标准解读
《GB/T 28277-2012 硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法》是一项国家标准,主要针对硅基微机电系统(MEMS)中的微键合区域的机械性能测试提供了具体的方法指导。该标准详细规定了如何通过实验手段来评估这些微小结构在受到剪切力或压力作用时的抗破坏能力,从而帮助研究者与工程师更好地理解材料及工艺对最终产品可靠性的影响。
标准首先明确了适用范围,指出其适用于各类采用不同键合技术(如阳极键合、共晶键合等)形成的硅基MEMS器件中微键合区的强度测试。接着,它描述了一系列关键术语及其定义,确保所有读者对于文中提到的专业词汇有一致的理解基础。
接下来的部分重点介绍了进行剪切强度测试的具体步骤,包括样品准备、夹具设计、加载方式以及数据记录等方面的要求。此外,还特别强调了实验过程中需要注意的安全事项和技术细节,比如控制加载速率以保证结果的有效性和可重复性。
对于拉压强度测试,《GB/T 28277-2012》同样给出了详细的指导原则。这部分内容涵盖了从试样选择到最终数据分析的全过程,旨在提供一套标准化的操作流程,以便于不同实验室之间能够相互比较研究成果。
整个文档还包括了一些辅助信息,例如推荐使用的设备规格参数、可能影响测试结果的因素分析等,这些都是为了进一步提高测试精度而设。通过遵循此标准所提出的方法论,研究人员可以获得更加准确可靠的关于硅基MEMS微键合区力学性能的数据,这对于推动相关领域内新材料开发及生产工艺优化具有重要意义。
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....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2012-05-11 颁布
- 2012-12-01 实施
文档简介
ICS31200
L55.
中华人民共和国国家标准
GB/T28277—2012
硅基MEMS制造技术
微键合区剪切和拉压强度检测方法
Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—
Measurementmethodofcuttingandpull-pressstrengthofmicrobondingarea
2012-05-11发布2012-12-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T28277—2012
目次
前言…………………………
Ⅲ
范围………………………
11
规范性引用文件…………………………
21
术语和定义………………
31
要求………………………
42
检测结构的设计要求………………
4.12
检测结构制备要求…………………
4.24
检测环境要求………………………
4.34
检测方法…………………
55
总则…………………
5.15
拉压式微结构键合强度检测………………………
5.25
剪切式微结构键合强度检测………………………
5.36
附录资料性附录拉压式检测结构设计尺寸和断裂强度对应表…………………
A()8
附录资料性附录拉压式检测结构测试实例………
B()16
Ⅰ
GB/T28277—2012
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会提出并归口
(SAC/TC336)。
本标准起草单位北京大学中机生产力促进中心中国电子科技集团第十三研究所中国科学院上
:、、、
海微系统与信息技术研究所中国电子科技集团第四十九研究所
、。
本标准主要起草人张大成王玮刘伟杨芳姜森林崔波熊斌田雷
:、、、、、、、。
Ⅲ
GB/T28277—2012
硅基MEMS制造技术
微键合区剪切和拉压强度检测方法
1范围
本标准规定了硅基加工过程中所涉及的微小键合区域键合强度检测的要求和试验方法
MEMS。
本标准适用于采用微电子工艺及相关微细加工技术制造的微小键合区的剪切和拉压强度测试
。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
微机电系统技术术语和定义
GB/T26111—2010(MEMS)
测量管理体系测量过程和测量设备的要求
GB/T19022—2003
3术语和定义
和界定的以及下列术语和定义适用于本文件
GB/T26111—2010GB/T19022—2003。
31
.
体微加工工艺bulkmicromachining
通过选择性去除部分基底材料实现微结构的微机械加工方法
。
注体微机械工艺是通过化学方法刻蚀去除基底不需要部分的加工方法通过使用或掩模可以保护表
:。SiO2Si3N4
面不被刻蚀硼掺杂层也可以停止表面层以下部分的刻蚀
。。
定义
[GB/T26111—2010,3.5.16]
32
.
干法刻蚀dryetching
利用可产生物理和或化学反应的气体或等离子体进行刻蚀的技术
/。
注电子能量所产生的可反应气体与衬底反应并移除材料形成所需的形状或尺寸干法刻蚀可分为利用化学反
:,。
应的各向同性腐蚀等离子刻蚀和利用物理反应的直接刻蚀离子刻蚀
()()。
定义
[GB/T26111—2010,3.5.18]
33
.
湿法刻蚀wetetching
利用与待刻材料可产生化学反应的溶液对薄膜或器件结构进行腐
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