平板探测器的原理及应用

平板探测器的原理及应用第一页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02主要内容平板探测器的概念非晶硅平板探测器非晶硒平板探测器CMOS平板探测器平板探测器的指标与评价第二页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02平板探测器通过面阵探测器，取代传统胶片等材料。将X射线透照工件生成的图像信号转换成易于存储和处理，符合一定行业标准的数字图像。相对于线阵探测器提高图像的读出速度减少X线曝光时间线阵扫描探测器平板探测器第三页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02平板探测器的应用第四页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02平板探测器的典型结构第五页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02典型的平板型DR组成X线高压发生器产生高压（高压，灯丝，高压整流，交换闸）X线球管产生X射线准直器减少散射线控制照射野平板探测器将X射线转换成已处理的电信号图像后处理系统A/D转换，图像预处理，图像重建等第六页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02平板探测器的种类直接能量转换形非晶态硒（AmorphousSelenium，a-Se）间接能量转换形

非晶态硅（AmorphousSelenium，a-Si+碘化铯(CsI)/硫氧化钆(gá)(GdOS/Gd2O2S)CCD第七页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02直接型-非晶态硒典型结构： ①非晶硒层（a-Se）

光电导材料 ②薄膜半导体阵列 （ThinFilmTransistorarray，TFT）尺寸数十厘米第八页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02非晶硒型成像原理向非晶硒层加正向偏置电压（0-5kv），即预置初始状态。X射线照射,非晶硒层产生电子、空穴对在外加电场下产生电流，并在TFT层存储电荷。读出TFT层存储的电荷，放大并经过A/D转换后输出到计算机。所有电荷信号被读取后，消除残余电荷，恢复到初始状态。X射线第九页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02非晶硒平板探测器的特点直接进行光电转换没有散射，清晰度要高物理性能稳定介电常数低电阻率高暗电流小光电吸收效率高光电导效率随X射线强度增大而增大

第十页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02直接型-非晶态硒美国Hologic公司DirectRay产品指标成像范围35cmx43cm像素数量3560x3072像素尺寸139μm空间分辨率3.6Lp/mm成像时间5-7s曝光周期30s像素深度14bitSonialvisionSnfire指标成像范围43cmx43cm像素数量2880x2880像素尺寸150μm空间分辨率3.3Lp/mm快速R/F切换0.5s像素深度14bit日本岛津公司第十一页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02间接型-非晶态硅①闪烁体或荧光体层

+②非晶硅层（a-Si）（具有光电二极管作用）

+③TFT阵列第十二页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02间接型-非晶态硅基本工作过程原理：a：入射的X射线图像经碘化铯闪烁晶体转换为可见光图像，b：可见光图像由下一层的非晶硅光电二极管阵列转换为电荷图像c：对电荷信号逐行取出，转换为数字信号，再传送至计算机，从而形成X射线数字图像闪烁体层非晶硅阵列集成电路读出板列驱动板X射线第十三页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02闪烁体和荧光体能将在X线照射下激发出可见光的发光晶体物质统称闪烁体或荧光体，荧光是指在X线激发停止后持续（<10-8s）发光的过程闪烁是指单个高能粒子在闪烁体上瞬时激发的闪光脉冲第十四页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02间接型-闪烁体：硫氧化钆作用：将X射线光子转化成可见光光子发射特点： 成像速度快 性能稳定 成本较低层状排布（散射线造成的不清晰度较大）主要有日本佳能生产的CXDI系列也是唯一能实现移动的X射线探测器第十五页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02间接型-闪烁体：碘化铯用碘化铯作为光电装换的介质碘化铯（CsI:T1闪烁体）

连续排列、针状直径约为6-7μm

厚度为500-600μm

外围用铊包裹减少漫射第十六页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02非晶硒与碘化铯吸收系数随着非晶硒厚度的提升（500μm到700μm）对X光的吸收率也随之上升资料中介绍：碘化铯厚度的的增加，吸收系数上升，但图像分辨率下降。随X射线能量增高，非晶硒和碘化铯的吸收系数都随之下降。第十七页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02间接型-闪烁体硫氧化钆碘化铯非晶硅响应2种闪烁体的光谱特性和非晶硅的响应特性

第十八页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02间接型-闪烁体①碘化铯和硫化钆发射光谱与a-Si光电二极管量子效率谱均以波长550nm处出现峰值且具有很好的匹配关系。

