模拟电路第三章

第3章二极管及其基本电路3.1半导体的基础知识3.2

PN结的形成及特性3.3半导体二极管3.4二极管基本电路及其分析方法3.5特殊二极管3.1半导体的基础知识3.1.2半导体的共价键结构3.1.3本征半导体、空穴及其导电作用3.1.4杂质半导体3.1.1半导体材料

3.1.1

半导体材料

根据物质导电能力(电阻率)的不同，将物质划分为导体、绝缘体和半导体。半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。典型的半导体有：元素半导体（硅Si和锗Ge等）；化合物半导体（砷化镓

GaAs等）。

半导体的特点:1.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。2.半导体受到外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。3.在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。

导体：具有大量自由电荷，电流容易通过的物质。（一般金属都是导体）绝缘体：隔绝电流，使电流不能通过的物质。（如：橡胶、塑料、陶瓷、油脂等）半导体的特性：(1)掺杂特性。(掺入杂质则导电率激增)(2)热敏特性。(温增则导电率显增)(3)光敏特性。(光照可增加导电率、产生电动势)3.1.2-3本征半导体一、本征半导体的结构特点GeSi通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。硅和锗的晶体结构：硅和锗的共价键结构共价键共用电子对+4+4+4+4+4表示除去价电子后的原子共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。+4+4+4+4二、本征半导体的导电机理在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。1.载流子、自由电子和空穴+4+4+4+4自由电子空穴束缚电子2.本征半导体的导电机理+4+4+4+4在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成：

1.自由电子移动产生的电流。

2.空穴移动产生的电流。自由电子空穴本征激发：复合：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。漂移：自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。

在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。空穴的出现使半导体区别于导体的一个重要特征。形成自由电子、空穴对两种载流子自由电子空穴两种载流子的运动自由电子(在共价键以外)的运动空穴(在共价键以内)的运动

结论：1.本征半导体中自由电子、空穴成对出现，且数量少；

2.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电；

3.本征半导体导电能力弱，并与温度有关（受温度影响大）。3.1.4杂质半导体:

在本征半导体中掺入微量的杂质，可使半导体的导电性能发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质后的半导体称为杂质半导体。P型+3+4+4+4+4+4硼原子空穴空穴

：多数载流子（多子）自由电子：少数载流子（少子）载流子数

空穴数1.P型半导体:在硅（或锗）的晶体内掺入三价杂质元素（如硼）的半导体称为P（空穴)型半导体。

空位很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因接受电子而称为受主杂质。2.N型半导体：N型+5+4+4+4+4+4磷原子自由电子电子为多数载流子空穴为少数载流子载流子数

电子数在硅（或锗）的晶体内掺入五价杂质元素（如磷）的半导体称为N（电子)型半导体。

提供自由电子的五价杂质原子因失去电子而带上正电荷成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。

掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下:

T=300K室温下,本征硅的自由电子和空穴浓度:

n=p=1.4×1010/cm31

本征硅的原子浓度:

4.96×1022/cm3

3以上三个浓度基本上依次相差106/cm3

。

2掺杂后N型半导体中的自由电子浓度:

n=5×1016/cm33.杂质对半导体导电性的影响杂质半导体的导电作用IIPINI=IP+INN型半导体I

INP型半导体I

IPEP型、N型半导体的简化图示负离子多数载流子（空穴）少数载流子（自由电子）正离子多数载流子（自由电子）少数载流子（空穴）N型半导体P型半导体动画（P的形成）动画（N的形成）3.2PN结的形成及特性

3.2.2

PN结的形成

3.2.3

PN结的单向导电性

3.2.4

PN结的反向击穿

3.2.5

PN结的电容效应

3.2.1

载流子的漂移与扩散

3.2.1载流子的漂移与扩散漂移运动：在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。扩散运动：由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。3.2.2PN结的形成1、PN结(PNJunction)的形成内建电场

在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成P型半导体和N型半导体。此时将在P型半导体和N型半导体的结合面上形成如下物理过程:

自由电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使P区和N区中原来保持的电中性被破坏了。P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去自由电子，留下了带正电的杂质离子。对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。

PN结（空间电荷区），电子势能（=–qVo）发生了变化，电子要从N区到P区必须越过一个能量高坡，一般称为势垒，因此又把空间电荷区称为势垒区。扩散和漂移达到动态平衡扩散电流等于漂移电流，

