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文档简介

讨论：杂质能级与费米能级的相对位置明显反映了电子和空穴占据杂质能级的情况。当说明了什么？当重合时，，即施主杂质有1/3电离，还有2/3没有电离。同理，当EF远在EA之上时，受主杂质几乎全部电离；当EF远在EA之下时，受主杂质基本上没有电离；当EF等于EA时，受主杂质有1/5电离，4/5没有电离。(思考题)1、杂质半导体的载流子浓度n型半导体的载流子浓度（只含一种施主杂质的n型半导体）电中性条件：

求出EF(关键所在)方法：利用电中性条件→确定该状态的费米能级→T、EF确定后，计算几种典型情形考虑存在单一杂质能级的情形电中性条件：温度和掺杂浓度既决定了杂质能级的电离程度，又决定了载流子的来源是本征激发还是杂质能级激发。费米能级随之变化。弱电离情形中等电离情形强电离情形过渡区高温本征激发区以N型掺杂为例，P型同理(1)低温弱电离区（远比ND为小）与温度、杂质浓度、杂质种类有关大部分施主杂质能级仍为电子所占据，少量施主电离（弱电离）价带中只靠本征激发跃迁至导电的电子数很少取对数简化导带中的电子全部由电离施主杂质提供讨论

低温弱电离区EF与T关系可以了解变化情况T→0k时，Nc→0，dEF/dT→+，上升快T↑，Nc↑dEF/dT↓T↑↑T↑↑↑，dEF/dT<0，开始下降

杂质含量越高，EF达到极值的温度也越高①②为直线，直线斜率为

可通过实验测定n0~T关系，确定杂质电离能，从而得到杂质能级的位置。与温度的关系是什么！！！取对数简化(2)中间电离区T↑2Nc>NDEF下降至以下当温度升高到EF=ED时，

施主杂质有1/3电离

当温度升高至大部分杂质都电离时称为强电离。(3)强电离区此时，电中性条件：强电离区饱和区：载流子浓度与温度无关，特点：1.杂质全部电离2.本征激发不可忽略电中性条件：同时存在本征激发和杂质电离的情形要会分析（费米能级，载流子浓度）(4)过渡区n和p的变换本征半导体时，

普遍适用

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