标准解读

《GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》这一国家标准详细规定了用于测量碳化硅单晶片厚度及其总厚度变化的方法。标准适用于各种尺寸的碳化硅单晶片，旨在提供一致性和可重复性的测试结果。

该标准首先明确了术语定义，比如“厚度”指从一片碳化硅单晶片的一侧表面到另一侧表面之间最短的距离；而“总厚度变化”则表示在同一片样品上不同位置测量得到的最大与最小厚度值之间的差异。通过这些定义，确保了行业内对于相关概念理解的一致性。

接下来，《GB/T 30867-2014》描述了几种可用于测定碳化硅单晶片厚度及总厚度变化的具体技术手段，包括但不限于接触式测厚仪、非接触式光学干涉法等。每种方法都有其适用范围、操作步骤以及对设备的要求。例如，在使用接触式测厚仪时，需要保证探针与样品表面垂直接触，并且在多个点位进行重复测量以提高数据准确性；而非接触式的光学干涉法则利用光波长变化来间接计算物体厚度，这种方法特别适合于超薄或易碎材料的无损检测。

此外，本标准还强调了实验条件的重要性，如温度控制、环境湿度等因素都可能影响最终的测量结果。因此，在实际操作过程中应严格按照规范要求调整实验室内的各项参数，确保测试环境符合标准规定。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2014-07-24 颁布
  • 2015-02-01 实施
©正版授权
GB/T 30867-2014碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法_第1页
GB/T 30867-2014碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法_第2页
GB/T 30867-2014碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法_第3页
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文档简介

ICS29045

H83.

中华人民共和国国家标准

GB/T30867—2014

碳化硅单晶片厚度和总厚度

变化测试方法

Testmethodformeasuringthicknessandtotalthicknessvariationof

monocrystallinesiliconcarbidewafers

2014-07-24发布2015-02-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

碳化硅单晶片厚度和总厚度

变化测试方法

GB/T30867—2014

*

中国标准出版社出版发行

北京市朝阳区和平里西街甲号

2(100029)

北京市西城区三里河北街号

16(100045)

网址

:

服务热线

:400-168-0010

年月第一版

20149

*

书号

:155066·1-49958

版权专有侵权必究

GB/T30867—2014

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会及材料分技术委员会

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并归口

203/SC2)。

本标准起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所中国电子技术标准化研究院

:、。

本标准主要起草人丁丽周智慧郝建民蔺娴何秀坤刘筠冯亚彬裴会川

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T30867—2014

碳化硅单晶片厚度和总厚度

变化测试方法

1范围

本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化的测试方法包括接触式和非接触式两种

(TTV),

方式

。

本标准适用于直径不小于厚度为的碳化硅单晶片

30mm、0.13mm~1mm。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

半导体材料术语

GB/T14264

洁净室及相关受控环境第部分空气洁净度等级

GB/T25915.1—20101:

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

41接触式测量

.

接触式测量采用五点法在碳化硅单晶片中心点和距碳化硅单晶片边缘D的圆周上个对称

。/104

点位置测量碳化硅单晶片厚度如图所示单晶片中心点厚度为标称厚度个厚度测量值中的最大

,1。,5

值和最小值的差值为碳化硅单晶片的总厚度变化

。

说明图中D为碳化硅单晶片直径

:。

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