科技（688018.S）乐鑫科技成立于2008年是一家主要从事物联网-FU通信芯片及其模组的研发、设计及销售的IC设计公司。公司产品具有集成度高、尺寸小、功耗低、质量稳定、安全性高、综合性价比高、融合I人工智能、满足下游开发者多元化需求等突出优势，近年成长迅速-FU市占率全球领先。公司营收过去依赖于单模-Fi芯片SP8266和2016年推出的双模SP32随着行业双模和精细化的发展趋势，公司近年来芯片迭代速度显著加快SP32-2/3升级承接SP8266支持F6的5/6强化I应用的高阶产品S3以及标志进入Thrd/gbe市场的2芯片使公司产品线覆盖趋全面并通过性能裁剪匹配下游应用需求新产品将陆续进入市场推广和量产阶段，支撑公司营收增长。我们认为当前公司处于新旧产品线切换阶段，对软硬件部分进行的垂直一体化整合以及行业ttr协议的更新导致持续扩张的研发投入未来随着公司产品组合陆续放量，公司盈利边际改善市场有望重新关注公司硬件+软件+生态所带来的竞争壁垒。预计2022-2024年公司实现营业收入14.39/19.22/25.33亿元实现归母净利润1.36/2.39/3.47亿元对应PS为1.70/2.97/4.32元当前股价对应PE为53/30/21倍综合考虑当前物联网行业增速以及同行业估值水平，我们给予乐鑫科技2023年32-36倍P，对应2023年合理价格区间为95.04-106.92元，维持“增持”评级。风险提示市场竞争加剧研发情况不及预期国际市场竞争力下降海外业务发展不及期。6.3芯海科技（688595.S）芯海科技为全信号链集成电路设计企业，公司同时拥有模拟信号链和U产品链，其中模拟信号链产品主要应用于包含工业测量、汽车电子、消费电子在内的诸多物联网感知领域包括人体参数测量人机交互设备参数测量及环境参数测量等32位U在工业控制通信电动工具汽车电子智慧家居等众多领域的持续提升市场份额32位占比超过50%其中公司的C芯片PD协议控制器等产品获得客户的认可陆续进入多家一线计算机厂商。预计2022-2024年，公司实现营业收入7.05/9.65/12.55亿元，实现归母净利润0.35/.42/2.10亿元对应PS为0.25/1.00/1.48元当前股价对应PE为164/41/28倍综合考虑行业均值和公司龙头地位，我们给予公司2023年45-50倍P，目标价格区间为45.00-50.00元，投资评级为“增持。风险提示：下游需求恢复不及预期，产品进展不及预期。6.4长光华芯（688048.S）长光华芯成立于2012年成立以来专注于半导体激光行业主要从事半导体激光芯片及其器件模块等产品的研发生产和销售公司牢“中国激光芯光耀美好生活”的企业使命秉“一平台一支点横向扩展纵向延伸发展战略致力打破国外激光芯片技术壁垒，实现高功率激光芯片国产化与进口代替。公司依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力，横向扩展纵向延伸，实现一体化布局。从纵向来看，公司往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸2012年建成芯片设计、封装设计、光纤耦合等工艺产线2013年实现光纤耦合模块、列阵模块的全面量产随后陆续出光纤激光器泵浦源方案光纤耦合模块产品巴条芯片产品各系列直接半导体激光器2021年实现30W高功率单管芯片量产2022年35W高功率单管芯片投入生产。从横向来看，