总电流

I=0。空间电荷区形成内电场

内电场促使少子漂移

内电场阻止多子扩散

最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区

动画(PN结的形成）P区N区内电场外电场

外电场使多子向PN结移动,中和部分离子使空间电荷区变窄。

IF限流电阻扩散运动加强形成正向电流IF

IF=I多子I少子

I多子（2）外加反向电压(反向偏置)

—reversebias

P区N区内电场外电场

外电场使多子背离PN结移动，空间电荷区变宽。IRPN结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大;

反偏截止，电阻很大，电流近似为零。漂移运动加强形成反向电流IRIR=I少子

0动画（正偏）动画（反偏）动画（PN结单向）动画（单向）（1）外加正向电压(正向偏置)—forwardbias3.2.3、PN结的单向导电性-+UR3、PN结的伏安（V-I)特性表达式反向饱和电流温度的电压当量电子电荷e=1.6×10-19C玻尔兹曼常数k=1.38×10-23J/K常温下T=300(27C)：VT

=26mVOv

/VI

/mA正向特性反向击穿

加正向电压时，vD为正值，当vD比VT大几倍时，公式中的1可以忽略，则：加反向电压时，vD

为负值，当︱vD︱比VT大几倍时，公式中的指数项趋近于零，则：i≈–IS自然对数的底e=2.71828·

·

·3.2.4、PN结的反向击穿

当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。热击穿——不可逆

雪崩击穿

齐纳击穿

电击穿——可逆iD

vD

VBRO

（讲解二极管时讲解）3.反向击穿类型：电击穿：PN结未损坏，断电即恢复。（可逆）热击穿：PN结烧毁。（不可逆）反向击穿原因：齐纳击穿：(Zener)反向电场太强，将电子强行拉出共价键。(击穿电压

<6V，负温度系数：即温度升高，击穿电压降低

)雪崩击穿：反向电场使电子加速，动能增大，通过碰撞产生自由电子—空穴对，使自由电子数突增。(击穿电压

>6V，正温度系数：即温度升高，击穿电压升高

)击穿电压在

6V

左右时，温度系数趋近零。只有在杂质浓度特别大的PN结中才能达到齐纳击穿：在重掺杂的PN结中，耗尽区很窄，所以不大的反向电压就能在耗尽区内形成很强的电场。当反向电压大到一定值时，强电场足以将耗尽区内中性原子的价电子直接拉出共价键，产生大量自由电子-空穴对，使反向电流急剧增大。这种击穿称为齐纳击穿或场致击穿。雪崩击穿:在轻掺杂的PN结中，当外加反向电压时，耗尽区较宽，少子漂移通过耗尽区时被加速，动能增大。当反向电压大到一定值时，在耗尽区内被加速而获得高能的少子，会与中性原子的价电子相碰撞，将价电子撞出共价键，产生自由电子-空穴对。新产生的自由电子、空穴被强电场加速后，又会撞出新的自由电子、空穴对。

PN节的正向电流是由P区的空穴和N区的电子的相互扩散形成的,从P区扩散到N区的空穴在N区存在着浓度差,靠近PN节近的空穴的浓度大，远离PN节近的空穴的浓度小。扩散电容示意图(1)扩散电容CD扩散电容CD:扩散电容是ＰＮ结在正向电压时,多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的。当ＰＮ结加正向电压时,Ｎ区的电子扩散到Ｐ区,同时Ｐ区的空穴也向Ｎ区扩散。显然,在ＰＮ区交界处,载流子的浓度最高。由于扩散运动,离交界处愈远,载流子浓度愈低,这些扩散的载流子,在扩散区积累了电荷。若ＰＮ结正向电压加大,则多数载流子扩散加强,扩散区电荷量增加（相当于电容充电）；反之,若正向电压减少,则积累的电荷将减少（相当于电容放电），这就是扩散电容效应CD。

3.2.5PN结的电容效应

(1)扩散电容CD

；(2)势垒电容CB势垒电容示意图

(2)势垒电容CB从电路上看，CB和结电阻并联，反偏时结电阻很大，尽管CB很小，它的作用还是不能忽略；正偏时结电阻很小，尽管CB很大，它的作用相对来说反而比较小。势垒电容CB:是由阻挡层内空间电荷引起的。空间电荷区是由不能移动的正负杂质离子所形成的,均具有一定的电荷量,所以在ＰＮ结储存了一定的电荷,当外加电压使阻挡层变宽时,电荷量增加（相当于电容充电）反之,外加电压使阻挡层变窄时,电荷量减少（相当于电容放电）