②使用CsI做涂层的探测器转换效率比硫氧化钆涂层高。可见光第十九页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02CCD探测器反射式第二十页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02CCD探测器直射式光纤式

CCD尺寸小，一般为3-5cm2闪烁体一般为碘化铯光学纤维

CCD芯片闪烁体一般为碘化铯光学透镜

CCD芯片第二十一页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02CCD探测器工作原理①采用闪烁体将X线能量转换为可见荧光②采用反射/透镜/光纤进行缩小并传入CCD③产生光生电子，电子数与光子数成正比。并以电荷形式存入存储装置④读取电荷信号，经放大、A/D等处理后生成数字信号第二十二页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02CCD型和CMOS型CCDCMOS没有电荷转移功能，需要经过X-Y选址电路。PD：产生蓄积电荷MOS-Fet：控制读出第二十三页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02平板探测器类型的选择观察和区分不同组织的密度，因此对密度分辨率的要求比较高。宜使用非晶硅平板探测器的DR，这样DQE比较高，容易获得较高对比度的图像需要对细节要有较高的显像，对空间分辨率的要求很高，因此宜采用非晶硒平板探测器的DR，以获得高空间分辨率的图像。第二十四页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02平板探测器的主要参数DQE---DetectiveQuantumEfficiency

量子探测效率SR---SpatialResolution

空间分辨率MTF---ModulationTransferFunction

调制传递函数S/N---SignaltoNoiseratio

信噪比

第二十五页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02量子探测效率-DQE定义：探测器（增感屏，胶片，IP,FPD)探测到的光量子与发射到探测器上的量子数目比通常用输出信噪比的平方与输入信噪比的平方之比来表示，一般为百分数。

DQE=

第二十六页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02量子探测效率-DQE其中G是探测器的增益，Φ是单位面积的X射线探测器输入的量子MTF是调制传递函数，NPS是噪声功率谱。另一种计算方法：第二十七页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02空间分辨率空间分辨率是指图像每个像素点的大小特征是调制传递函数MTF第二十八页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02调制传递函数（MTF）MTF为探测器对比度空间频率转移函数通常用来表示探测器对于图像细节的分辨能力在系统应用的空间频率范围内MTF值越高则空间频率特性越好，对于影像系统来说可以获得更好的图像对比度。第二十九页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02调制传递函数（MTF）MTF对比

500μm层厚结构化碘化铯晶体和粉末状增感屏注：图像上亮度分布相邻的黑线或白线的距离定义为空间周期第三十页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02调制传递函数（MTF）空间频率优化通过滤波器改善调制传递函数第三十一页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02调制传递函数（MTF）一种便于理解的MTF的图解方法第三十二页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02噪声平板探测器的噪声主要来源于两个方面：

a：探测器电子学噪声（小）

b：X射线图像量子噪声RQA5测试标准下一个大小为150μm的像素通常可以吸收1400个X光子，此时量子噪声约为37个X光子，而读出噪声则仅相当于3—5个X光子第三十三页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02其他参数记忆效应(memoryeffect)表示图像残留的参数，通常用两个参量来表示残留因子的变化一次曝光20S后记忆效应(Short-termmemoryeffect20s)如：0.1%一次曝光60S后记忆效应(Short-termmemoryeffect60s)如：0.02%灵敏度（Sensitivity）响应度一定光谱范围内，单位曝光量的输出信号X射线吸收率X射线－可见光转换系数填充系数光电二极管光电转换系数

第三十四页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02其他参数线性(Linearity)最大的线性剂量(X-raymaximumlineardose)：表示探测器可达到线性度要求的剂量范围上限非线性度(Non-linearity)：用百分比来表示在０－Ｄmax最大的线性剂量之间输出的非线性程度微分非线性度（Linearity-differential-FT）积分非线性度(Linearity-integral-FT）空间非线性度(Linearity-spatial-FT）第三十五页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02其他参数探测器图像获取时间探测器预备时间曝光等待时间曝光窗口图像读出时间对于非晶硅探测器典型值为2.8S左右实际一般为5～6S第三十六页，共三十八页，2022年，8月28日2012-02其他参数温度稳定性（Stability）额定条件下探测器的输出随温度的变化率，被称为探测器的温度系数（Detectortemperaturecoefficient)暗电流