标准解读

《GB/T 4060-2018 硅多晶真空区熔基硼检验方法》与《GB/T 4060-2007 硅多晶真空区熔基硼检验方法》相比,在多个方面进行了更新和完善。主要变化体现在以下几个方面:

  1. 标准适用范围的调整:2018版明确了本标准适用于通过真空区熔法制备的硅多晶材料中基硼含量的测定,进一步细化了适用对象的具体要求。

  2. 术语定义的补充:新版增加了对一些专业术语如“基硼”、“有效质量分数”等更详细的定义说明,有助于减少因理解差异导致的操作误差。

  3. 检测方法优化:在原有的基础上,2018版本对实验条件(如温度控制、样品处理)提出了更加严格的要求,并且引入了新的测量技术或仪器设备推荐使用指南,以提高检测精度和可靠性。

  4. 数据处理方式改进:针对实验结果的数据分析部分,新标准提供了更为科学合理的计算公式及统计学处理方法,使得最终得出的结果更加准确可靠。

  5. 安全注意事项增加:考虑到操作过程中可能存在的风险因素,2018版特别强调了实验室安全防护措施的重要性,并详细列举了相关建议,保障实验人员健康安全。

  6. 附录内容扩充:为了便于理解和执行,新版标准还增加了若干附录资料,包括但不限于参考文献列表、典型应用案例分析等内容,为用户提供更多实用信息支持。

这些改动反映了近年来科学技术的发展进步以及行业需求的变化趋势,旨在促进我国半导体材料领域技术水平的整体提升。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2018-09-17 颁布
  • 2019-06-01 实施
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GB/T 4060-2018硅多晶真空区熔基硼检验方法_第1页
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文档简介

ICS77040

H17.

中华人民共和国国家标准

GB/T4060—2018

代替

GB/T4060—2007

硅多晶真空区熔基硼检验方法

Testmethodforboroncontentinpolycrystallinesiliconbyvacuum

zone-meltingmethod

2018-09-17发布2019-06-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T4060—2018

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替硅多晶真空区熔基硼检验方法与相比除编

GB/T4060—2007《》,GB/T4060—2007,

辑性修改外主要技术变化如下

:

增加了规范性引用文件

———GB/T620—2011、GB/T626—2006、GB/T11446.1—2013、GB/T25915.1—

见第章

2010(2);

修改了方法提要将以的速度区熔提纯次成晶后改为以不高于

———,“1.0mm/min14”“1.0mm/min

的速度多次区熔提纯后见第章年版的第章

”(4,20074);

在干扰因素中增加了酸洗用的器皿酸液和去离子水纯度腐蚀速度腐蚀温度样品暴露时

———“、、、、

间都可能带来沾污应加以控制见

,”(5.4);

删除了干扰因素中关于区熔后单晶的要求测试环境见年版的

———、(20075.6、5.7);

在试剂和材料中型电阻率不低于的籽晶修改为籽晶应为无位错的型

———“p3000Ω·cm”“P

高阻硅单晶且受主杂质含量原子数小于12-3碳含量原子数小于

<111>,()2.5×10cm、()

15-3晶向偏离度小于见年版的

5×10cm、5°”(6.4,20076.1);

在仪器设备中的取芯设备修改为取芯设备可钻出直径约为且长度不小

———“”“,15mm~20mm

于的多晶硅样芯见年版的

100mm”[7.1,20077a)];

增加了两探针或四探针电阻率测试仪见

———(7.6);

增加了测试环境见第章

———(8);

在取样中平行于硅芯钻取长左右直径为左右的样芯作样品修改

———“180mm,15mm~20mm”

为平行于硅芯钻取长度不小于直径为的样芯作样品见年

“100mm,15mm~20mm”(9.2,2007

版的

8.2);

样芯距多晶硅棒底部的距离由不低于改为不小于见年版的

———“50mm”“250mm”(9.4,20078.4);

删除了选择电阻率大于碳含量小于-6无位错晶向偏离度小于的

———“3000Ω·cm,0.2×10,,5°

型高阻硅单晶切割制备成的籽晶见年版的

p<111>”(200710.1.1);

在区熔拉晶步骤增加了第次与第次提纯完成后每次保留一个熔区长度的尾部第次

———“12,,3

开始固定区熔长度见

”(11.4)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位江苏中能硅业科技发展有限公司亚洲硅业青海有限公司洛阳中硅高科技有

:、()、

限公司峨嵋半导体材料研究所

、。

本标准主要起草人胡伟刘晓霞耿全荣鲁文锋王桃霞胡自强宗冰肖建忠万烨杨旭

:、、、、、、、、、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T4060—1983、GB/T4060—2007。

GB/T4060—2018

硅多晶真空区熔基硼检验方法

1范围

本标准规定了多晶硅中基硼含量的测试方法

本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基硼含量的测定基硼含量原子数测定范围为

。()

13-315-3

0.01×10cm~5×10cm。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

化学试剂氢氟酸

GB/T620—2011

化学试剂硝酸

GB/T626—2006

硅单晶电阻率测定方法

GB/T1551

硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T1554

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

电子级水

GB/T11446.1—2013

掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

GB/T13389

半导体材料术语

GB/T14264

洁净室及相关受控环境第部分空气洁净度等级

GB/T25915.1—20101:

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

31

.

硅芯siliconcore

小直径硅棒用

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