。即阻挡层中的电荷量随外加电压变化而改变,形成了电容效应,称为势垒电容,用ＣB表示。

结论：1.低频时，因PN结电容很小，容抗很大，对PN结影响很小。高频时，因容抗减小，结电容分流作用增强，导致单向导电性变差。

2.PN结面积较小时结电容小，工作频率高。影响工作频率的原因—PN结的电容效应3.3半导体二极管3.3.1二极管的结构3.3.2二极管的伏安特性3.3.3二极管的主要参数3.3.1二极管的结构构成：PN结+引线+管壳=二极管(Diode)符号：A(anode)C(cathode)分类：按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型面接触型平面型

二极管按结构分三大类：(1)点接触型二极管

PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(3)平面型二极管

用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。(2)面接触型二极管

PN结面积大，用于工频大电流整流电路。半导体二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：2AP9用数字代表同类器件的不同规格。代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge，C为N型Si，D为P型Si。2代表二极管，3代表三极管。3.3.2二极管的伏安特性二极管的伏安方程：电子电量玻尔兹曼常数VT

=26mV锗管的伏安特性604020–0.02–0.0400.40.8–25–50iD

/mAvD/ViD

/mAvD/V0.20.4–25–5051015–0.01–0.020硅管的伏安特性动画（D伏安）当T=300(27C)：反向饱和电流温度的电压当量二极管的伏安特性OvD/ViD/mA正向特性Vth死区电压iD

=0。Vth=

0.5V

0.1V(硅管)(锗管)⑵当VVth时iD急剧上升。⑴当0V

Vth时

VD(on)

=(0.60.8)V硅管

0.7V(0.10.3)V锗管

0.2V反向特性ISV(BR)反向击穿⑴当V(BR)

V0时，iD=IS

<0.1A(硅)

;几十

A

(锗)⑵当︱V︱＞︱

V(BR)︱时，反向电流急剧增大(反向击穿)1.正向特性2.反向特性二极管的导通压降IS3.3.3二极管的主要参数1.IF：最大整流电流(最大正向平均电流)。2.VRM：最高反向工作电压为V(BR)/2

。3.IR：反向电流(越小单向导电性越好)。4.fM：最高工作频率(工作频率超过fM时，单向导电性变差)。iDvDV(BR)IFVRMO

PN结—单向导电特性（正偏导通）P+N内建电场Elo+-VPN结正偏阻挡层变薄内建电场减弱多子扩散>>少子漂移多子扩散形成较大的正向电流IPN结导通I电压V电流I

PN结—单向导电特性（反偏截止）P+N内建电场Elo-+VPN结反偏阻挡层变宽内建电场增强少子漂移>>多子扩散少子漂移形成微小的反向电流IRPN结截止IRIR与V近似无关。温度T电流IRPN结具有单向导电特性。总之：PN结正向电阻小，反向电阻大。

二极管：一个PN结就是一个二极管。单向导电：二极管正极接电源正极，负极接电源负极时电流可以通过。反之电流不能通过。符号：3.4二极管电路的分析方法3.4.1简单二极管电路的图解分析方法3.4.2二极管电路的简化模型分析方法3.4.1简单二极管电路的图解分析方法二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V-I特性曲线。例3.4.1电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD。解：由电路的KVL方程，可得

即是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线

Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点二极管的V-I特性关系式为

3.4.2二极管电路的简化模型分析方法1.二极管V-I特性的建模将指数模型分段线性化，得到二极管特性的等效模型。（1）理想模型（a）V-I特性（b）代表符号（c）正向偏置时的电路模型（d）反向偏置时的电路模型正偏导通，vD=0；反偏截止，

iD=0V(BR)=

图a中的粗实线表示理想二极管的V–I特性，其中的虚线表示实际二极管的V–I特性。由图可见，理想二极管在正向偏置时，其管压降为0V，而当二极管处于反向偏置时，认为它的电阻为无穷大，电流为零。在实际的电路中，当电源电压远比二极管的管压降大时，利用理想模型来近似分析是可行的。（2）恒压降模型vDiDVDvD=VD0.7V(Si)0.2V(Ge)

当二极管导通后，认为其管压降是恒定的，且不随电流而变，典型值为0.7V（Si为0.7V、Ge为0.2V）。不过这只有当二极管的电流iD近似等于或大于1mA时才是正确的。VD+-（a）V-I特性（b）电路模型

