标准解读
《GB/T 38976-2020 硅材料中氧含量的测试 惯性气体熔融红外法》是一项国家标准,规定了通过使用惰性气体熔融结合红外吸收光谱技术测定硅材料中氧含量的方法。该标准适用于多晶硅、单晶硅以及其它类型的硅基材料。
按照此标准进行测试时,首先需要将样品置于石墨坩埚内,并在高纯度惰性气体(通常是氦气或氩气)保护下加热至高温,使硅样品与其中的氧化物完全反应生成一氧化碳(CO)。随后,生成的一氧化碳随载气进入红外检测器,在特定波长下被测量其吸光度,从而根据朗伯-比尔定律计算出样品中的氧浓度。
整个过程中需要注意控制实验条件如温度、气体流量等参数以确保测试准确性;同时,对于不同形态和规格的硅样品,可能还需要采取适当的预处理措施来保证分析结果的有效性和可靠性。此外,标准还提供了校准曲线制作方法及质量控制要求等内容,旨在指导实验室建立并维持一套稳定可靠的检测体系。
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....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2020-07-21 颁布
- 2021-06-01 实施




文档简介
ICS77040
H17.
中华人民共和国国家标准
GB/T38976—2020
硅材料中氧含量的测试
惰性气体熔融红外法
Testmethodfortheoxygenconcentrationinsiliconmaterials—
Inertgasfusioninfrareddetectionmethod
2020-07-21发布2021-06-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
中华人民共和国
国家标准
硅材料中氧含量的测试
惰性气体熔融红外法
GB/T38976—2020
*
中国标准出版社出版发行
北京市朝阳区和平里西街甲号
2(100029)
北京市西城区三里河北街号
16(100045)
网址
:
服务热线
:400-168-0010
年月第一版
20207
*
书号
:155066·1-65363
版权专有侵权必究
GB/T38976—2020
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准
(SAC/TC203)
化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口
(SAC/TC203/SC2)。
本标准起草单位有研半导体材料有限公司上海合晶硅材料有限公司有色金属技术经济研究院
:、、、
北京聚睿众邦科技有限公司厦门银固美能源科技有限公司
、。
本标准主要起草人王永涛孙燕徐新华胡金枝任丹雅赵志婷蔡丽艳杨素心陆敏林兴乐
:、、、、、、、、、。
Ⅰ
GB/T38976—2020
硅材料中氧含量的测试
惰性气体熔融红外法
1范围
本标准规定了采用惰性气体熔融及红外技术测试硅材料中氧含量的方法
。
本标准适用于不同导电类型不同电阻率范围的硅单晶多晶硅中氧含量的测试测试范围为
、、,2.5×
15-318-3
10cm(0.05ppma)~2.5×10cm(50ppma)。
注硅材料中的氧含量以每立方厘米中的原子数计
:。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T1557
半导体材料术语
GB/T14264
3术语和定义
界定的术语和定义适用于本文件
GB/T14264。
4方法原理
将预先称重的样品放置于高纯双层石墨坩埚中样品在惰性气体的保护下高温加热熔融释放出
,,,
氧氮和氢样品中氧均与石墨坩埚中的碳结合生成一氧化碳氮和氢则分别以氮气氢气的形式释放
、。,、。
根据测试仪器的不同一氧化碳的含量可以由非色散红外探测器直接测得也可在惰性气体的输送下
,,,
将一氧化碳经过加热的稀土氧化铜催化剂氧化生成二氧化碳由红外测试设备测得二氧化碳的含量
,。
测试仪器根据一氧化碳或二氧化碳的含量进行空白扣除之后结合样品重量最终得到被测样品中的
,,,
氧含量
。
5干扰因素
51惰性气体氦气或氩气作为测试仪器中的载气其中含有的杂质可能会吸附硅材料样品释放的
.(),
氧从而影响测试结果因此建议使用纯度体积分数不小于的高纯气体以提高测试准确性
,,()99.99%。
同时可使用氢氧化钠优级纯用于吸收惰性气体中残留的二氧化碳无水高氯酸镁用于吸
(),(MgClO4)
收惰性气体中的水分铜屑用于吸收惰性气体中的氧减少惰性气体对测试结果的影响
,,。
52使用单层石墨坩埚会造成温度的波动继而影响测试结果因此应使用双层石墨坩埚
.,,。
53石墨坩埚中的氧也会随着测试的过程不断释放因此应使用高纯石墨制作的坩埚并在测试之前
.,,
确认石墨坩埚的纯度以减少对测试结果的影响
,
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