标准解读

《GB/T 4060-1983 硅多晶真空区熔基硼检验方法》是一项国家标准，专门用于指导硅多晶材料中硼含量的测定。该标准适用于采用真空区熔技术制备的硅多晶棒或块材内微量至痕量级别硼杂质的检测。

根据此标准规定的方法，首先需要将待测样品加工成适合分析的形式，通常是通过机械手段将其制成粉末或者薄片状。接着，在特定条件下使用化学试剂处理样品，以便于后续分析步骤能够有效进行。这些条件包括但不限于温度、时间以及所使用的溶剂种类等参数的选择。

关键步骤之一是利用分光光度法或其他适宜的技术来定量测定样品中的硼浓度。这一步骤要求操作人员具备一定的专业知识和技术背景，以确保实验结果准确可靠。同时，为了保证数据的有效性与可比性，《GB/T 4060-1983》还对实验过程中的质量控制措施进行了详细说明，比如通过设置空白对照组和标准样品来进行校正，并且对于每批次测试都应实施重复性检查。

此外，本标准也强调了实验室环境条件的重要性，指出所有分析工作应在符合要求的清洁环境中开展，避免外界因素干扰最终结果。对于仪器设备的要求同样严格，不仅需要定期维护保养，还要经过校准才能投入使用。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 4060-2007
  • 1983-12-20 颁布
  • 1984-12-01 实施
©正版授权
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文档简介

UDC669.782:548：2:543.06中华人民共和国国家标准GB4060-83硅多晶真空区熔基硼检验方法Polycrystallinesilicon-Examinationmethod-Vacuumzonee-melting：Onboron1983-12-20发布1984-12-01实施家标准局批批准

中华人民共和国国家标准UDC689.782:548.2:543.08硅多晶真空区熔基硼检验方法GB4060-83Polycrystallinesilicon-Examinationmethod-Vacuumzone-meltingonboron本标准适用于三氯氢硅及四氯化硅氢还原在细硅芯上沉积硅多晶所生长出来的硅多晶棒.检测杂质浓度有效范围0.02～20ppba。P型电阻率范围500～100000·cm。方法原理1.原理利用硅区熔时硅中磷硼的有效分系数的差别及磷硼从硅中蒸发速率的差别。1.2方法真空区熔法。2试样制备2.1取样部位除在桥形硅多晶棒硅芯搭接处或者直的硅多晶棒离石墨卡头10mm-一段外均可取样（如图1）。2.2试样尺寸直径10～40mm。长度70～200mm。2.3试样处理2.3.1在化学纯丙酮中洗样去油。2.3.2用化学纯乙醇清洗20～303后用电阻率大于10MQ的去离子水冲洗。2.3.3在优级纯HF:HNO，1：（3～5）体积的混合酸液中腐蚀2min。在第二份优级纯HF.HNO，1；（3～5）的混合酸液中腐蚀2min。2.8.42.3.5用电阻率大于10M0的去离子水冲洗试样至中性。2.3.6将试样经超声波或用去离子水多次煮沸，洗涤，烘

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