（3）折线模型

为了较真实地描述二极管V-I特性，认为二极管的管压降不是恒定的，而是随着通过二极管电流的增加而增加，所以在模型中用一个电池和一个电阻rD来作进一步的近似。这个电池的电压选定为二极管的门坎电压Vth，约为0.5V。至于rD的值，即当二极管的导通电流为1mA时，管压降为0.7V时rD的值，于是rD的值可计算如下：

由于二极管特性的分散性，Vth和rD的值不是固定不变的。rDVthVI斜率1/rDVthvDiD（a）V-I特性（b）电路模型（4）小信号模型当vs

=0时,电路中只有直流量，Q点称为静态工作点（VD和ID），反映直流时的工作状态。

②当vs=Vmsint（且Vm<<VDD）时,在电路中串联一个交流信号源vs

工作点将静态工作点Q点附近小范围内Q’和Q”之间变化，将这一段V-I特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。过Q点的切线可以等效成一个微变电阻即根据得Q点处的微变电导则常温下（T=300K）（a）V-I特性（b）电路模型

二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。特别注意：

小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vD>>VT

。2．模型分析法应用举例整流电路D+-+-RvOvi当vi>0V时，D导通，则vO=vi当vi0V时，D截止，则vO=0V由此，利用二极管的单向导电性，实现了半波整流。将交流电转化成脉动直流电。

若输入信号为正弦波：

平均值：

VOt0vit0vO（a）电路图例3.4.2二极管基本电路如下图a所示，已知vs为正弦波。试利用二极管理想模型，定性地绘出vo的波形。（b）vs和vo的波形解：画输出信号波形的方法根据输入信号大小判断二极管的导通与截止找出vO与vI关系画输出信号波形。设二极管是理想的，vi=6sint(V)，试画vO波形。解：vi>2V时，D导通，则vO=vivi2V时，D截止，则vO=2V由此可画出vO的波形。

+-DV+-+-2V100RvOvit620vi(V)vO(V)t026正半周：D1、D3导通D2、D4截止负半周：D2、D4导通D1、D3截止例3、求整流电路的输出波形。解：例3.4.3

设简单硅二极管基本电路如下图所示，R

=10k，分别用二极管理想模型、恒压降模型和折线模型(设折线模型中rD=0.2kΩ)求出：（1）VDD=10V

。（2）VDD=1V

时ID

和VD

的值。2)静态工作情况分析

DiD+-vDRVDDDiDVDDvD+-R习惯画法[解](1)VDD=10V

①理想ID=VDD/R=10/10

=1(mA)VD=0V②恒压降VD=0.7(V);ID=(VDD-VD)

/R=(10-0.7)/10

=0.93(mA)(2)VDD=1VVD=0.5V+IDrD

=0.5+0.931×0.2

=0.69(V)在电源电压VDD

远大于二极管管压降的情况下

，恒压降模型能得出较合理的结果；但在电源电压VDD

较低时，折线模型能提供较合理的结果。正确选择器件的模型是电子工作者的基本技能。③折线①理想ID=VDD/R=1/10

=0.1(mA)VD=0V②恒压降VD=0.7(V);ID=(VDD-VD)

/R=(10-0.7)/10

=0.03(mA)VD=0.51(V)③折线DiDVDDvD+-R理想模型VD+-恒压降模型rDVth折线模型（3）限幅电路例3.4.4电路如图，R=1kΩ，VREF=3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI=6sintV时，绘出相应的输出电压vO的波形。理想模型恒压降模型理想模型vO波形恒压降模型vO波形限幅电路(或削波电路）V2<vi<V1时，D1、D2截止,vo=vit0vit0vOViV1时，D1导通、D2截止,vo=V1

Vi

V2时，D2导通、D1截止,vo=V2

由此

，电路实现双向限幅功能。vOvi+-D1+-+-RD2V1-V2+-其中：V1为上门限电压，V2为下门限电压。V1-V2-V2V1简化分析法（估算法）即将电路中二极管用简化电路模型代替，利用所得到的简化电路进行分析、求解。将截止的二极管开路，导通的二极管用直流简化电路模型替代，然后分析求解。判断二极管是导通还是截止？假设电路中二极管全部开路，分析其两端的电位。理想二极管：若V>0，则管子导通；反之截止。实际二极管：若V>VD(on)，管子导通；反之截止。当电路中存在多个二极管时，正偏电压最大的管子优先导通。其余管子需重新分析其工作状态。例1：判别二极管是导通还是截止。+9V-+1V-

