标准解读

《GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法》是一项国家标准，旨在提供一种通过化学腐蚀方法来测量碳化硅单晶片中微管缺陷密度的技术规范。该标准适用于评估碳化硅单晶材料的质量，特别是在半导体工业中的应用。

根据此标准，测试过程主要包括样品准备、腐蚀处理以及后续观察分析三个主要步骤。首先，在样品制备阶段，需要选取适当尺寸和形状的碳化硅单晶片作为待测样品，并对其进行必要的表面清洁处理，以去除可能影响测试结果准确性的污染物或杂质。

接下来是关键的腐蚀处理环节，这里采用了特定配比的化学试剂对样品进行蚀刻。腐蚀液的选择及其浓度、温度等条件均按照标准给出的具体要求执行，目的是使得样品表面的微管结构能够被充分暴露出来而不至于过度侵蚀其他部分。这一过程中需要注意控制好时间与环境因素，确保实验的一致性和重复性。

最后，在完成腐蚀后，利用显微镜等光学仪器对样品表面进行仔细观察，并记录下所发现的所有微管缺陷的位置及数量。基于这些数据，可以计算出单位面积内的微管密度，从而评价该批次碳化硅单晶片的质量水平。

整个测定流程严格按照规定的方法操作，保证了不同实验室之间结果的可比性，为相关行业提供了可靠的检测依据。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2014-07-24 颁布
  • 2015-02-01 实施
©正版授权
GB/T 30868-2014碳化硅单晶片微管密度的测定化学腐蚀法_第1页
GB/T 30868-2014碳化硅单晶片微管密度的测定化学腐蚀法_第2页
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文档简介

ICS29045

H83.

中华人民共和国国家标准

GB/T30868—2014

碳化硅单晶片微管密度的测定

化学腐蚀法

Testmethodformeasuringmicropipedensityofmonocrystallinesilicon

carbidewafers—Chemicallyetching

2014-07-24发布2015-02-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

碳化硅单晶片微管密度的测定

化学腐蚀法

GB/T30868—2014

*

中国标准出版社出版发行

北京市朝阳区和平里西街甲号

2(100029)

北京市西城区三里河北街号

16(100045)

网址

:

服务热线

:400-168-0010

年月第一版

20149

*

书号

:155066·1-49957

版权专有侵权必究

GB/T30868—2014

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会及材料分技术委员会

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并归口

203/SC2)。

本标准起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所中国电子技术标准化研究院

:、。

本标准主要起草人丁丽周智慧郝建民蔺娴何秀坤刘筠冯亚彬裴会川

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T30868—2014

碳化硅单晶片微管密度的测定

化学腐蚀法

1范围

本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法

。

本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定

。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用标准其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

半导体材料术语

GB/T14264

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4方法原理

采用择优化学腐蚀技术显示微管缺陷用光学显微镜或其他仪器如扫描电子显微镜观察碳化硅

,()

单晶表面的微管计算单位面积上微管的个数即得到微管密度

,,。

5试剂和材料

本方法需要下列试剂和材料

:

氢氧化钾优级纯

a)(KOH):;

硅溶胶小于

b):150nm;

去离子水电阻率大于

c):2MΩ·cm。

6仪器设备

本方法需要下列仪器和设备

:

光学显微镜或其他仪器放大倍数为倍

a):20~500;

镍坩埚直径Φ

b):60mm~150mm;

控温加热器可加温到以上

c):800℃。

7试样制备

71抛光

.

711将切割好的厚度适当的完整的碳化硅单晶片用粒径小于

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