标准解读

《GB/T 4061-1983 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法》是一项国家标准，旨在规范硅多晶材料在断面上存在夹层时采用化学腐蚀方法进行检测的具体步骤和技术要求。该标准适用于评估硅多晶材料内部质量及其结构完整性。

根据标准内容，首先需要准备待检样品，并确保其表面清洁无污物。接着，使用特定的化学试剂对样品进行处理，这些试剂能够选择性地与硅多晶中的不同相或杂质反应，从而在样品表面上形成可见的图案或颜色变化。通过观察这些变化可以判断出是否存在夹层以及夹层的大致位置和形态特征。

此外，标准还详细规定了腐蚀液配方、温度控制范围、处理时间等关键参数的选择依据，以保证实验结果的一致性和可靠性。同时，对于如何正确记录实验数据、分析结果并报告发现也给出了指导性意见。

整个过程强调操作的安全性与环境保护意识，在执行任何化学处理前都必须采取适当的安全措施，比如佩戴个人防护装备、在通风良好的环境中工作等。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替
  • 1983-12-20 颁布
  • 1984-12-01 实施
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UDC669.782：548:2：620.193.4中华人民共和国国家标准GB4061-83硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法Polyerystallinesilicon-Examinationmethod--AssessmentofsandwichesonCross-sectionbychemicalCorrosion1983-12-20发布1984-12-01实施家标准局批准

中华人民共和国国家标准UDC669.782:548：2:620.193.4硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB4061-83Polycrystallinesilicon-Examinationmethod-AssessmentofsandwichesonCross-sectionbychemicalcorrosion本标准适用于三氯氢硅及四氯化硅氢还原在细硅芯上沉积硅多晶所生长出来的硅多晶棒.1方法原理1.1原理根据氢氟酸硝酸混合液对硅多晶断面氧化夹层及温度夹层腐蚀速率的差别。1.2方法化学腐蚀法。2试样制备2.1取样部位除在桥形硅多晶棒硅芯搭接处或者直的硅多晶棒离石墨卡头10mm一-段外均可取样（如图1）区样部位10mm图国家标

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