+2.5V-

+12.5V-

+14V-+1V-截止+18V-+2V-

+2.5V-

+12.5V-

+14V-+1V-导通-9V+-1V+

+2.5V-

+12.5V-

+14V-+1V-截止例2、由二极管构成的电路如图所示，试判断二极管导通或截止，并求出输出电压。有多个二极管时的判断方法：

将二极管全部断开，求出二极管的阳极和阴极电位，若阳极电位高于阴极电位则该管导通，否则截止。另外哪只管子承受的正向电压高，则哪只管子先导通。判断结果：D1导通，D2截止。VAO=0V断开D1、D2，则D1（负极电位为-12V，正极电位为0）；D2（负极电位为-12V，正极电位为-15V）。故D1优先导通，使UAO=0，迫使D2反偏截止。例3：设二极管是理想的，求VAO值。图(a)，假设D开路，则D两端电压：VD=V1–V2=–6–12=–18<0V，解：故D截止。VAO=12V。

+-DV2V1+-AOVAO+-12V-6V3K(a)+--+D1D2V2V1+-AOVAO3K6V9V(b)图(b)，假设D1、D2开路，则D两端电压：VD1=V2–0=9V>0V，VD2=V2–(–V1)=15V>0V

由于VD2>VD1

，则D2优先导通。此时VD1=–6V<0V，故D1截止。VAO=–V1=–6V。

例3.4.5

二极管开关电路如下图所示。当vI1和vI2分别为0V或5V时，求vI1和vI2的值不同组合情况下，输出电压vO的值。5VvI1vI2二极管工作情况vOD1D20V0V0V5V5V0V5V5V导通导通导通导通截止截止截止截止0V0V0V5V4.7KΩD1D2Vcc5VvI1vI2习惯画法vO+-+-vI1vI24.7KΩD1D2Vcc5V开关电路的理想模型vO+-（4）开关电路稳压电路某原因VOIZI限流电阻R：保证稳压管工作在Izmin~Izmax之间稳压原理：

VOVRVO=VZ（稳压管的稳定电压）输出电压：D+-+-RRLILVIVOIZI+-+-ΔvIiDvD+-RVIiD=ID+ΔiDvD=VD+ΔvD5）低电压稳压电源ΔiDR+-ΔvOrd+-ΔvI例.在图所示的低电压稳压电路中，直流电源电压VI的正常值为10V，R=10KΩ,若VI

变化±1V时，问相应的硅二极管电压（输出电压）的变化如何？解：①当

VI的正常值为10V，利用恒压降模型，VD≈0.7V。可得Q点上的电流为②在此Q点上，二极管的微变电阻为③VI有±1V的波动，可视为一峰-峰值为2V的交流信号作用于由R和rd组成的分压器上,在rd上的分压为：二极管电压vD的变化范围为±2.79mV。DiDVIvD+-R即vD的输出电压为700±2.79mV。(a)(c)(b)end6）小信号工作情况分析例3.4.6图示电路中，VDD=5V，R=5k，恒压降模型的VD=0.7V，vs=0.1sinwtV。（1）求输出电压vO的交流量和总量；（2）绘出vO的波形。直流通路、交流通路、静态、动态等概念，在放大电路的分析中非常重要。补充：二极管的测试

在使用二极管前，应先判断二极管的好坏，可用指针式万用表欧姆档的R×1k(或R×100)档位（注意不要R×1(或R×10k)档位，以免电流过大烧坏二极管）。首先将万用表拨到欧姆R×1k档位，将两个表笔短接，进行调零。

具体判断极性的做法是：

将红、黑两表笔接触二极管两端，表头有一显示，将红、黑笔反过来再次接触二极管两端，表头又将有一指示。若两次指示的阻值相差很大，说明该二极管的单向导电性好，并且阻值大的那次红表笔所接为二极管的阳极（指针式万用表黑表笔接表内电池的正极，红表笔接表内电池的负极）。若相差很小，说明已经失去了单向导电性，如果两次指示的阻值均很大，则说明该二极管已经开路。需要注意的是：

如果用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。解：若要判断二极管是导通还是截止，则可先假设二极管移开，计算二极管的阳极和阴极之间的电位差。若该电位差大于零，则表明二极管可能导通；若该电位差小于或等于零，则二极管截止。对于例2-1图a所示电路，移开二极管后的电路如图例2-1图b所示，两个二极管的阳极和阴极之间的电位差分别为

故二极管D1